Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFZ44 | Siliconix | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRFZ44 VISHAY TIRFZ44 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44A Код товару: 123232
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFZ44A | FAIRCHILD | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFZ44E | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 48A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 350 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44E | International Rectifier | N-MOSFET 48A 60V 110W IRFZ44E TIRFZ44e кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 85 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44EL | IR | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFZ44EL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 48A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44EPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFZ44EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 58 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44EPBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44EPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 48A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44EPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 48A 23mOhm 40nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44EPBF Код товару: 66761
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFZ44ES | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44ES | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44ESPBF Код товару: 47701
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFZ44ESPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44ESPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44ESTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44ESTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFZ44ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44ESTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 13050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44ESTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 48A 23mOhm 40nC | на замовлення 2804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44ESTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44ESTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFZ44ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44ESTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 151950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44ESTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44ESTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44ESTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44L | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44L | Vishay / Siliconix | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44LPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 60V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44N | NXP Semiconductors | MOSFETs TRENCH 31V-99V G1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44N | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44N; IRFZ 44 N; IRFZ44N; IRFZ44N TIRFZ44n кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 2567 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44N | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44N; IRFZ 44 N; IRFZ44N; IRFZ44N TIRFZ44n кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44N | Vishay / Siliconix | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44N | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44-BE3; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N UMW TIRFZ44n UMW кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44N | UMW | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220 Packaging: Tube | на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44N Код товару: 1322
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Напруга сток-витік Uds, В: 55 В Струм стоку Idd, А: 49 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,024 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1470/63 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRFZ44N | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44N; IRFZ 44 N; IRFZ44N; IRFZ44N TIRFZ44n кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44N,127 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44N-ML | MOSLEADER | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 85W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44-BE3; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N-ML MOSLEADER TIRFZ44n MOS кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44NL | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44NL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44NLPBF | International Rectifier | N-Channel, 55V, 49A, TO-262 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44NLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44NLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44NLPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 49 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1470 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 17.5 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I2PAK Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44NP | NXP Semiconductors | MOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 55V 49A SOT78 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 14543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44NPBF | IRFZ44NPBF Транзисторы HEXFET | на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFZ44NPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V | на замовлення 11864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 17560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44NPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 49 А, Ptot, Вт = 94, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1470 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 17,5 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 49A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 17.5mΩ Gate charge: 42nC Gate-source voltage: ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44NPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44NPBF | Infineon | MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 10580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44NPBF Код товару: 35403
7
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, В: 55 В Струм стоку Idd, А: 49 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,024 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1470/63 Монтаж: THT | у наявності: 1474 шт
на замовлення: 30 шт
|
| ||||||||||||||||
| IRFZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 17560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 10580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44NPBF | IRFZ44NPBF Транзисторы HEXFET | на замовлення 103 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44NPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 41 A, 0.0175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 94W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm | на замовлення 7181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44NPBF | International Rectifier | MOSFET N-Ch, 55V, 49A, TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44NS | Vishay / Siliconix | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44NS | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44NS | UMW | D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44NS | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44NS; IRFZ44NSTRL; IRFZ44NSTRR; SP001560684; SP001578598; SP001567882; IRFZ44NS UMW TIRFZ44ns UMW кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 53 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44NS | UMW | Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44NSPBF Код товару: 37486
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFZ44NSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 17.5mOhms 16.7nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44NSTRL | International Rectifier | IRFZ44NSTRL IRFZ44NSPBF D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44NSTRL | Infineon | N-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 790 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44NSTRLPBF | Infineon | MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK Транзистори | на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44NSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 94W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm | на замовлення 1647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC | на замовлення 30209 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 5848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 5848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44NSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 94W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm | на замовлення 1647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V | на замовлення 10681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44NSTRLPBF Код товару: 122891
1
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Напруга сток-витік Uds, В: 55 В Струм стоку Idd, А: 49 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,017 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1470/63 Монтаж: SMD | у наявності: 46 шт
очікується: 20 шт
|
| ||||||||||||||||
| IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V | на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 49A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44NSTRPBF | IR | TO220 10+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44NSTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44NSTRRPBF Код товару: 31849
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Напруга сток-витік Uds, В: 55 В Струм стоку Idd, А: 49 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0175 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1470/63 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRFZ44NSTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44NSTRRPBF | International Rectifier | Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44NSTRRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFZ44N\B45 | Vishay / Siliconix | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

