Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFU3412IR
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3412PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 48A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3418PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 70A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6525 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3504PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3504ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3504ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3518
Код товару: 52680
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3518-701PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 38A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3518PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 80V 38A IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3518TRL-701IR05+
на замовлення 8485 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607International RectifierN-MOSFET 56A 75V 140W IRFU3607 TIRFU3607
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+35.63 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607Infineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607-701PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 56A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
241+58.87 грн
242+58.68 грн
246+55.59 грн
2000+51.38 грн
3000+49.25 грн
Мінімальне замовлення: 241 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 7340 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7340µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.28 грн
100+53.20 грн
500+49.32 грн
1000+45.46 грн
5000+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+75.13 грн
75+65.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 56A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.48 грн
75+46.97 грн
150+46.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBFInfineonТранзистор N-MOSFET, полевой, 75В, 80А, 140Вт; IPAK Транзистори
на замовлення 490 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
6+57.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+78.79 грн
500+75.44 грн
1000+71.25 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.71 грн
10+78.05 грн
100+61.24 грн
500+51.39 грн
1000+43.99 грн
3000+43.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+52.60 грн
273+52.08 грн
282+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBF
Код товару: 191828
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2464+37.41 грн
Мінімальне замовлення: 2464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.63 грн
75+53.10 грн
150+51.31 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607TRL701PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 75V 56A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607TRL701PInfineon / IRMOSFET MOSFET, 75V, 80A, 9 Ohm, 56 nC Qg, I-Pak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3704Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3704
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3704PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3704ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 60A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3706Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3706-701PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3706PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3706TRL-701IR06+
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3707Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 61A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3707PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 61A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3707ZIR04+
на замовлення 51600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3707ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 56A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3707ZPBF
Код товару: 103006
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3707ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 56A 9.5mOhm 9.6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3707ZPBFIR
на замовлення 18075 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3708
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3708Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 61A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3708PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 61A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3709IRDIP
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3709Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3709ZIR04+
на замовлення 42675 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3709Z-701PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3709Z-701PIR05+
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3709ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 86A 6.5mOhm 17nC
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3709ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3710ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3710Z
Код товару: 99520
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Uds,V: 100 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2930/69
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+35.00 грн
10+31.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3710Z-701Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3710Z-701HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3710Z-701PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3710Z-701PInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3710ZHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3710ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3710ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3710ZTRL701Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3711Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3711Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 100A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3711
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3711PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 100A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3711ZPBFIR07+
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3711ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 93A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3806PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 43A IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910International RectifierN-MOSFET 16A 100V 79W IRFU3910 TIRFU3910
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+31.93 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 16A I-PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.84 грн
75+45.67 грн
150+40.88 грн
525+31.95 грн
1050+29.18 грн
2025+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBF
Код товару: 77965
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251AA
Uds,V: 100 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 0,115 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 640/44
Монтаж: THT
у наявності: 15 шт
  • 5 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+22.00 грн
10+19.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
357+39.81 грн
358+39.69 грн
500+39.58 грн
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.18 грн
15+52.32 грн
100+50.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU3910PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.99 грн
100+42.69 грн
500+32.68 грн
1000+27.09 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.92 грн
150+33.28 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 15A 115mOhm 29.3nC
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.25 грн
10+45.29 грн
500+33.66 грн
1000+28.14 грн
3000+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
269+52.75 грн
276+51.42 грн
Мінімальне замовлення: 269 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3911PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 14A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4101TRL-701IR05+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4104IR04+
на замовлення 19425 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4104
Код товару: 99521
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Uds,V: 40 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 5,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2950/59
Монтаж: THT
у наявності: 2 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+33.00 грн
10+29.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4104-701PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4104PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4104PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 40V 119A 5.5mOhm 59nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 27A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 27A IPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 25A 45mOhm 22.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZInternational RectifierN-MOSFET 30A 55V 48W IRFU4105Z TIRFU4105z
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+34.76 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFU4105ZPBF - IRFU4105 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
690+36.25 грн
Мінімальне замовлення: 690 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZPBF
Код товару: 43658
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]