Продукція > PDT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PDTB114EQAZ | Nexperia | Digital Transistors SOT1215 50V .5A PNP RET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB114ET | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA PDTB114ET - SMALL S Packaging: Bulk | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTB114ET-QR | Nexperia | Digital Transistors PDTB114ET-Q/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB114ET-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PDTB114ET-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB114ET215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB114ETR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTB114ETR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 320mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTB1xxxT Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 3025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB114ETR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 320 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB114ETR | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; SOT23,TO236AB; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | на замовлення 1862 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTB114ETR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTB114ETR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 320mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTB1xxxT Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 175°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB114ETR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 320 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTB114ETR | Nexperia | Digital Transistors SOT23 50V .5A PNP RET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB114ETVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB114ETVL | Nexperia | Digital Transistors SOT23 50V .5A PNP RET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB114ETVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB114EU-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTB114EU-Q/SOT323/SC-70 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB114EU-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PDTB114EU-Q/SOT323/SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB114EU115 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB114EU135 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB114EUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB114EUF | Nexperia | Digital Transistors SOT323 50V .5A PNP RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB114EUX | Nexperia | Digital Transistors SOT323 50V .5A PNP RET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB114EUX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 1363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTB114EUX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123EK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123EQA147 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | на замовлення 79000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTB123EQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A 3DFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123EQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTB123EQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A 3DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123EQAZ | Nexperia | Bipolar Transistors - Pre-Biased PDTB123EQA/SOT1215/DFN1010D-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123ES,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123ET | на замовлення 3423 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTB123ET,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 2.2kΩ Current gain: 40 | на замовлення 5966 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTB123ET,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123ET,215 Код товару: 173860
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PDTB123ET,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTB123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTB123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTB123ET,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123ET,215 | Nexperia | Digital Transistors PDTB123ET/SOT23/TO-236AB | на замовлення 15195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123ET,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTB123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTB123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123ET-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PDTB123ET-Q/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123ET-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PDTB123ET-Q/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123EU115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | на замовлення 145960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTB123EU135 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | на замовлення 39549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTB123EUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123EUF | Nexperia | Digital Transistors 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123EUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123EUX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123EUX | Nexperia | Bipolar Transistors - Pre-Biased PDTB123EU/SOT323/SC-70 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123EUX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123TK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123TS,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123TT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123TT,215 | Nexperia | Digital Transistors PDTB123TT/SOT23/TO-236AB | на замовлення 2387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123TT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123TT,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Current gain: 100...250 | на замовлення 2327 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTB123TT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTB123TT-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PDTB123TT-Q/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123TT-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PDTB123TT-Q/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123TT-QR | Nexperia | PDTB123TT-Q/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123YK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3; MPAK Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123YQA147 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTB123YQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A 3DFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123YQAZ | Nexperia | Digital Transistors SOT1215 50V .5A PNP RET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123YQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | на замовлення 34776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTB123YQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A 3DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123YS,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123YT | NXP | SOT23/SOT323 | на замовлення 1367 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123YT,215 | Nexperia | Digital Transistors PDTB123YT/SOT23/TO-236AB | на замовлення 245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123YT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123YT,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123YT,215 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123YT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTB123YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTB123Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123YT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123YT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTB123YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTB123Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123YT-QR | Nexperia | Digital Transistors SOT23 50V .5A PNP RET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123YT-QR | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.25W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123YT-QR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123YT/APG215 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123YT/APGR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTB123YT/APGR - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123YU-QF | Nexperia USA Inc. | Description: PDTB123YU-Q/SOT323/SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTB123YU-QF | Nexperia USA Inc. | Description: PDTB123YU-Q/SOT323/SC-70 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTB123YU-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PDTB123YU-Q/SOT323/SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTB123YU-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PDTB123YU-Q/SOT323/SC-70 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTB123YU115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTB123YU115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | на замовлення 75890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTB123YU135 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTB123YUF | Nexperia | Digital Transistors PDTB123YU/SOT323/SC-70 | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123YUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123YUF | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; SC70,SOT323; R1: 2.2kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 140MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123YUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123YUX | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 425mW; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.425W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 70 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123YUX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123YUX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB123YUX | Nexperia | Digital Transistors SOT323 50V .5A PNP RET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB143EQA147 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A 3DFN Packaging: Bulk Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 325 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB143EQAZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.5A 940mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTB143EQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTB143EQAZ | Nexperia | Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 4130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTB143EQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 325 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |

