Продукція > NTM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS5C460NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 21A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C460NLT1G Код товару: 218394
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTMFS5C460NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V | на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C460NLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS5C460NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (17-Jan-2022) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm | на замовлення 1631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C460NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 21A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C460NLT1G | onsemi | MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8 | на замовлення 734 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C460NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C460NLT3G | onsemi | MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C460NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C460NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 21A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C460NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C468NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C468NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 3495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C468NLT1G | ON Semiconductor | на замовлення 1380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTMFS5C468NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C468NLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS5C468NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 37 A, 0.0086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C468NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 31500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C468NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C468NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C468NLT1G | onsemi | MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8 | на замовлення 19997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C468NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C468NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 3495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C468NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V | на замовлення 23702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C468NLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS5C468NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 37 A, 0.0086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C468NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 328500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C468NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8 | на замовлення 31736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C468NLT3G | ON Semiconductor | MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C468NLT3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V SO8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C604NL | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 60V 289A 1.2MO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C604NL Код товару: 177570
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTMFS5C604NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C604NLT1G | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 60V 289A 1.2MO | на замовлення 9345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C604NLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS5C604NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 276 A, 930 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 276A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C604NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C604NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 38A 5DFN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) | на замовлення 3222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C604NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C604NLT1G | On Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 38A 5DFN Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C604NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C604NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 38A 5DFN Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta) FET Type: N-Channel | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C604NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C604NLT1G-UIL3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 287A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C604NLT1G-UIL3 | ON Semiconductor | MOSFET-Power Single N-channel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C604NLT1G-UIL3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 287A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C604NLT1G-UIL3 | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 60V 289A 1.2MO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C604NLT3G | ONN | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTMFS5C604NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 287A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C604NLT3G | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 60V 289A 1.2MO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C604NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C604NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 287A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V | на замовлення 3959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C604NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 38A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C604NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 38A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C609NL | onsemi | MOSFET TRENCHFET 60V N-CH TRENCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C609NLT1G | onsemi | MOSFET TRENCHFET 60V N-CH TRENCH 6 HEFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C612NL | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 60V 219A 1.5MO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C612NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 13244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C612NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 36A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C612NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C612NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 36A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C612NLT1G | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 60V 219A 1.8MO | на замовлення 9229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C612NLT1G | ONN | на замовлення 10500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTMFS5C612NLT1G-UIL5 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V | на замовлення 1104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C612NLT1G-UIL5 | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 60V 219A 1.5MO | на замовлення 1193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C612NLT1G-UIL5 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C612NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V | на замовлення 1037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C612NLT3G | ON Semiconductor | на замовлення 340 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTMFS5C612NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 36A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C612NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C612NLT3G | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 60V 219A 1.8MO | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C612NLWFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 235A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 235A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C612NLWFT1G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 60V 235A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C612NT1G | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power Mosfet 60V, 230A, 1.6mohm | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C612NT1G | onsemi | Description: NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 230A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C612NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C612NT1G | onsemi | Description: NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 230A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C612NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C612NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS5C612NT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C612NT1G-TE | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C612NT1G-TE | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS5C612NT1G-TE - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 A, 0.0014 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 230A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C612NT1G-TE | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 35A/230A 5DFN Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 230A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V | на замовлення 1054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C612NT1G-TE | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C612NT1G-TE | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS5C612NT1G-TE - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 A, 0.0014 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 230A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C612NT1G-TE | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C612NT1G-TE | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 35A/230A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 230A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C628NL | onsemi | MOSFETs TRENCH 6 60V NFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C628NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C628NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C628NLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS5C628NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2400 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C628NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 16500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C628NLT1G Код товару: 178871
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTMFS5C628NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V | на замовлення 3792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C628NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C628NLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS5C628NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2400 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C628NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 16500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C628NLT1G | onsemi | MOSFETs TRENCH 6 60V NFET | на замовлення 267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C628NLT1G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 900A; 56W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 150A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 56W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 862 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C628NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C628NLT3G Код товару: 199154
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTMFS5C628NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C628NLT3G | onsemi | MOSFETs TRENCH 6 60V NFET | на замовлення 1303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C628NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 2517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

