Продукція > TSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TSM4800N15CX6 RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 1.4A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.16 грн
6000+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4800N15CX6 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 150V 1.4A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 332 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.29 грн
6000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4800N15CX6 RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 1.4A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4800N15CX6 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 150V 1.4A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 332 pF @ 10 V
на замовлення 6411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.65 грн
10+33.29 грн
100+21.56 грн
500+15.49 грн
1000+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4800N15CX6 RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 150V, 1.4A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 12453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4800N15CX6 RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 1.4A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.16 грн
6000+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4806CSTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4806CSTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 20V, 28A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 961 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4806CS RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4806CS RLGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 28A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.3nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.13 грн
17+25.41 грн
100+19.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4806CS RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 20V, 28A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 6066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4806CS RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 28A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 961 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4806CS RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4806CS RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4806CS RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 28A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 961 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
10+31.40 грн
100+21.85 грн
500+16.01 грн
1000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM480P06CHTaiwan Semiconductor CorporationDescription: -60V, -20A, SINGLE P-CHANNEL POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251S (IPAK SL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM480P06CH X0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 20A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 30 V
на замовлення 7540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.65 грн
75+26.24 грн
150+23.67 грн
525+18.70 грн
1050+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM480P06CH X0GTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-251S Tube
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.31 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM480P06CH X0GTaiwan SemiconductorMOSFETs -60V, -20A, Single P-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM480P06CI C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 60V 20Amp P channel Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM480P06CI C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 20A ITO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: ITO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM480P06CPTaiwan Semiconductor CorporationDescription: -60V, -20A, SINGLE P-CHANNEL POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM480P06CP ROGTaiwan SemiconductorMOSFETs -60V, -20A, Single P-Channel Power MOSFET
на замовлення 7374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM480P06CP ROGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 65mOhm; 20A; 40W; -50°C ~ 150°C; TSM480P06CP ROG TSM480P06CP TTSM480p06cp
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.21 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM480P06CP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.17 грн
14+54.13 грн
25+53.66 грн
100+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM480P06CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 30 V
на замовлення 5207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.84 грн
10+42.65 грн
100+29.40 грн
500+21.98 грн
1000+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM480P06CP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM480P06CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM480P06CZ C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 20A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM480P06CZ C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 60V 20Amp P channel Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4835CS RLTaiwan SemiconductorMOSFETs 30V P Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4925DCSTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7.1A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4925DCSTaiwan SemiconductorMOSFETs Dual 30V P channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4925DCS RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7.1A 8SOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4925DCS RLGTaiwan SemiconductorMOSFET -30V, -7.1A, Dual P-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4925DCS RLGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -7.1A; 1.3W; SOP8
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: SOP8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.1A
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4925DCS RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7.1A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.90 грн
10+80.16 грн
100+54.07 грн
500+40.23 грн
1000+37.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4936DCSTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4936DCS RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4936DCS RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.92 грн
5000+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4936DCS RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4936DCS RLGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.9A; 2.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.9A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+46.06 грн
12+35.06 грн
25+31.11 грн
100+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4936DCS RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4936DCS RLGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 53mOhm; 5,9A; 3W; -55°C ~ 150°C; TSM4936DCS RLG TSM4936DCS TTSM4936dcs
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.60 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4936DCS RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4936DCS RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 26223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.44 грн
10+51.63 грн
100+34.06 грн
500+24.87 грн
1000+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4936DCS RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 30V, 5.9A, Dual N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4946DCSTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4946DCSTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 4.5A, Dual, N-Channel Low Voltage MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4946DCS RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 4.5A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4946DCS RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4946DCS RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 9637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.30 грн
10+49.66 грн
100+32.70 грн
500+23.87 грн
1000+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4946DCS RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4946DCS RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.34 грн
5000+18.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4953DCSTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4953DCSTaiwan SemiconductorMOSFET Dual 30V P channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4953DCS RLTaiwan SemiconductorMOSFET Dual 30V P Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4953DCS RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.04 грн
25+64.02 грн
100+60.75 грн
250+55.34 грн
500+52.25 грн
1000+51.39 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4953DCS RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 22299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.08 грн
10+50.19 грн
100+33.06 грн
500+24.14 грн
1000+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4953DCS RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4953DCS RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.59 грн
5000+19.21 грн
7500+18.41 грн
12500+16.42 грн
17500+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4953DCS RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs -30V, -4.9A, Dual P-Channel Power MOSFET
на замовлення 20416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4D887M010AH6410D493KEMETTantalum Capacitors - Solid SMD 10V 880uF 2917 20% ESR=125mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4D887M010AH6410D493KEMETDescription: CAP TANT 880UF 20% 10V SMD
Manufacturer Size Code: 4D
ESR (Equivalent Series Resistance): 125mOhm
Ratings: COTS
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Type: Molded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.315" L x 0.350" W (8.00mm x 8.90mm)
Package / Case: Stacked SMD, 4 J-Lead
Features: High Reliability
Tolerance: ±20%
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 10 V
Capacitance: 880 µF
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.259" (6.58mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N60ECH C5GTaiwan SemiconductorMOSFET 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N60ECH C5GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N60ECP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N60ECP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N60ECP ROGTaiwan SemiconductorMOSFET 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N70CH C5GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 700V 3.5A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1875 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N70CH C5GTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 700V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N70CH C5GTaiwan SemiconductorMOSFET 700V, 3.5A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N70CI C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 700V 3.5A ITO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ITO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N70CI C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 700V, 3.5A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N70CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 700V 3.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N70CP ROGTaiwan SemiconductorMOSFET 700V, 3.5A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N70CP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 700V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+8.12 грн
96+7.88 грн
99+7.64 грн
102+7.14 грн
106+6.40 грн
250+5.94 грн
500+5.74 грн
1000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N80CITaiwan SemiconductorMOSFET 800V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N80CI C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 800V 4A Single N-Cha nnel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N80CI C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 800V 4A ITO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ITO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N80CZ C0Taiwan SemiconductorMOSFET 800V 4A N Channel Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N80CZ C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N80CZ C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 800V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N90CI C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 900V 4A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N90CZ C0Taiwan SemiconductorMOSFET 900V 4A N Channel Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N90CZ C0GTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N90CZ C0GTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
414+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 414 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N90CZ C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 900V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4NB50CH C5GTaiwan SemiconductorMOSFET 500V N channel Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4NB50CP ROGTaiwan SemiconductorMOSFET 500V N channl Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4NB60CHTaiwan SemiconductorMOSFETs 600V, 4A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4NB60CHTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251S (I-PAK SL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4NB60CH C5Taiwan SemiconductorMOSFET 600V N channl Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4NB60CH C5GTaiwan SemiconductorMOSFETs 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4NB60CH C5GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO251
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 14316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.16 грн
75+38.73 грн
150+30.69 грн
525+24.41 грн
1050+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4NB60CH X0GTaiwan SemiconductorMOSFET 600V 4A Single N-Cha nnel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4NB60CH X0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4NB60CITaiwan SemiconductorMOSFETs 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4NB60CI C0Taiwan SemiconductorMOSFET 600V N channl Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4NB60CI C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 4A ITO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ITO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.25 грн
10+165.45 грн
100+132.99 грн
500+102.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]