Продукція > STB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 9 12 15 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STB06-BLANK-1TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: STB06-BLANK-1
Packaging: Box
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-BLANK-2TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB06-BLANK-2
Packaging: Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-BLANK-3TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB06-BLANK-3
Packaging: Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-BLANK-6TE Connectivity Passive ProductDescription: STB06-BLANK-6
Part Status: Active
Packaging: Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB0612Fairview MicrowaveDescription: TERM PLUG TYPE N 1.35 VSWR
Packaging: Bag
Connector Type: Plug, Male Pin
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Free Hanging, Cap
Connector Style: N Type
Contact Material: Brass
Body Finish: Tri-Metal
Impedance: 50 Ohms
Frequency - Max: 6 GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB070A1483ABB Power Electronics Inc.Description: BG STB070A1483 COPPER FLEX BRAID
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9624.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB0899ST
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB09-5-5TE ConnectivityDescription: TE Connectivity STB09-5-5
Legend: 5
Cable Diameter: 0.128" ~ 0.177" (3.25mm ~ 4.50mm)
Type: Wire Marker, Clip-On
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Color: Green
Packaging: Bulk
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3600+3.18 грн
14400+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB09-8-8TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GRAY
Packaging: Box
Color: Gray
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.128" ~ 0.177" (3.25mm ~ 4.50mm)
Legend: 8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB09-BLANK-2TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB09-BLANK-2
Packaging: Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB09-BLANK-7TE ConnectivityDescription: STB09-BLANK-7
Packaging: Tray
Color: Violet
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.128" ~ 0.177" (3.25mm ~ 4.50mm)
Legend: Blank
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB0A12DSeoul Semiconductor CO., LTD.3528 / 455,0-457,5nm(=blue) / 4,0-5,0lmx60mAx2,9-3,0V (at Tj=25C) / Max=70mAx220mW / 120deg. Світлодіоди PLCC
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB0A12DSeoul Semiconductor CO., LTD.3528 / 455,0-457,5nm(=blue) / 4,0-5,0lmx60mAx2,9-3,0V (at Tj=25C) / Max=70mAx220mW / 120deg. Світлодіоди та світлодіодні модулі
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0A12D (BB1Y2)Seoul Semiconductor CO., LTD.3528 / 450,0-452,5nm(=blue) / 3,0-4,0lmx60mAx2,8-2,9V (at Tj=25C) / Max=70mAx220mW / 120deg. Світлодіоди та світлодіодні модулі
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0A12D (BB1Y2)Seoul Semiconductor CO., LTD.3528 / 450,0-452,5nm(=blue) / 3,0-4,0lmx60mAx2,8-2,9V (at Tj=25C) / Max=70mAx220mW / 120deg. Світлодіоди PLCC
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0A12D (BB2Y2)Seoul Semiconductor CO., LTD.3528 / 452,5-455,0nm(=blue) / 3,0-4,0lmx60mAx2,8-2,9V (at Tj=25C) / Max=70mAx220mW / 120deg. Світлодіоди та світлодіодні модулі
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB0A12D (BB2Y2)Seoul Semiconductor CO., LTD.3528 / 452,5-455,0nm(=blue) / 3,0-4,0lmx60mAx2,8-2,9V (at Tj=25C) / Max=70mAx220mW / 120deg. Світлодіоди PLCC
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB0A12D (BB2Y3)Seoul Semiconductor CO., LTD.3528 / 452,5-455,0nm(=blue) / 3,0-4,0lmx60mAx2,9-3,0V (at Tj=25C) / Max=70mAx220mW / 120deg. Світлодіоди та світлодіодні модулі
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0A12D (BB2Y3)Seoul Semiconductor CO., LTD.3528 / 452,5-455,0nm(=blue) / 3,0-4,0lmx60mAx2,9-3,0V (at Tj=25C) / Max=70mAx220mW / 120deg. Світлодіоди PLCC
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0A12D (BB3Y3)Seoul Semiconductor CO., LTD.3528 / 455,0-457,5nm(=blue) / 3,0-4,0lmx60mAx2,9-3,0V (at Tj=25C) / Max=70mAx220mW / 120deg. Світлодіоди PLCC
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0A12D (BB3Y3)Seoul Semiconductor CO., LTD.3528 / 455,0-457,5nm(=blue) / 3,0-4,0lmx60mAx2,9-3,0V (at Tj=25C) / Max=70mAx220mW / 120deg. Світлодіоди та світлодіодні модулі
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0A12D (CB4Y3)Seoul Semiconductor CO., LTD.3528 / 457,5-460,0nm(=blue) / 4,0-5,0lmx60mAx2,9-3,0V (at Tj=25C) / Max=70mAx220mW / 120deg. Світлодіоди PLCC
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0A12D (CB4Y3)Seoul Semiconductor CO., LTD.3528 / 457,5-460,0nm(=blue) / 4,0-5,0lmx60mAx2,9-3,0V (at Tj=25C) / Max=70mAx220mW / 120deg. Світлодіоди та світлодіодні модулі
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0FS12A-AB-BASeoul SemiconductorHigh Power LEDs - Single Colour BLUE PUMP LED MID POWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0FS12A-AD-BASeoul Semiconductor Inc.Description: LED BLUE 450NM 2.5MMX2.5MM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB1.00BK36TechflexDescription: 1" FIREFLEX SEAL TAPE BLK 36 FT
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+153.03 грн
200+120.41 грн
500+91.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+320.36 грн
68+208.84 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.46 грн
10+135.74 грн
100+93.91 грн
500+71.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+267.39 грн
