Продукція > TSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TSM2N7002AKCX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 0.3A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002AKCX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.82 грн
6000+1.68 грн
9000+1.58 грн
15000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002AKCX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9375+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 9375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002AKCX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 0.3A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 6222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002AKCX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 134mA; 71mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 134mA
Power dissipation: 71mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.65nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002AKCX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 0.3A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V
на замовлення 3414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
36+8.53 грн
100+5.28 грн
500+3.62 грн
1000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002AKDCU6Taiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 0.22A, DUAL N-CHANNEL POWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002AKDCU6Taiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 6-Pin SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002AKDCU6 RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 0.22A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 3904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002AKDCU6 RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 220mA; 240mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.24W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002AKDCU6 RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002AKDCU6 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 240mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 220mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 8693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
21+14.94 грн
100+9.38 грн
500+6.53 грн
1000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002AKDCU6 RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002AKDCU6 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 240mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 220mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.37 грн
6000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002AKDCU6 RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002ECU
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002KCUTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 0.24A, SINGLE N-CHANNEL POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002KCUTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 0.24A, SINGLE N-CHANNEL POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002KCU RFGTaiwan SemiconductorMOSFET 60V, 0.24A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002KCXTaiwan SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 300 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 30 @ 25, Rds = 2 Ом @ 100 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002KCXTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002KCXTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 0.3A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002KCXTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V 0.2Amp N channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002KCX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 201000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002KCX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002KCX RFGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2N7002KCX RF TSM2N7002KCX RFG TTSM2n7002kcx
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002KCX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 201000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002KCX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 134mA; 71mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 134mA
Power dissipation: 71mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 910pC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002KCX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 201000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002KCX RFGTaiwan SemiconductorMOSFET 60V, 0.3A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002KDCU6Taiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 0.22A, DUAL N-CHANNEL POWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002KDCU6Taiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 0.22A, DUAL N-CHANNEL POWER
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002KDCU6 RFGTaiwan SemiconductorMOSFET 60V, 0.22A, Dual N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002KDCU6 RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N70CPTaiwan SemiconductorMOSFET 700V 0,8Amp N-Ch Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2NB60CHTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2NB60CHTaiwan SemiconductorMOSFET 600V 2Amp N channel Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2NB60CH C5GTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2NB60CH C5GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 249 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
75+28.52 грн
150+25.75 грн
525+20.38 грн
1050+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2NB60CH C5GTaiwan SemiconductorMOSFETs 600V, 2A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2NB60CPTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2NB60CP ROGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R TSM2NB60CP ROG TTSM2nb60cp
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2NB60CP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+12.02 грн
64+11.90 грн
65+11.25 грн
100+10.31 грн
250+9.80 грн
500+9.70 грн
1000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2NB60CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 249 pF @ 25 V
на замовлення 4922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+48.91 грн
100+33.87 грн
500+25.42 грн
1000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2NB60CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 249 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2NB60CP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2NB60CP ROGTaiwan SemiconductorMOSFETs 600V, 2A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2NB65CH C5GTaiwan SemiconductorMOSFET 650V, 2A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2NB65CP ROGTaiwan SemiconductorMOSFET 650V, 2A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2X446M035CH641CH493KEMETDescription: 44.0UF 35.0V
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2X667M010CH6410H493KEMETDescription: CAP TANT SMD STACK LOW ESR
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2X667M010CH641CH493KEMETDescription: 660.UF 10.0V
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM300NB06CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 30 V
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.00 грн
10+100.16 грн
100+78.09 грн
500+60.54 грн
1000+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM300NB06CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 60V 27A 30mOhm N-Chan Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM300NB06CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM300NB06DCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM300NB06DCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 6A; 8W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
Power dissipation: 8W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM300NB06DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 7488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.81 грн
10+57.97 грн
100+40.55 грн
500+32.44 грн
1000+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM300NB06DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.21 грн
5000+25.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM300NB06LCV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 962 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.40 грн
