Продукція > AUI
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRLL024NTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223 Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLL024NTR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLL024NTR-IR | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLL024Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLL024ZTR | Infineon / IR | MOSFET Automotive MOSFET 55 MOSFET 55V 60mOhm | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLL024ZTR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLL024ZTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLL024ZTR | Infineon | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AUIRLL2705 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223 Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLL2705TR | Infineon / IR | MOSFET Automotive MOSFET 40 FET 40V, 5A, 65mOhm | на замовлення 2296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLL2705TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR014N | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms | на замовлення 1497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR014N | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 10A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR014N | International Rectifier | N-MOSFET 55V 10A 140mΩ 28W AUIRLR014N International Rectifier TAUIRLR014N кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 187 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLR014N | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR014NTR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR014NTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR014NTRL | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms | на замовлення 2778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR014NTRL | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLR014NTRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR024N | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 11250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLR024N | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms | на замовлення 196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLR024NTRL | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 74697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLR024Z | Infineon / IR | MOSFET Automotive FET 55V 7A 58mOhm | на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR024Z | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLR024ZTR | Infineon / IR | MOSFET Automotive FET 55V 7A 58mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR024ZTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 55V 16A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR024ZTRL | Infineon / IR | MOSFET Automotive FET 55V 7A 58mOhm | на замовлення 216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR024ZTRR | Infineon / IR | MOSFET Automotive FET 55V 7A 58mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR120N | Infineon / IR | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms | на замовлення 2746 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR120N | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR120NTRL | Infineon | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AUIRLR120NTRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRLR120NTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLR120NTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR120NTRL | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms | на замовлення 6619 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLR120NTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR120NTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR120NTRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRLR120NTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 48 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 48 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 2420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLR120NTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR120NTRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR2703 | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR2703 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLR2703TR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR2703TRL | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRLR2703TRL - AUIRLR2703 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLR2703TRL | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLR2703TRL | Infineon / IR | MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR2703TRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR2905 | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR2905 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR2905 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR2905TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR2905Z | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR2905Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR2905Z | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLR2905ZTRL | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLR2905ZTRL | International Rectifier | Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 22,5mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; Odpowiednik: AUIRLR2905ZTR; AUIRLR2905ZTRL; TUBE AUIRLR2905Z; TAPE&REEL AUIRLR2905ZTRL; AUIRLR2905Z International Rectifier TAUIRLR2905Z кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLR2905ZTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR2905ZTRL | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 42A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR2905ZTRL | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms | на замовлення 10311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLR2905ZTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLR2905ZTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR2905ZTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLR2908 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR2908 | Infineon / IR | MOSFET 80V 30A 28 mOhm Auto Logic Level MOSFET | на замовлення 2274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR2908TRL | Infineon Technologies | MOSFET 80V 30A 28 mOhm Auto Logic Level MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR2908TRL | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR2908TRR | Infineon / IR | MOSFET 80V 30A 28 mOhm Auto Logic Level MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR3105 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR3105 | Infineon Technologies | MOSFET 55V 25A 43 mOhm Auto Logic Level MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR3105TR | Infineon / IR | MOSFET 55V 25A 43 mOhm Auto Logic Level MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR3105TRL | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Part Status: Active Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR3105TRL | Infineon / IR | MOSFET 55V 25A 43 mOhm Auto Logic Level MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR3105TRR | Infineon / IR | MOSFET 55V 25A 43 mOhm Auto Logic Level MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR3110Z | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 14mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR3110Z Код товару: 58699
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AUIRLR3110Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR3110Z | Infineon | на замовлення 5757 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AUIRLR3110Z | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRLR3110Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 42 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 140 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Verlustleistung: 140 Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR3110ZTR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 14mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR3110ZTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 63A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR3110ZTRL | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 14mOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR3110ZTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR3110ZTRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 14mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR3114Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR3114Z | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR3114Z | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLR3114ZTR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR3114ZTRL | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLR3114ZTRL | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR3114ZTRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR3410 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLR3410 | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRLR3410 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 79 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 79 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 1791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLR3410 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±16V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR3410 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLR3410 | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLR3410TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLR3410TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR3410TR | Infineon | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AUIRLR3410TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLR3410TR | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |