Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFZ20PBF
Код товару: 92339
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 50V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 15A; Idm: 60A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFZ20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 1523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 N-CH 50V 15A
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.42 грн
10+121.21 грн
50+92.41 грн
100+78.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 50V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBF.VISHAYDescription: VISHAY - IRFZ20PBF. - N CHANNEL MOSFET, 50V, 15A TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ22STMicroelectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24(MFET,N-CH,50V,15A,40W,T0-220AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24
Код товару: 40286
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,07 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 600/24
Монтаж: THT
товару немає в наявності
2+18.00 грн
10+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24LVishay / SiliconixMOSFETs Discrete Semiconductor Products
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 17A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NInternational RectifierN-MOSFET 17A 55V 45W 0.07Ω Supersedes: IRFZ24 IRFZ24N TIRFZ24
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NNXP SemiconductorsMOSFETs RAIL PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NInternational RectifierN-MOSFET 17A 55V 45W 0.07Ω Supersedes: IRFZ24 IRFZ24N TIRFZ24
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.36 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24N,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NHRInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 7093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 45W
Gate charge: 13.3nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 70mΩ
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.23 грн
18+23.96 грн
50+19.55 грн
100+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+36.70 грн
498+28.36 грн
513+27.54 грн
1000+24.94 грн
2000+21.83 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ24NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 17A 70mOhm 13.3nC
на замовлення 5535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 17 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 370 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 70 мОм @ 10 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 45 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 19461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.16 грн
10+45.48 грн
50+33.55 грн
100+27.87 грн
500+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBFINTERNATIONAL RECTIFIERMOSFET N-CH 55V 17A TO-220AB
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
8+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.40 грн
21+37.19 грн
100+28.73 грн
500+26.91 грн
1000+23.39 грн
2000+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF
Код товару: 4381
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,07 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 365/19
Монтаж: THT
у наявності: 125 шт
  • 87 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 39 шт
  • 39 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
2+15.00 грн
10+13.50 грн
100+12.20 грн
1000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.24 грн
100+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 39985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.63 грн
2000+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.63 грн
2000+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF/IRIR08+;
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NSPBFInternational RectifierD2Pak Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NSTRLPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 17A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NSTRRIOR2001
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF
Код товару: 115082
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.18 грн
10+146.66 грн
50+112.69 грн
100+95.50 грн
500+77.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+93.91 грн
159+88.91 грн
250+82.19 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Mounting: THT
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Gate charge: 25nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
на замовлення 446 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+140.39 грн
10+58.16 грн
50+51.55 грн
100+48.76 грн
250+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFZ24PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 N-CH 60V 17A
на замовлення 6395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRFZ24PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 N-CH 60V 17A
на замовлення 5352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24SVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 60V 17 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24SIRTO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 17A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.81 грн
10+145.21 грн
50+111.55 грн
100+94.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24SPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs 60V 100mOhm@10V 17A N-Ch
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24SPBFIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24SPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24STRL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24STRLPBFVishay / SiliconixMOSFETs 60V 17A 60W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 17A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24STRRPBFVishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-Channel 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24VSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ30Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ30Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ30
Код товару: 77986
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 30 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1250/26
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+62.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ30PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ30PBFVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFZ34PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ32Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34E
Код товару: 88726
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34EInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34EPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34LPBFVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NInfineon / IRMOSFETs MOSFET, 55V, 26A, 40 mOhm, 22.7 nC Qg, TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 29A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 29A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 95470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.22 грн
13+59.95 грн
100+44.63 грн
500+38.35 грн
1000+28.59 грн
4000+18.57 грн
10000+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 10, Id = 29 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 40 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 95449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+31.25 грн
Мінімальне замовлення: 452 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+116.82 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.20 грн
13+34.11 грн
50+32.17 грн
100+28.27 грн
500+22.43 грн
1000+20.99 грн
1250+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1101+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 1101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+37.78 грн
2000+29.32 грн
5000+22.10 грн
10000+20.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225  [ Наступна Сторінка >> ]