Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 220 228  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TSM230N06CI C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 50A ITO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CPTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 50A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CPTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 34A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
на замовлення 28534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.04 грн
10+47.53 грн
100+31.25 грн
500+22.76 грн
1000+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CP ROGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 3148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 34A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.31 грн
5000+18.05 грн
7500+17.28 грн
12500+15.41 грн
17500+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CP ROGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 28mOhm; 50A; 53W; -55°C ~ 150°C; TSM230N06CP ROG TSM230N06CP TTSM230n06cp
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CZ C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 60V, 38A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06PQ56Taiwan SemiconductorMOSFET 60V, 44A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06PQ56 RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.92 грн
5000+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06PQ56 RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 44A 8-Pin PDFN EP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06PQ56 RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 44A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06PQ56 RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.01 грн
10+71.34 грн
100+47.69 грн
500+35.23 грн
1000+32.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06PQ56 RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 44A 8-Pin PDFN EP
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2310CX
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2310CX RFTaiwan SemiconductorMOSFET 20V N channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2311CX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2311CXTaiwan SemiconductorMOSFET 20V P channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2311CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 6 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2311CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2311CX RFG-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -4A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.54 грн
3000+3.10 грн
6000+3.00 грн
15000+2.72 грн
30000+2.62 грн
75000+2.38 грн
150000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2311CX-01 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2311CXRF
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CXTaiwan SemiconductorMOSFET 20V N channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CX RFTaiwan SemiconductorMOSFET 20V N Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; 480mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.54 грн
11+41.37 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CX RFGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2312CX RFG TTSM2312cx
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 20V, 4.9A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 152875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.79 грн
10+35.97 грн
100+24.68 грн
500+18.34 грн
1000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CX RFG-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 4.9A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.54 грн
3000+3.11 грн
6000+3.00 грн
15000+2.72 грн
30000+2.63 грн
75000+2.39 грн
150000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2313CXTaiwan SemiconductorMOSFET 20V P channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2313CX
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CXTaiwan SemiconductorMOSFET 20V N channel MOSFET
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2314CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 14611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.57 грн
50+52.56 грн
100+47.33 грн
500+39.03 грн
1500+32.99 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 20V, 4.9A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.00 грн
6000+13.29 грн
9000+12.70 грн
15000+11.30 грн
21000+10.93 грн
30000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2314CX RFG TTSM2314cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; 800mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 4.9A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+60.72 грн
11+38.31 грн
50+27.03 грн
100+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2314CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 14611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.33 грн
500+39.03 грн
1500+32.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
на замовлення 32378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.99 грн
10+37.09 грн
100+24.12 грн
500+17.39 грн
1000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFG-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 4.9A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.54 грн
3000+3.11 грн
6000+3.00 грн
15000+2.72 грн
30000+2.63 грн
75000+2.39 грн
150000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CXRF
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2318CXTaiwan SemiconductorMOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2318CX
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2318CXTaiwan SemiconductorMOSFET 40V N channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2318CX RFTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V N channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2318CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2318CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+12.22 грн
94+8.11 грн
95+8.02 грн
139+5.26 грн
250+4.82 грн
500+3.64 грн
1000+3.29 грн
3000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2318CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2591+5.46 грн
2618+5.40 грн
3334+4.24 грн
3686+3.70 грн
4717+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 2591 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2318CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
на замовлення 142784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.12 грн
10+37.68 грн
100+25.89 грн
500+19.27 грн
1000+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2318CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 36000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2318CX RFGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.N-MOSFET 40V 3.9A 1.25W 45mΩ TSM2318CX Taiwan Semi TTSM2318cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2318CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 3.9A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CXTaiwan SemiconductorMOSFET 20V P channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFTaiwan SemiconductorMOSFET 20V P Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFG
Код товару: 186937
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 800mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.7A
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 39mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+77.68 грн
8+56.55 грн
50+35.57 грн
100+31.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+24.61 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2323CX RFG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 5610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.15 грн
50+85.99 грн
100+75.62 грн
500+58.50 грн
1500+49.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.19 грн
6000+17.98 грн
9000+17.24 грн
15000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2323CX RFG TTSM2323cx
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs -20V, -4.7A, Single P-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2323CX RFG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.00 грн
500+47.01 грн
1500+40.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 66151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.82 грн
10+48.20 грн
100+31.72 грн
500+23.11 грн
1000+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2328CXTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 1.5A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2328CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2328CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 25 V
на замовлення 26640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.65 грн
11+27.39 грн
100+26.47 грн
500+23.55 грн
1000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2328CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2328CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 25 V
на замовлення 23500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.30 грн
6000+19.35 грн
9000+19.06 грн
15000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2328CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2328CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 1.5A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 16611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23C-2CGApplied MotionStepper Motors NEMA23 142oz-in 12-70VDC Intgrd Stpr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23C-3CGApplied MotionStepper Motors NEMA23 212oz-in 12-70VDC Intgrd Stpr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23C-4CGApplied MotionStepper Motors NEMA23 340oz-in 12-70VDC Intgrd Stpr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23P-2AGApplied MotionStepper Motors NEMA23 RS232 142ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23P-3AGApplied MotionStepper Motors NEMA23 RS232 212ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23P-4AGApplied MotionStepper Motors NEMA23 RS232 340ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23Q-2AGApplied MotionStepper Motors NEMA23 RS232 142ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23Q-2RGApplied MotionStepper Motors NEMA23 RS485 142ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23Q-3AGApplied MotionStepper Motors NEMA23 RS232 212ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23Q-3RGApplied MotionStepper Motors NEMA23 RS485 212ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23Q-4AGApplied MotionStepper Motors NEMA23 RS232 340ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23Q-4RGApplied MotionStepper Motors NEMA 23 Integrated StepSERVO Motor w/ Q Programming & Modbus/RTU
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23S-2AGApplied MotionStepper Motors NEMA 23 Integrated StepSERVO Motor w/ Streaming Command support
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23S-2RGApplied MotionStepper Motors NEMA 23, SCL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23S-3AGApplied MotionStepper Motors NEMA 23, SCL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23S-3RGApplied MotionStepper Motors NEMA 23, SCL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23S-4AGApplied MotionStepper Motors NEMA 23, SCL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23S-4RGApplied MotionStepper Motors NEMA 23, SCL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23X2G-DApplied MotionStepper Motors NEMA 23, Ethernet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM23X2G-IPApplied MotionStepper Motors NEMA 23 Integrated StepSERVO Motor w/ Dual-port EtherNet/IP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 220 228  Наступна Сторінка >> ]