Продукція > TSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 23 46 69 92 115 138 161 184 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 230 231  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
tsm1a682H34d3rz
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Tsm1a682j34d3rB
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
tsm1a682j34d3rz
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
tsm1a682k34d3rB
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
tsm1a682k34d3rz
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1B103F3383RZThinking Electronics Industrial Co.Description: NTC Thermistor 0603 10KoHm +/-1%
Power - Max: 210 mW
Part Status: Active
Resistance Tolerance: ±1%
Resistance in Ohms @ 25°C: 10k
B Value Tolerance: ±3%
B25/50: 3380K
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Packaging: Bag
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.70 грн
10+67.93 грн
15+60.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1B472F3503RZThinking Electronics Industrial Co.Description: NTC 0603 4.7 KoHm +/-1% Pmax 210
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
B25/50: 3500K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 4.7k
Resistance Tolerance: ±1%
Part Status: Active
Power - Max: 210 mW
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.70 грн
10+67.93 грн
15+60.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1B472J3502RZ0603TEM
на замовлення 7776 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1C103F3611RThinking ElectronicDescription: THERMISTOR, NTC, 0603, 10KOHM 1%
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1C103F3611RThinking ElectronicDescription: THERMISTOR, NTC, 0603, 10KOHM 1%
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
18+17.66 грн
19+16.61 грн
25+14.48 грн
50+13.73 грн
100+13.03 грн
500+11.45 грн
1000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1C105ASSR(16V/1UF/A)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1C106TSSRDAEWOO07+;
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1C225ASSR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1C225ASSR(16V/2.2UF/A)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1C330DSR
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1C335ASSR
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1C336CSSR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1C475ASSR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
tsm1c475SSR
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1C685TSSB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1D106TSSR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1D223F3951RThinking ElectronicDescription: THERMISTOR, NTC, 0603, 22KOHM 1%
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
18+17.06 грн
19+16.15 грн
25+14.05 грн
50+13.32 грн
100+12.64 грн
500+11.10 грн
1000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1D223F3951RThinking ElectronicDescription: THERMISTOR, NTC, 0603, 22KOHM 1%
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1D225ASSR
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1D335ASSR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1D475BSSR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1D4IN
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1E105ASSRDAEWOO25V1UF-A
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1E105ASSR 25V1UF-ADAEWOO
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1E105ASSR25V1UF-ADAEWOO
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1E475TSSR
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1N45CTTaiwan SemiconductorMOSFET 450V N Channel Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1N45CT B0Taiwan SemiconductorMOSFET 450V .5Amp N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1N45CT B0GTaiwan SemiconductorMOSFET 450V N Channel Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1N45CW RPTaiwan SemiconductorMOSFET 450V N Channel Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1N45CW RPGTaiwan SemiconductorMOSFET 450V N Channel Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1N45DCS RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 450V N Channel Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1N45DCS RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1N45DCS RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1N50CTTaiwan SemiconductorMOSFET 500V N Channel Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1N50CT B0Taiwan SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1N60CH
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1N60CPRO
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1N60SCTTaiwan SemiconductorMOSFET 600V 1A N channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1N60SCT A3Taiwan SemiconductorMOSFET 600V 1Amp N Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1N60SCT_B0
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1N80CWTaiwan SemiconductorMOSFETs 800V N Channel Pwr MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1N80CW RPGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223
на замовлення 3452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1N80CW RPGTaiwan SemiconductorMOSFET 800V, 0.3A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1N80CW RPGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CHTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 600V, 1A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CH C5GTaiwan SemiconductorMOSFETs 600V, 1A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CH C5GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO251
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 14962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.17 грн
75+32.69 грн
150+29.05 грн
525+22.41 грн
1050+20.31 грн
2025+18.62 грн
5025+16.43 грн
10050+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CPTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 600V, 1A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CPTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK TSM1NB60CP ROG TTSM1nb60cp
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CP ROGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM1NB60CP ROG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 4624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+44.15 грн
100+30.11 грн
500+22.58 грн
1000+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CP ROGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM1NB60CP ROG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 4624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CP ROGTaiwan SemiconductorMOSFETs 600V, 1A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CWTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 600V, 1A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CW RPGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.14 грн
10+54.34 грн
100+35.84 грн
500+26.14 грн
1000+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CW RPGTaiwan SemiconductorMOSFETs 600V, 1A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CW RPGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.37 грн
5000+20.78 грн
7500+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CWRPGTaiwan Semiconductor600V 1Amp N Chanel Mosfet Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60LCW RPGTaiwan SemiconductorMOSFETs 600V, 0.55A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60LCW RPGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 600V, 0.55A, SINGLE N-CHANNEL PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), 550mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 10.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 98 pF @ 300 V
на замовлення 4288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.57 грн
10+53.59 грн
100+35.29 грн
500+25.72 грн
1000+23.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60LCW RPGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 600V, 0.55A, SINGLE N-CHANNEL PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), 550mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 10.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 98 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60SCT A3Taiwan SemiconductorMOSFET 600V 0.5A N Channel Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60SCT A3Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60SCT A3GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60SCT A3GTaiwan SemiconductorMOSFET 600V 0,5Amp N channel Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60SCT A3GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60SCT B0Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60SCT B0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1V104AKSR
на замовлення 14653 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1V106DSSRDAWU03+
на замовлення 510 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1V224AKSR
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1V224ASSR
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1V334AKSRDAEWOO0.33UF35V-A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1V334ASSR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1V475DSSR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1V684ASSR
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1V685CSSR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM200N03DPQ33Taiwan SemiconductorMOSFET 30V, 20A, Dual N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM200N03DPQ33Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM200N03DPQ33 RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 12674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+37.51 грн
100+24.43 грн
500+17.62 грн
1000+15.90 грн
2000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM200N03DPQ33 RGGTaiwan SemiconductorMOSFETs 30V, 20A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 7785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM200N03DPQ33 RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM200N03DPQ33 RGGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM200N03DPQ33 RGGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM20207TS
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2020CFCUABBCircuit Breaker Accessories MSLC MB RING 200A22K 20/40 F UG/OH EUSC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2020CFCUPABBCircuit Breaker Accessories MSLC MB RNG 200A22K 20/40 F ESRC RETAIL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2020CSCUPABBCircuit Breaker Accessories MSLC MB RNG 200A22K 2040 S UGOH EUS RETL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2022USCUABBCircuit Breaker Accessories MSLC MB RNG 225A22K 20/40 S UG EUSC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM202A1NinigiТумблер DPDT ON-ON длина ручки 11 мм, 13,2x12,9x9,5 Перемикачі та вимикачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM202A1NINIGICategory: Toggle Switches
Description: Switch: toggle; Pos: 2; DPDT; ON-ON; 3A/250VAC; Leads: for soldering
Related items: TSPC05
Knob height: 11mm
Mounting hole dimensions: Ø6.2mm
Type of switch: toggle
Body colour: blue
AC contacts rating @R: 3A / 250V AC
Operating temperature: -25...85°C
Contacts configuration: DPDT
Stable positions number: 2
Leads: for soldering
Body dimensions: 13.2x12.9x9.5mm
Kind of toggle: round
Switching method: ON-ON
Soldering temperature: 260°C / 4 s
Max. contact resistance:: 20mΩ
Electrical life: 20000 cycles
Number of positions: 2
Actuator material: metal
на замовлення 3324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+60.22 грн
20+50.91 грн
100+46.29 грн
500+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM202A1NinigiТумблер, Dв, мм = 6, Iк = 3 А, Uк, В = 250, Алг. роб. = ON-ON, К-сть конт. в гр. = 2, Конфіг. гр. = DPDT, Сп. монт. = під пайку, Тексп, °C = -25...+85, Електр. ресурс = 20000 циклів,... Кнопки, перемикачі Корпус: 13.2x12.9x9.5mm Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
100+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM202A1
Код товару: 40679
Додати до обраних Обраний товар
Пасивні компоненти > Перемикачі, тумблери
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 23 46 69 92 115 138 161 184 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 230 231  [ Наступна Сторінка >> ]