Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFS4710PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS510AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS520AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 640 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS520A
Код товару: 77930
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 7,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 400/23
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
на замовлення: 12 шт
  • 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
2+16.00 грн
10+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15D
Код товару: 140134
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DHRInfineon TechnologiesDescription: IRFS52N15DHR
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 60nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DPBFInternational RectifierTO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DPBF
Код товару: 177153
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS52N15DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+95.40 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+99.43 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+93.18 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+163.46 грн
500+147.00 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.41 грн
21+36.63 грн
25+34.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+147.53 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS52N15DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+159.37 грн
100+152.24 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+93.46 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+112.67 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.20 грн
10+175.85 грн
100+123.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+163.46 грн
500+147.00 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLPInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 60A 32mOhm 60nC
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+137.56 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRRPInfineon TechnologiesMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 60nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRRPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+164.64 грн
500+148.18 грн
1000+136.42 грн
10000+117.94 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRRPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+164.64 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS530International RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS530AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
на замовлення 4315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
666+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 666 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS530AONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS530A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 802 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS530AIR96 TO220
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS530A-NL(PBF)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS540AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 17A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 88937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+70.00 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS540AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 6491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+97.89 грн
500+88.11 грн
1000+81.25 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS540AONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS540A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 88157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 509 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS540AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 82180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+97.89 грн
500+88.11 грн
1000+81.25 грн
10000+69.85 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS540Aonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel A-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS540A
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS5615Infineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS5615PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS5615TRLPBFInfineon / IRMOSFET Audio MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS5615TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS5615TRLPBFInfineon
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS5615TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS5620PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS5620TRLPBF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS5620TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS5620TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS59N10DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS59N10DPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 25mOhms 76nC
на замовлення 3575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS59N10DPBFInternational RectifierD2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS59N10DTRL
на замовлення 803 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS59N10DTRLPInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 100V 59A 25mOhm 76nC
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS59N10DTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS59N10DTRLPInfineon
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS59N10DTRLPBFIR09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS59N10DTRRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS610BFP001Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS614BFAIRCHILDIRFS614B
на замовлення 77516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2037+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 2037 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS614BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
на замовлення 77516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1137+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 1137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS614BONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS614B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2004 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS614B_FP001ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 2.8A TO-220F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS630AFAIRCHILD2002 TO-220F
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS630AONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS630A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 55970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 822 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS630AON SemiconductorIRFS630A
на замовлення 54970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+54.53 грн
1000+50.29 грн
10000+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS630AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 55970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+42.54 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS630AON SemiconductorIRFS630A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+54.53 грн
1000+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS630BON SemiconductorIRFS630B
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+77.67 грн
505+69.90 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS630BFairchild SemiconductorDescription: 9A, 200V, 0.4OHM, N-CHANNEL MOSF
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
363+55.17 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS630BFAIRCHILDTO-220F
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS630BONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS630B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 642 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS630B_FP001onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634AFAIRCHILDTO-220 05+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634BON Semiconductor / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634BONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS634B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2004 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634BFAIRCHILDIRFS634B
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2037+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 2037 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634BFAIRCHILDTO-220F
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1137+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 1137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634BTONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS634BT - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2004 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634BTFairchild SemiconductorDescription: TRANS MOSFET N-CH 250V 8.1A T/R
Packaging: Bulk
на замовлення 3482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1137+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 1137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634B_FP001ON Semiconductor / FairchildMOSFET 250V N-Channel B-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634B_FP001Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+48.52 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634B_FP001onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634B_FP001ONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS634B_FP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS640
на замовлення 611 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS640AFAITO220 01+
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS640AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+48.52 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS640AON SemiconductorIRFS640A
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.53 грн
1000+56.74 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS640AONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS640A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS640B
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS640BFPFAIRCHILD05+
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS640BT_FP001onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]