Продукція > STB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STB6NK90ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+134.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.20 грн
10+189.98 грн
50+147.53 грн
100+125.64 грн
500+106.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+314.27 грн
59+241.01 грн
60+237.33 грн
100+165.39 грн
250+134.87 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4STTransistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2Ohm; 5,8A; 140W; -55°C ~ 150°C; STB6NK90ZT4 TSTB6NK90zt4
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+76.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB6NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.9 A, 2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 140W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 4377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+74.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+74.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+106.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+73.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 900 Volt 5.8 A Zener SuperMESH
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.27 грн
10+241.01 грн
25+237.33 грн
100+165.39 грн
250+134.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+245.66 грн
10+156.83 грн
20+138.38 грн
50+116.57 грн
100+103.15 грн
200+91.41 грн
500+80.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+73.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+134.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7001ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7002ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7003ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
stb70n10f4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
stb70n10f4ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB70NF02LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB70NF03
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB70NF03LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB70NF03L-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 70A I2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB70NF03L-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB70NF03LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB70NF03LT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 70 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB70NF03LT4XXXSTMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB70NF3ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB70NF3LLSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB70NF3LL-1
на замовлення 319 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB70NF3LLT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30 Volt 70 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB70NF3LLT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB70NF3LLT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB70NF3LLX40
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB70NFS-03LT4
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB70NFS03LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB70NFS03LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB70NH03LT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30 Volt 60 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB70NH03LT4STM(TO-263) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB70NH03LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 858W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7100ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7101ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7101TRST04+ SOT23-6
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7102STTO-263/D2-PAK
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7102FTR
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7102TRSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7103STTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7104STTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7109ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB75N06HDT4onsemiDescription: NFET D2PAK SPCL 60V TR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 16595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+137.07 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75N20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75N20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NE75ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+273.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+303.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+397.95 грн
38+380.85 грн
50+366.34 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF20STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB75NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 37 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+283.05 грн
4+207.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3260 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+229.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF20STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 75A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 75A
Case: D2PAK
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+206.69 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+207.44 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+364.90 грн
50+301.73 грн
200+290.41 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF20STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB75NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 37 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF20STMicroelectronicsMOSFETs Low charge STripFET
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+243.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3260 pF @ 25 V
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+585.51 грн
10+381.85 грн
50+304.12 грн
100+261.94 грн
500+239.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75L-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.12 грн
10+135.41 грн
50+103.83 грн
100+87.88 грн
500+71.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+146.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 75 Volt 75 Amp
на замовлення 1421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+102.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB75NF75LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 37.5 A, 0.011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+95.25 грн
2000+92.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4
Код товару: 62438
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+39.00 грн
10+31.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+55.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB75NF75LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 37.5 A, 0.011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 300W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+207.73 грн
10+129.15 грн
50+118.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+96.65 грн
2000+89.05 грн
5000+88.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB75NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+143.58 грн
2000+136.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+106.23 грн
2000+104.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.42 грн
10+170.43 грн
50+131.83 грн
100+112.04 грн
500+92.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+90.12 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+179.15 грн
500+161.47 грн
1000+148.51 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 75V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Gate charge: 160nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB75NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+116.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.