10000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM300NB06LCV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 962 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 39W (Tc)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.41 грн
10+40.15 грн
100+26.18 грн
500+18.93 грн
1000+17.11 грн
2000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM300NB06LCV RGGTaiwan SemiconductorMOSFET 60V, 24A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM300NB06LDCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5A/24A 8PDFNU
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 966pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.19 грн
5000+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM300NB06LDCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 24A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM300NB06LDCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5A/24A 8PDFNU
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 966pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.25 грн
10+59.40 грн
100+46.21 грн
500+36.76 грн
1000+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM301K12CQ RFTaiwan SemiconductorMOSFET 20V P Channel Mosfet with schottky diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM301K12CQ RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 500mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TDFN (2x2)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5.2 pF @ 6 V
на замовлення 4775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.44 грн
10+51.93 грн
100+34.30 грн
500+25.08 грн
1000+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM301K12CQ RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A 6TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 500mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TDFN (2x2)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5.2 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM301K12CQ RFGTaiwan SemiconductorMOSFET -20V, -4.5A, Single P-Channel Integrated Schottky Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM32-H00HU10RT-37.400MTransko Electronics, Inc.Description: XTAL OSC XO 37.4000MHZ HCMOS SMD
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Frequency Stability: ±100ppm
Voltage - Supply: 1V
Current - Supply (Max): 30mA
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Frequency: 37.4 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+391.91 грн
50+339.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM32-H25CQ18ST-80.000MTransko Electronics, Inc.Description: XTAL OSC XO 80.0000MHZ HCMOS SMD
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM32-H25CQ18ST-80.000M-TRTransko Electronics, Inc.Description: XTAL OSC XO 80.0000MHZ HCMOS SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM32-H25HM33ST-45.158MTransko Electronics, Inc.Description: 45.158MHZ XTAL OSC CERAMIC SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM32-H25HM33ST-45.158M-TRTransko Electronics, Inc.Description: 45.158MHZ XTAL OSC CERAMIC SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM32-H50CQ18ST-125.000MTransko Electronics, Inc.Description: XTAL OSC XO 125.0000MHZ HCMOS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM32-H50CQ18ST-125.000M-TRTransko Electronics, Inc.Description: XTAL OSC XO 125.0000MHZ HCMOS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM32-H50CQ18ST-28.63636MTransko Electronics, Inc.Description: XTAL OSC XO 28.63636MHZ HCMOS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM32-H50CQ18ST-28.63636M-TRTransko Electronics, Inc.Description: XTAL OSC XO 28.63636MHZ HCMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 30mA
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Frequency: 28.63636 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+109.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM32-H50CQ33RT-11.000MTransko Electronics, Inc.Description: XTAL OSC XO 11.0000MHZ HCMOS SMD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM32-H50CQ33RT-14.7456MTransko Electronics, Inc.Description: XTAL OSC XO 14.7456MHZ HCMOS SMD
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM32-H50CQ33RT-14.7456M-TRTransko Electronics, Inc.Description: XTAL OSC XO 14.7456MHZ HCMOS SMD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM32-H50CQ33ST-18.432MTransko Electronics, Inc.Description: XTAL OSC XO 18.4320MHZ HCMOS SMD
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 30mA
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Frequency: 18.432 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+391.91 грн
50+339.65 грн
100+150.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM32-H50CQ33ST-4.9152MTransko Electronics, Inc.Description: XTAL OSC XO 4.9152MHZ HCMOS SMD
Base Resonator: Crystal
Frequency: 4.9152 MHz
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Current - Supply (Max): 30mA
Voltage - Supply: 3.3V
Frequency Stability: ±50ppm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: XO (Standard)
Function: Enable/Disable
Output: HCMOS
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Strip
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM32-H50CQ33ST-4.9152M-TRTransko Electronics, Inc.Description: XTAL OSC XO 4.9152MHZ HCMOS SMD
Base Resonator: Crystal
Frequency: 4.9152 MHz
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Current - Supply (Max): 30mA
Voltage - Supply: 3.3V
Frequency Stability: ±50ppm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: XO (Standard)
Function: Enable/Disable
Output: HCMOS
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM32-H50CQ33ST-48.000MTransko Electronics, Inc.Description: XTAL OSC XO 48.0000MHZ HCMOS SMD
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM32-H50CQ33ST-50.000MTransko Electronics, Inc.Description: XTAL OSC XO 50.0000MHZ HCMOS SMD
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM32-H50CQ33ST-50.000M
Код товару: 180854
Додати до обраних Обраний товар
Кварцові резонатори, генератори, фільтри і т.п. > Резонатори і генератори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM32-H50CQ33ST-50.000M-TRTransko Electronics, Inc.Description: XTAL OSC XO 50.0000MHZ HCMOS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 30mA
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+109.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM32-H50GM18ST-33.333MTransko Electronics, Inc.Description: 33.333MHZ XTAL OSC CERAMIC SMD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM32-H50GM18ST-33.333M-TRTransko Electronics, Inc.Description: 33.333MHZ XTAL OSC CERAMIC SMD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM32-H50GM33ST-24.576MTransko Electronics, Inc.Description: XTAL OSC XO 24.5760MHZ HCMOS SMD
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM32-H50HM18ST-30.000MTransko Electronics, Inc.Description: XTAL OSC XO 30.0000MHZ HCMOS SMD
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 30mA
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Frequency: 30 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+391.91 грн
50+339.65 грн
100+150.96 грн
250+131.04 грн
500+116.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM32-H50HM33ST-2.048MTransko Electronics, Inc.Description: XTAL OSC XO 2.0480MHZ HCMOS SMD
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 30mA
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Frequency: 2.048 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+391.91 грн
50+339.65 грн
100+150.96 грн
250+131.04 грн
500+116.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM320N03CXTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 30V, 5.5A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 792 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM320N03CXTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM320N03CXTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 40mOhm; 5,5A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; TSM320N03CX RFG TSM320N03CX TTSM320n03cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM320N03CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM320N03CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM320N03CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 30V, 5.5A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 8061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM320N03CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]