Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF3711STRL | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711STRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711STRLHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711STRLPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 29nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711STRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711STRR | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711STRRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711STRRPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 29nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711STRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711Z Код товару: 99471
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 20 V Idd,A: 65 A Rds(on), Ohm: 6,0 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 2150/16 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| IRF3711Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A TO220AB Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711ZCL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A TO262 Packaging: Tube Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711ZCLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711ZCS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711ZCS | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711ZCSHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711ZCSTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711ZCSTRLHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711ZCSTRLP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711ZCSTRLPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711ZCSTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711ZCSTRRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711ZCSTRRP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711ZCSTRRPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711ZL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711ZLPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 16nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711ZLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A TO262 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A TO220AB Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 20V 92A 6mOhm 16nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711ZS | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711ZS Код товару: 99472
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 20 V Idd,A: 65 A Rds(on), Ohm: 6,0 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 2150/16 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| IRF3711ZS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711ZSPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 5.3nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711ZSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711ZSTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711ZSTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3711ZSTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) FET Type: N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3717 | IOR | 09+ | на замовлення 1591 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3717 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 285 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3717 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3717HR | Infineon Technologies | Description: IRF3717HR | на замовлення 463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3717HR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3717HR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF3717PBF | Infineon Technologies | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4.4mOhms 22nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3717PBF Код товару: 26533
1
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 20 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 0,0044 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2890/22 Монтаж: SMD | у наявності: 12 шт
|
| ||||||||||||
| IRF3717PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF3717PBF - IRF3717 - N CHANNEL MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 49 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3717PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) FET Type: N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3717TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3717TR | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3717TRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3717TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3717TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3717TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3717TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 20V 20A 4.4mOhm 22nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3717TRPBF-1 | Infineon / IR | Infineon SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3717TRPBF-1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3803S | IR | 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3805 | International Rectifier | N-MOSFET HEXFET 55V 75A 300W 0,0033? IRF3805 TIRF3805 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF3805 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3805 | International Rectifier | N-MOSFET HEXFET 55V 75A 300W 0,0033? IRF3805 TIRF3805 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF3805L-7PPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 55V 240A 2.6mOhm 130nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3805L-7PPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 140A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3805LPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 55V 220A 3.3mOhm 190nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3805LPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3805PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF3805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF3805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 25870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF3805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF3805PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 220A 3.3mOhm 190nC | на замовлення 2034 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF3805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF3805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF3805PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF3805PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 220A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 0.19µC | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF3805PBF | International Rectifier | TO-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 25865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF3805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 7385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF3805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF3805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 16065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF3805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF3805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF3805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF3805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3805S | VBsemi | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; IRF3805S TIRF3805s кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF3805S | VBsemi | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; IRF3805S TIRF3805s кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF3805S | VBsemi | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; IRF3805S TIRF3805s кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF3805S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3805S | IR | 05+ BGA | на замовлення 82 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3805S-7P Код товару: 49413
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF3805S-7PPBF | Infineon Technologies | IRF3805S-7PPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 55V 240A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube - Arrow.com | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF3805S-7PPBF | International Rectifier | D2PAK-7 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3805S-7PPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 140A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3805S-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 2.6mOhms 49nC | на замовлення 5718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3805SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3805SPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH 3.3mOhm HEXFET 75A ID | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3805SPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3805SPBF | Amphenol | Circular MIL Spec Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3805STRL-7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRF3805STRL-7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 240 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF3805STRL-7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 240A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF3805STRL-7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 140A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |