Продукція > AUI
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRLR024Z | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL | на замовлення 6538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AUIRLR024Z | Infineon / IR | MOSFET Automotive FET 55V 7A 58mOhm | на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR024Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 55V 16A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR024ZTR | Infineon / IR | MOSFET Automotive FET 55V 7A 58mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR024ZTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 55V 16A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR024ZTRL | Infineon / IR | MOSFET Automotive FET 55V 7A 58mOhm | на замовлення 216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR024ZTRR | Infineon / IR | MOSFET Automotive FET 55V 7A 58mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR120N | Infineon / IR | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms | на замовлення 2746 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR120N | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR120NTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR120NTRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRLR120NTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 48 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 48 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 2420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR120NTRL | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms | на замовлення 6619 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR120NTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR120NTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR120NTRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRLR120NTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR120NTRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR2703 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AUIRLR2703 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AUIRLR2703 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR2703 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR2703 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 4674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AUIRLR2703TR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR2703TRL | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AUIRLR2703TRL | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AUIRLR2703TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 142000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AUIRLR2703TRL | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR2703TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR2703TRL | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRLR2703TRL - AUIRLR2703 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 319 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR2703TRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR2905 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR2905 | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR2905 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR2905TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR2905Z | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AUIRLR2905Z | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR2905Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR2905ZTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AUIRLR2905ZTRL | International Rectifier | Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 22,5mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; Odpowiednik: AUIRLR2905ZTR; AUIRLR2905ZTRL; TUBE AUIRLR2905Z; TAPE&REEL AUIRLR2905ZTRL; AUIRLR2905Z International Rectifier TAUIRLR2905Z кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AUIRLR2905ZTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR2905ZTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AUIRLR2905ZTRL | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms | на замовлення 9993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR2905ZTRL | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AUIRLR2905ZTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR2905ZTRL | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 42A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR2908 | Infineon / IR | MOSFET 80V 30A 28 mOhm Auto Logic Level MOSFET | на замовлення 2274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR2908 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR2908TRL | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR2908TRL | Infineon Technologies | MOSFET 80V 30A 28 mOhm Auto Logic Level MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR2908TRR | Infineon / IR | MOSFET 80V 30A 28 mOhm Auto Logic Level MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3105 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3105 | Infineon Technologies | MOSFET 55V 25A 43 mOhm Auto Logic Level MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3105TR | Infineon / IR | MOSFET 55V 25A 43 mOhm Auto Logic Level MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3105TRL | Infineon / IR | MOSFET 55V 25A 43 mOhm Auto Logic Level MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3105TRL | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3105TRR | Infineon / IR | MOSFET 55V 25A 43 mOhm Auto Logic Level MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3110Z | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AUIRLR3110Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3110Z | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 14mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3110Z | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRLR3110Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 42 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 140 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Verlustleistung: 140 Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3110Z Код товару: 58699
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| AUIRLR3110ZTR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 14mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3110ZTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AUIRLR3110ZTRL | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3110ZTRL | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 14mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3110ZTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3110ZTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 63A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3110ZTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3110ZTRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 14mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3114Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3114Z | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 3919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AUIRLR3114Z | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AUIRLR3114Z | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 1304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AUIRLR3114Z | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3114ZTR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3114ZTRL | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AUIRLR3114ZTRL | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3114ZTRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3410 | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3410 | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRLR3410 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 79 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 79 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 1791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3410 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3410 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AUIRLR3410 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AUIRLR3410TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AUIRLR3410TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AUIRLR3410TR | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3410TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3410TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3410TRL | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms | на замовлення 2044 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3410TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AUIRLR3410TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRLR3410TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3410TRL | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AUIRLR3410TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3410TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRLR3410TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3410TRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3636 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3636 | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3636TRL | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms | на замовлення 11779 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3636TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRLR3636TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AUIRLR3636TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 99A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |