Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 220 227  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TSM2311CX RFG-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -4A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.58 грн
3000+3.14 грн
6000+3.04 грн
15000+2.75 грн
30000+2.65 грн
75000+2.41 грн
150000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2311CX-01 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2311CXRF
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CXTaiwan SemiconductorMOSFET 20V N channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CX RFTaiwan SemiconductorMOSFET 20V N Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CX RFGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2312CX RFG TTSM2312cx
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 152875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+36.38 грн
100+24.97 грн
500+18.55 грн
1000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 20V, 4.9A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; 480mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.35 грн
11+41.85 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CX RFG-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 4.9A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.59 грн
3000+3.14 грн
6000+3.04 грн
15000+2.75 грн
30000+2.66 грн
75000+2.41 грн
150000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2313CX
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2313CXTaiwan SemiconductorMOSFET 20V P channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CXTaiwan SemiconductorMOSFET 20V N channel MOSFET
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2314CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 14611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.88 грн
500+39.48 грн
1500+33.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2314CX RFG TTSM2314cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
на замовлення 32378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+37.51 грн
100+24.39 грн
500+17.59 грн
1000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2314CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 14611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.43 грн
50+53.16 грн
100+47.88 грн
500+39.48 грн
1500+33.37 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.17 грн
6000+13.44 грн
9000+12.85 грн
15000+11.43 грн
21000+11.06 грн
30000+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; 800mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 4.9A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.41 грн
11+38.75 грн
50+27.34 грн
100+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 20V, 4.9A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFG-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 4.9A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.59 грн
3000+3.14 грн
6000+3.04 грн
15000+2.75 грн
30000+2.66 грн
75000+2.41 грн
150000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CXRF
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2318CXTaiwan SemiconductorMOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2318CX
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2318CXTaiwan SemiconductorMOSFET 40V N channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2318CX RFTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V N channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2318CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
на замовлення 142784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.79 грн
10+38.12 грн
100+26.19 грн
500+19.49 грн
1000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2318CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 36000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2318CX RFGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.N-MOSFET 40V 3.9A 1.25W 45mΩ TSM2318CX Taiwan Semi TTSM2318cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2318CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2318CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+12.22 грн
94+8.11 грн
95+8.02 грн
139+5.26 грн
250+4.82 грн
500+3.64 грн
1000+3.29 грн
3000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2318CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 3.9A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2318CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2591+5.46 грн
2618+5.40 грн
3334+4.24 грн
3686+3.70 грн
4717+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 2591 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CXTaiwan SemiconductorMOSFET 20V P channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFTaiwan SemiconductorMOSFET 20V P Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2323CX RFG TTSM2323cx
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2323CX RFG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.62 грн
500+47.55 грн
1500+40.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 66151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.73 грн
10+48.76 грн
100+32.09 грн
500+23.38 грн
1000+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 800mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.7A
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 39mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+78.58 грн
8+57.20 грн
50+35.98 грн
100+31.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs -20V, -4.7A, Single P-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+24.61 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFG
Код товару: 186937
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2323CX RFG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 5610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.55 грн
50+86.97 грн
100+76.49 грн
500+59.18 грн
1500+50.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.42 грн
6000+18.19 грн
9000+17.44 грн
15000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2328CXTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 1.5A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2328CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 25 V
на замовлення 23500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.61 грн
6000+19.57 грн
9000+19.28 грн
15000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2328CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2328CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2328CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 25 V
на замовлення 26640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
11+27.70 грн
100+26.77 грн
500+23.82 грн
1000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2328CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 1.5A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 16611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2328CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23C-2CGApplied MotionStepper Motors NEMA23 142oz-in 12-70VDC Intgrd Stpr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23C-3CGApplied MotionStepper Motors NEMA23 212oz-in 12-70VDC Intgrd Stpr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23C-4CGApplied MotionStepper Motors NEMA23 340oz-in 12-70VDC Intgrd Stpr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23P-2AGApplied MotionStepper Motors NEMA23 RS232 142ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23P-3AGApplied MotionStepper Motors NEMA23 RS232 212ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23P-4AGApplied MotionStepper Motors NEMA23 RS232 340ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23Q-2AGApplied MotionStepper Motors NEMA23 RS232 142ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23Q-2RGApplied MotionStepper Motors NEMA23 RS485 142ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23Q-3AGApplied MotionStepper Motors NEMA23 RS232 212ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23Q-3RGApplied MotionStepper Motors NEMA23 RS485 212ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23Q-4AGApplied MotionStepper Motors NEMA23 RS232 340ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23Q-4RGApplied MotionStepper Motors NEMA 23 Integrated StepSERVO Motor w/ Q Programming & Modbus/RTU
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23S-2AGApplied MotionStepper Motors NEMA 23 Integrated StepSERVO Motor w/ Streaming Command support
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23S-2RGApplied MotionStepper Motors NEMA 23, SCL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23S-3AGApplied MotionStepper Motors NEMA 23, SCL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23S-3RGApplied MotionStepper Motors NEMA 23, SCL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23S-4AGApplied MotionStepper Motors NEMA 23, SCL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23S-4RGApplied MotionStepper Motors NEMA 23, SCL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23X2G-DApplied MotionStepper Motors NEMA 23, Ethernet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23X2G-IPApplied MotionStepper Motors NEMA 23 Integrated StepSERVO Motor w/ Dual-port EtherNet/IP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23X3B-IPApplied MotionStepper Motors NEMA 23 StepSERVO Integrated Motor with TruCount Encoder , Ethernet
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23X3B-PNApplied MotionStepper Motors NEMA 23, multi-turn abs, PROFINET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23X3B-RApplied MotionStepper Motors NEMA 23 StepSERVO Integrated Motor with TruCount Encoder , RS-485
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23X3G-DApplied MotionStepper Motors NEMA 23, Ethernet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23X3G-IPApplied MotionStepper Motors NEMA 23, EtherNet/IP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23X4G-DApplied MotionStepper Motors NEMA 23, Ethernet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23X4G-IPApplied MotionStepper Motors NEMA 23, EtherNet/IP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2405S
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM240N03CXTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 30V, 6.5A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM240N03CXTaiwan SemiconductorMOSFETs 30V, 6.5A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM240N03CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM240N03CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.58 грн
14+30.53 грн
25+21.30 грн
100+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM240N03CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM240N03CX RFGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 34mOhm; 6,5A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; TSM240N03CX RFG TSM240N03CX TTSM240n03cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM240N03CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 8262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.33 грн
12+25.51 грн
100+16.31 грн
500+11.56 грн
1000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM240N03CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM240N03CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM240N03CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.76 грн
6000+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM240N03CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM240N03CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 30V, 6.5A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 15615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM240N03CX RFG-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 6.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.61 грн
1000+2.46 грн
3000+2.29 грн
6000+2.11 грн
15000+2.04 грн
30000+1.96 грн
75000+1.81 грн
150000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM240N03CX6Taiwan SemiconductorMOSFET 30V, 6.5A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM240N03CX6Taiwan Semiconductor CorporationDescription: 30V, 6.5A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 220 227  Наступна Сторінка >> ]