10+175.58 грн
50+153.03 грн
200+120.41 грн
500+91.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+98.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+72.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.32 грн
10+144.49 грн
100+86.98 грн
500+73.87 грн
1000+66.48 грн
2000+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+98.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB100N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.03 грн
10+104.79 грн
100+63.51 грн
500+50.33 грн
1000+50.26 грн
2000+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB100N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.91 грн
10+118.39 грн
100+86.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.40 грн
10+119.66 грн
100+81.99 грн
500+61.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03-01L
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03LSTIPAK
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03-01STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03-1STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 100 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03-1
Код товару: 158535
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03T4STM09+
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03T4
Код товару: 99423
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 100 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04STMicroelectronicsSTMicroelectronics N-channel 40 V, 0.0043 Ohm typ., 120 A StripFET II Power MOSFET in D2PAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04-01
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04LSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04LSTSOT235
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+104.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+86.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.18 грн
10+158.85 грн
100+110.85 грн
500+84.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Pulsed drain current: 480A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
на замовлення 851 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+228.20 грн
5+171.18 грн
10+164.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 40 Volt 120 Amp
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.56 грн
10+168.31 грн
100+102.86 грн
500+83.53 грн
1000+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB100NF04T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 4300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.03 грн
10+178.80 грн
100+164.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+104.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4
Код товару: 170858
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NH02
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NH02LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NH02LT4STTO263
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NH02LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NH02LT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 24 Volt 60 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB101-0.447-34Lyn-Tron Inc.STB101-0.447-34
на замовлення 9612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+97.84 грн
174+81.64 грн
250+61.07 грн
500+38.57 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB101-0.499-34Lyn-Tron Inc.STB101-0.499-34
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+185.30 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 462pF @ 5V, 1MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 462pF @ 5V, 1MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 462pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
11+29.62 грн
20+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB1010T4
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10150SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 150 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB10150SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1060SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 850 µA @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB1060SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 850 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D2PAK
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1060TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1060TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB1081L3
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1081SL3GRochester Electronics, LLCDescription: IGBT D2PAK 350V SPECIAL
на замовлення 6450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB1081TF4GonsemiDescription: IGBT D2PAK 350V SPECIAL
Packaging: Bulk
на замовлення 15286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+76.65 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB10LN80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.23 грн
10+174.66 грн
100+107.00 грн
500+97.34 грн
1000+80.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB10LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB10LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.73 грн
10+165.43 грн
100+116.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB10LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+118.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB10LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB10LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+118.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 9 12 15 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]