Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 IPP60R190P6XKSA1 TIPP60r190p6 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon | IPP60R190P6XKSA1 N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V | на замовлення 10115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 Код товару: 155590
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | на замовлення 7636 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R190P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 151W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm | на замовлення 496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 361 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 86000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R199CP | Infineon Technologies | Description: IPP60R199 - 600V COOLMOS N-CHANN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 151 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R199CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP | на замовлення 364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R199CPXKSA1 Код товару: 116583
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R199CPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 139W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm | на замовлення 1493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R199CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 139W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.199Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V | на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP | на замовлення 342 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R1K4C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 3.2A TO220-3 | на замовлення 409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R1K4C6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R1K4C6XKSA1 - IPP60R1K4 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 12218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 802 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R1K4C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 8998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R1K4C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 3.2A TO220-3 | на замовлення 330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R1K4C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R1K4C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 8871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R210CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R210CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 64W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm | на замовлення 428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R230P6 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R230P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 16.8A TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 530µA Power Dissipation (Max): 126W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 6.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R230P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R250CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 12A TO220-3 CoolMOS CP | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R250CPXK | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 12A TO220-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V | на замовлення 903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R280C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO220-3 CoolMOS C6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R280C6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R280C6XKSA1 - IPP60R280 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 215 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO220-3 CoolMOS C6 | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R280C6XKSA1 | Infineon | IPP60R280C6XKSA1 IPP60R280C6 MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R280CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R280CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R280CFD7XKSA1 | Infineon | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP60R280CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 6500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R280CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 807 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R280CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R280CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R280CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R280CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R280CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R280CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.237 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.237ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R280CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 437 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R280CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R280E6 | Infineon Technologies | Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R280E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 13.8A TO220-3 CoolMOS E6 | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V | на замовлення 2027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R280E6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R280E6XKSA1 - IPP60R280 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 195 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R280P6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R280P6 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R280P6 | Infineon | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP60R280P6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R280P6XKSA1 - IPP60R280 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 24466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 239 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R280P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.8A Power dissipation: 104W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 22466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO220-3 | на замовлення 422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

