Продукція > PBS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PBSS4160PAN,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2NPN 60V 1A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160PAN,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160PAN,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160PAN,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 60V 1A Automotive 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160PAN,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160PAN,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2NPN 60V 1A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160PAN,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160PAN-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS4160PAN-Q/SOT1118/HUSON6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160PAN-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT1118/HUSON6 NPN/NPN TRANS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160PANP,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160PANP,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS4160PANP/SOT1118/HUSON6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160PANP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160PANP,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160PANP,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160PANP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160PANP,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160PANP-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT1118 60V 1A NPN/PNP BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160PANP-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS4160PANP-Q/SOT1118/HUSON6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN, PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 370mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A / 340mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 100mA, 2V / 170 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz, 125MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160PANPS | Nexperia USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2017 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160PANPS115 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: DFN2020D-6 Frequency - Transition: 175MHz, 125MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 1A Power - Max: 370mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN, PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Bulk | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160PANPS115 | NXP | Description: NXP - PBSS4160PANPS115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160PANPSX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4160PANPSX - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160PANPSX | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW Automotive 6-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160PANPSX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A DFN2020D-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 370mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA / 340mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V / 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz, 125MHz Supplier Device Package: DFN2020D-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160PANPSX | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW Automotive 6-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160PANPSX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS4160PANPS/SOT1118/HUSON6 | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160PANPSX | NXP | Description: NXP - PBSS4160PANPSX - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160PANPSX | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160PANPSX | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160PANPSX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A DFN2020D-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 370mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA / 340mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V / 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz, 125MHz Supplier Device Package: DFN2020D-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160PANPSX | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160PANS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS4160PANS-Q/SOT1118/HUSON6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160PANS-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT1118/HUSON6 NPN/NPN TRANS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160PANS115 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2017 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160PANSX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2NPN 60V 1A DFN2020D-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 370mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: DFN2020D-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160PANSX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4160PANSX - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 510 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 70hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 175MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1118 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 510mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160PANSX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive 6-Pin DFN-D EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160PANSX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive 6-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 6843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160PANSX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT1118 60V | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160PANSX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4160PANSX - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 510 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 70hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 175MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1118 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 510mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160PANSX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2NPN 60V 1A DFN2020D-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: DFN2020D-6 Part Status: Active Frequency - Transition: 175MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 1A Power - Max: 370mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160PANSX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive 6-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160PANSX | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 60V; 1A; DFN2020D-6,SOT1118D Mounting: SMD Collector current: 1A Collector-emitter voltage: 60V Frequency: 175MHz Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Case: DFN2020D-6; SOT1118D Type of transistor: NPN x2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160QA-QZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A NPN low VCEsat transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160QA-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS4160QA-Q/SOT1215/DFN1010D- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 235mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 325 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160QA147 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 245mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160QA147 | NXP | Description: NXP - PBSS4160QA147 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 290000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160QAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 60V 1A DFN1010D-3 Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1010D-3 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 245mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160QAZ | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160QAZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4160QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 85hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 325mW Bauform - Transistor: DFN1010D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160QAZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160QAZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160QAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 60V 1A DFN1010D-3 Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1010D-3 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 245mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160QAZ | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160QAZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4160QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 85hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 325mW Bauform - Transistor: DFN1010D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160QAZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160QAZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT1215 60V | на замовлення 2393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160QAZ | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160T | NXP | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| PBSS4160T | NXP | TRANS NPN 60V 1A SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1491000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160T,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 60V 1A TO-236AB Power - Max: 400 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160T,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4160T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 270 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160T,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT23 60V 1A NPN BISS TRAN | на замовлення 24733 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160T,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Collector current: 1A Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 100...400 Frequency: 220MHz Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: bipolar Case: SOT23; TO236AB Type of transistor: NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160T,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 60V 1A TO-236AB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V Power - Max: 400 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 220MHz Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160T,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4160T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 270 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1491000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160T-QR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160T-QR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160T-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS4160T-Q/SOT23/TO-236AB Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 270 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160T-QR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT23 60V 1A NPN BIS S TRAN | на замовлення 6258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160T-QR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160T-QVL | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160T-QVL | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS4160T-Q/SOT23/TO-236AB Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 270 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160T-QVL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT23 60V 1A NPN BISS TRAN | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160TVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 60V 1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 400 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160TVL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160TVL | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160TVL | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160TVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4160TVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 900 mA, 270 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 270mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 900mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 63 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160TVL | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160TVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 60V 1A TO-236AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 400 mW | на замовлення 49000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160TVL | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160TVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4160TVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 900 mA, 270 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 270mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 900mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160TVL | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160U | PHILIPS | SOT323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160U,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4160U,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 250 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 6540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160U,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 415mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160U,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 60V 0.75A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 415 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4160U,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 415mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160U,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 415mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160U,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4160U,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 250 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 6540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS4160U,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 415mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

