Продукція > IRL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLM220ATF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 570mA, 5V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLM220ATF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 1.13A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLM220ATF | ONSEMI | Description: ONSEMI - IRLM220ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.13 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 2 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLM220ATF | On Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLM220ATF | ONSEMI | Description: ONSEMI - IRLM220ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.13 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.13 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 euEccn: NLR Verlustleistung: 2 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8 Rds(on)-Prüfspannung: 5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLM220ATF | onsemi / Fairchild | MOSFET 200V N-Channel A-FET | на замовлення 22328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLM220ATF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 1.13A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLM220ATF | ON Semiconductor | N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 1,13 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 25, Qg, нКл = 15 @ 5 В, Rds = 800 мОм @ 570 мA, 5 В, Tексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт кількість в упаковці: 4000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLM2402(1A7K) | на замовлення 71998 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IRLM2803TR | IR | 04+ SOT-363 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLM6402TR | IR | 00+ SOP23 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLM6402TR Код товару: 114364
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRLM6702TR | IR | 00+ PSOP | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0030 | GUOJINGWEI | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0030 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0030 | HOTTECH | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0030PBF-1 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0030PBF-1-ML | MOSLEADER | Description: N 30V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0030TR | JGSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 125°C Equivalent: IRLML0030TR; SP001568604; IRLML0030TR JGSEMI TIRLML0030tr JGS кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0030TR | Infineon | Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 5,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0030TR; IRLML0030; IRLML0030-GURT; IRLML0030; IRLML0030TR TIRLML0030tr кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 30000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0030TR | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0030TR | Infineon | Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 5,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0030TR; IRLML0030; IRLML0030-GURT; IRLML0030; IRLML0030TR TIRLML0030tr кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0030TR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 5,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C Equivalent: IRLML0030TR; SP001568604; IRLML0030TR UMW TIRLML0030tr UMW кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0030TR | Infineon | Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 5,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0030TR; IRLML0030; IRLML0030-GURT; IRLML0030; IRLML0030TR TIRLML0030tr кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0030TR | Infineon | Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 5,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0030TR; IRLML0030; IRLML0030-GURT; IRLML0030; IRLML0030TR TIRLML0030tr кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 4995 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0030TR-(SOT-23) | KLS | IRLML0030TR-(SOT-23) IRLML0030TRPBF MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори | на замовлення 1830 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 15 V | на замовлення 65560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF | TYS | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори | на замовлення 755 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF | UMW | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори | на замовлення 5 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | на замовлення 16219 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF Код товару: 37076
7
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, В: 30 В Струм стоку Idd, А: 5,3 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,027 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 382/2,6 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | у наявності: 12651 шт
на замовлення: 60 шт
|
| ||||||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 381833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори | на замовлення 3 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm | на замовлення 16903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 15 V | на замовлення 65748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF | HXY MOSFET | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 Транзистори | на замовлення 235 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg | на замовлення 72288 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF | TAIWAN | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 381833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,3 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 382 @ 15, Qg, нКл = 2,6 @ 4,5 В, Rds = 27 мОм @ 5,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,3 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm | на замовлення 16903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF-1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 62590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0030TRPBF-1-ML | MOSLEADER | Description: N 30V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0040 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0040 | GUOJINGWEI | IRLML0040TRPBF MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT-23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0040TR | Infineon | Tranzystor N-MOSFET; 40V; 16V; 78mOhm; 3,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0040TR; IRLML0040; IRLML0040; IRLML0040TR TIRLML0040 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2813 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0040TR | FUXINSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 12V; 52mOhm; 5A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0040TR; SP001572982; IRLML0040TR SOT23(T/R) FUXIN TIRLML0040 FUX кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0040TR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 33mOhm; 5,3A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0040TR; SP001572982; IRLML0040TR UMW TIRLML0040 UMW кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0040TR | Infineon | Tranzystor N-MOSFET; 40V; 16V; 78mOhm; 3,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0040TR; IRLML0040; IRLML0040; IRLML0040TR TIRLML0040 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2140 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0040TR | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 12V; 52mOhm; 5A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0040TR; SP001572982; IRLML0040TR HXY MOSFET TIRLML0040 HXY кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 825 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0040TR | UMW | Description: MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0040TR Код товару: 209419
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRLML0040TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальный ПТ, Id = 3.6 А, Ptot, Вт = 1.3, Vdss В = 40, Тип монт. = smd, Rds = 56 мОм @ 3.6 A, 10 В, Ciss @ Vds = 266 @ 25, Qg,нКл = 3.9, Tэксп, °C = -55...+150, Vgs(th) = 4.5 В,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 300 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 1 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0040TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 25 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0040TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML0040TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.056 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm | на замовлення 66741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0040TRPBF | TAIWAN | MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT-23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0040TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0040TRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT-23-3 Транзистори | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 22 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0040TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 25 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0040TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0040TRPBF Код товару: 38411
2
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, В: 40 В Струм стоку Idd, А: 3,6 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,056 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 266/2,6 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | у наявності: 459 шт
очікується: 3000 шт
|
| ||||||||||||||||||
| IRLML0040TRPBF | Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT-23-3 Транзистори | на замовлення 750 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0040TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0040TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML0040TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.056 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm | на замовлення 66741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0040TRPBF | TECH PUBLIC | MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT-23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0040TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0040TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 3.6A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | на замовлення 25269 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0040TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 3.6A 56mOhm 2.6nC Qg | на замовлення 39901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0040TRPBF-(sot-23) : IRLML0040-(sot-23) | --- | IRLML0040TRPBF-(sot-23) : IRLML0040-(sot-23) IRLML0040TRPBF MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT-23-3 Транзистори | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 103 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0060 Код товару: 37131
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRLML0060 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0060 | KLS | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0060TR | Infineon | Transistor N-MOSFET; 60V; 16V; 116mOhm; 2,7A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0060TR; IRLML0060TR; IRLML0060; SP001568948; IRLML0060; IRLML0060TR TIRLML0060 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 407 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0060TR | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 115mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0060TR; SP001568948; IRLML0060TR HXY MOSFET TIRLML0060 HXY кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0060TR | UMW | Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0060TR | Infineon | Transistor N-MOSFET; 60V; 16V; 116mOhm; 2,7A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0060TR; IRLML0060TR; IRLML0060; SP001568948; IRLML0060; IRLML0060TR TIRLML0060 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3340 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0060TR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 116mOhm; 2,7A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0060TR; SP001568948; IRLML0060TR UMW TIRLML0060 UMW кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0060TR(UMW) | UMW | IRLML0060TR(UMW) IRLML0060TRPBF MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 Транзистори | на замовлення 6821 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg | на замовлення 138225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0060TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 25 4,5 В, Rds = 92 мОм @ 2,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 1947 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 71 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0060TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm | на замовлення 164160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0060TRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 55499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0060TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.7A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | на замовлення 11716 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0060TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 55499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0060TRPBF Код товару: 38412
2
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Idd, А: 2,7 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,092 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 290/2,5 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | у наявності: 2 шт
очікується: 3000 шт
|
| ||||||||||||||||||
| IRLML0060TRPBF | KLS | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V | на замовлення 74584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRLML0060TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm | на замовлення 164160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |

