Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS4321TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4321TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4410 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 96A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410PBF | Infineon / IR | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 120nC | на замовлення 4612 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFS4410PBF - IRFS4410 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410PBF | IR | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRFS4410PBF-INF | Infineon Technologies | Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk | на замовлення 842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4410TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 88 A, 0.008 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 88A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 247 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC | на замовлення 1092 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 88 A, 0.008 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 88A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410Z Код товару: 99517
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Напруга сток-витік Uds, В: 100 В Струм стоку Idd, А: 97 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 7,2 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4820/83 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||
| IRFS4410Z | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410Z | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410Z | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4410ZPBF | Infineon / IR | MOSFET 100V SINGLE N-CH 9mOhms 83nC | на замовлення 613 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410ZPBF | Infineon | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRFS4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410ZTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4410ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm | на замовлення 612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 | на замовлення 12466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg | на замовлення 3591 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4410ZTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4410ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm | на замовлення 822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4410ZTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; Idm: 390A; 230W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 69A Pulsed drain current: 390A Power dissipation: 230W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS450 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFS450B | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 9.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS450B | onsemi | MOSFETs 500V N-Channel B-FET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS450B | On Semiconductor | N-MOSFET; полевой; 500В; 6,1А; 96Вт; TO3PF Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS450B Код товару: 37978
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRFS450B | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 9.6A TO3PF Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3PF Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 4.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4510PBF | IRFS4510PBF Транзисторы | на замовлення 110 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRFS4510PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 37A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4510PBF | Infineon / IR | MOSFET 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4510TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4510TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 26400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 19200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4510TRLPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 37600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4510TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4510TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 26400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4610 Код товару: 99518
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Напруга сток-витік Uds, В: 100 В Струм стоку Idd, А: 73 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 11 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3550/90 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||
| IRFS4610 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4610PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 90nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4610PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4610TRL | IR | 08+ SMD | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4610TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4610TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4610TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4610TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4610TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4610TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4610TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 73A 14mOhm 90nC Qg | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4610TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4610TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4610TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4610TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4610TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4615 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4615PBF Код товару: 53677
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Напруга сток-витік Uds, В: 150 В Струм стоку Idd, А: 33 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 42 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1750/26 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||
| IRFS4615PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4615PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 26nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4615TRL | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 34,5mOhm; 33A; 144W; -55°C~175°C; Substitute: IRFS4615TRL; IRFS4615; IRFS4615-GURT; IRFS4615 TIRFS4615 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4615TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 25600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg | на замовлення 1712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|