Продукція > 2SD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 30 35 40 45 50 55 57  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SD1795(TP10K40)ShindengenDarlington Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1795-4000ShindengenDarlington Transistors V=400 IC=10 HFE=1500
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1795-7000ShindengenDarlington Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1795-7012ShindengenDarlington Transistors V=400 IC=10 HFE=1500
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1795-7100ShindengenDarlington Transistors V=400 IC=10 HFE=1500
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1795-7112ShindengenDarlington Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1796
Код товару: 83678
Додати до обраних Обраний товар
SavanticТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220F
Гранична частота fT: 60 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 60 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 60 В
Струм колектора Ic, А: 4 А
товару немає в наявності
1+23.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1796Sanken Electric USA Inc.Description: TRANS NPN DARL 60V 4A TO220F
Power - Max: 25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TO-220F
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 10mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1797FUJIMODULE
на замовлення 673 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1798
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1799
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD18TOS/HIT98+ TO-3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD180TOS/HIT98+ TO-3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1800
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1800-TLSANYOTO263
на замовлення 697 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1800-TL-EON Semiconductor2SD1800-TL-E
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1190+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 1190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1800-TL-EonsemiDescription: NPN 1.5A 50V DARLINGTON
Packaging: Bulk
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+18.56 грн
Мінімальне замовлення: 1158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1800-TL-EON Semiconductor2SD1800-TL-E
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1190+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 1190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1800-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1800-TL-E - 2SD1800 - NPN 1.5A 50V DARLINGTON
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1394 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801onsemi BIP NPN 2A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801S-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A TP
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801S-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 800mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
964+36.63 грн
1045+33.78 грн
Мінімальне замовлення: 964 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801S-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1801S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801S-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 95133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1017+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 1017 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801S-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801S-E.ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1801S-E. - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801S-TL-EONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 0.8W; TO252
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Case: TO252
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.8W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 100...560
Frequency: 150MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.11 грн
16+47.59 грн
100+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801S-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A TPFA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1801S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1801
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801S-TL-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
на замовлення 3094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1801S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1801
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801S-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A TPFA
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.03 грн
10+42.07 грн
100+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801T-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A TP-FA
Packaging: Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801T-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 800mW 3-Pin(3+Tab) IPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1244+28.37 грн
10000+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 1244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801T-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A TP-FA
Packaging: Bag
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.39 грн
10+38.20 грн
100+26.57 грн
500+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801T-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801T-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 800mW 3-Pin(3+Tab) IPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1244+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 1244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801T-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 800mW 3-Pin(3+Tab) IPAK T/R
на замовлення 107000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1244+28.37 грн
10000+25.29 грн
100000+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 1244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801T-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1801T-E - 2SD1801T-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801T-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 380100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1244+28.37 грн
10000+25.29 грн
100000+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 1244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801T-TL-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
на замовлення 12600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801T-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 380800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1211+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 1211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1244+28.37 грн
10000+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 1244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801T-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1801T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801T-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A TP-FA
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802
Код товару: 83445
Додати до обраних Обраний товар
SanyoТранзистори > Біполярні NPN
Гранична частота fT: 150 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 50 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 60 В
Струм колектора Ic, А: 3 А
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802onsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802-S-TL
на замовлення 3610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802-T-TL
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802RTL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802S-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1802S-E - TRANSISTOR, NPN, 50V, 3A, TO-251
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802S-EOn SemiconductorTRANS NPN 50V 3A TP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802S-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 50V
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802S-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 99120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
814+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 814 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802S-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802S-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 3A TP
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802S-TLSANYO07+
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802S-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 3A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+19.89 грн
39+19.58 грн
50+18.58 грн
100+16.92 грн
250+15.97 грн
500+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802S-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 3A TP-FA
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 24500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
827+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 827 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1802S-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802S-TL-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802STL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802TSANYO
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 72980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
643+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 643 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1802T-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 15 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-EFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
643+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 643 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 50V
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-E.ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1802T-E. - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 3A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-TL-E
Код товару: 170978
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1802T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT 50V, 3A, Low VCE(sat) NPN Single BJT in TP (IPAK) and TP-FA (DPAK)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1802T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-TL-EONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 3A; 1W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 1W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...400
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 3A TP-FA
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.79 грн
10+66.79 грн
100+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-TL-EON Semiconductor
на замовлення 17460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802TTL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802UTL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803SANYO09+
на замовлення 19968 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803onsemi BIP NPN 5A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 25813
Додати до обраних Обраний товар
SanKenТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: I-Pak
Гранична частота fT: 180 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 60 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 50 В
Струм колектора Ic, А: 5 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 400
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803QTL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803RTL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.84 грн
21+36.08 грн
25+31.99 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-ESanyoDescription: TRANS NPN 50V 5A IPAK/TP
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: IPAK/TP
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+63.01 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-EonsemiBipolar Transistors - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE
на замовлення 6830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1803S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1803S-H - TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 50V, 5A-TO-251
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-HonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 30 35 40 45 50 55 57  [ Наступна Сторінка >> ]