НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PBSS4160PAN,115NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+11.06 грн
71+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PAN,115NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1183+11.98 грн
1225+11.58 грн
3000+11.17 грн
Мінімальне замовлення: 1183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PAN,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS 2NPN 60V 1A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+30.89 грн
100+19.95 грн
500+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PAN,115NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
881+40.26 грн
1000+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 881 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PAN,115NXPDescription: NXP - PBSS4160PAN,115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2572 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PAN,115NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
659+10.27 грн
1000+9.92 грн
3000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 659 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PAN,115NexperiaBipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PAN,115NXP SemiconductorsTrans GP BJT NPN 60V 1A Automotive 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 3698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
881+40.26 грн
1000+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 881 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PAN,115NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PAN,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS 2NPN 60V 1A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PAN-QXNexperia USA Inc.Description: PBSS4160PAN-Q/SOT1118/HUSON6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PAN-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT1118/HUSON6 NPN/NPN TRANS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANP,115NexperiaTrans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
881+40.26 грн
1000+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 881 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANP,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANP,115NexperiaTrans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANP,115NexperiaTrans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANP,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANP,115NexperiaBipolar Transistors - BJT PBSS4160PANP/SOT1118/HUSON6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANP,115NexperiaTrans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANP-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT1118 60V 1A NPN/PNP BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANP-QXNexperia USA Inc.Description: PBSS4160PANP-Q/SOT1118/HUSON6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 370mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A / 340mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 100mA, 2V / 170 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz, 125MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANPSNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2017 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANPS115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 370mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz, 125MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2112+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 2112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANPS115NXPDescription: NXP - PBSS4160PANPS115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2691 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANPSXNXP SemiconductorsTrans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1113+31.85 грн
10000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 1113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANPSXNexperiaBipolar Transistors - BJT PBSS4160PANPS/SOT1118/HUSON6
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANPSXNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A DFN2020D-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 370mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA / 340mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V / 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz, 125MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANPSXNexperiaTrans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
922+38.46 грн
1000+35.48 грн
10000+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 922 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANPSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PBSS4160PANPSX - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2691 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANPSXNexperiaTrans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW Automotive 6-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANPSXNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A DFN2020D-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 370mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA / 340mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V / 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz, 125MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANPSXNexperiaTrans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW Automotive 6-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANPSXNXPDescription: NXP - PBSS4160PANPSX - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2691 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANPSXNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A DFN2020D-6
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANPSXNexperiaTrans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
922+38.46 грн
1000+35.48 грн
10000+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 922 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANS-QXNexperia USA Inc.Description: PBSS4160PANS-Q/SOT1118/HUSON6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANS-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT1118/HUSON6 NPN/NPN TRANS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANS115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2017 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANSXNexperia USA Inc.Description: TRANS 2NPN 60V 1A DFN2020D-6
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
663+32.89 грн
Мінімальне замовлення: 663 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANSXNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive 6-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2170+16.34 грн
10000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 2170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANSXNexperiaBipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT1118 60V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PBSS4160PANSX - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 510 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 70hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 175MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 510mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANSXNexperia USA Inc.Description: TRANS 2NPN 60V 1A DFN2020D-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 370mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANSXNEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 60V; 1A; DFN2020D-6,SOT1118D
Case: DFN2020D-6; SOT1118D
Collector-emitter voltage: 60V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN x2
Kind of package: reel; tape
Frequency: 175MHz
Collector current: 1A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANSXNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive 6-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANSXNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive 6-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 6843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2170+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 2170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PBSS4160PANSX - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 510 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 70hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 175MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 510mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QA-QZNexperia USA Inc.Description: PBSS4160QA-Q/SOT1215/DFN1010D-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 235mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 325 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QA-QZNexperiaBipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A NPN low VCEsat transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QA147NXPDescription: NXP - PBSS4160QA147 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QA147NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 245mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QAZNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 60V 1A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 245mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QAZNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4280+8.28 грн
10000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 4280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QAZNXP SemiconductorsTrans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2195+16.15 грн
10000+14.40 грн
100000+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PBSS4160QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 85hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325mW
Bauform - Transistor: DFN1010D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QAZNXP SemiconductorsTrans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2195+16.15 грн
10000+14.40 грн
100000+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QAZNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QAZNexperiaBipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT1215 60V
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QAZNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 60V 1A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 245mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.61 грн
13+23.11 грн
50+16.69 грн
100+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QAZNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PBSS4160QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 85hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325mW
Bauform - Transistor: DFN1010D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QAZNXP SemiconductorsTrans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2195+16.15 грн
10000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160TNexperiaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160TNXPTRANS NPN 60V 1A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160TNXP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160T,215NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160T,215Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 60V 1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 400 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160T,215NEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 220MHz
Current gain: 100...400
на замовлення 11995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.00 грн
40+10.39 грн
100+7.06 грн
500+5.57 грн
1000+4.99 грн
3000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160T,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - PBSS4160T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 270 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160T,215NexperiaBipolar Transistors - BJT PBSS4160T/SOT23/TO-236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160T,215Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 60V 1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 400 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160T,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - PBSS4160T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 270 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160T-QRNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.43 грн
10000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160T-QRNexperiaBipolar Transistors - BJT PBSS4160T-Q/SOT23/TO-236AB
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160T-QRNexperia USA Inc.Description: PBSS4160T-Q/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 270 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160T-QRNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160T-QRNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.43 грн
10000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160T-QVLNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160T-QVLNexperiaBipolar Transistors - BJT PBSS4160T-Q/SOT23/TO-236AB
на замовлення 7167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160T-QVLNexperia USA Inc.Description: PBSS4160T-Q/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 270 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160TVLNXP SemiconductorsTrans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160TVLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PBSS4160TVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 900 mA, 270 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 270mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 900mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160TVLNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 60V 1A TO-236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 400 mW
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2578+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 2578 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160TVLNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8427+4.21 грн
10000+3.74 грн
100000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 8427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160TVLNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8427+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 8427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160TVLNexperiaBipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160TVLNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 60V 1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 400 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160TVLNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160TVLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PBSS4160TVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 900 mA, 270 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 270mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 900mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160TVLNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8427+4.21 грн
10000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 8427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160UPHILIPSSOT323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160U,115NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 415mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160U,115NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 415mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160U,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PBSS4160U,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 250 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160U,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 60V 0.75A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 415 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 10740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
20+15.41 грн
100+9.68 грн
500+6.74 грн
1000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160U,115NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 415mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
648+21.89 грн
1026+13.82 грн
1382+10.26 грн
1557+8.78 грн
3000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 648 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160U,115NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 415mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+21.60 грн
1041+13.63 грн
1401+10.12 грн
1578+8.67 грн
3000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160U,115NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 415mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+15.85 грн
78+9.72 грн
79+9.63 грн
124+5.91 грн
250+5.43 грн
500+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160U,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 60V 0.75A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 415 mW
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160U,115NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 415mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
962+14.74 грн
1364+10.40 грн
2000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 962 шт
В кошику  од. на суму  грн.