Продукція > BSS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 30 33  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSS64AT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64AT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
715+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 715 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64E6327Infineon TechnologiesBSS64E6327
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11905+2.97 грн
100000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 11905 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS NPN 80V 0.8A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 400µA, 4mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7059+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 7059 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64E6327ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSS64E6327 - BSS64 - SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1ON07+;
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1onsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1onsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 120V NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.40 грн
138+5.83 грн
500+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3817+3.71 грн
6000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 3817 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.26 грн
63+12.10 грн
67+11.30 грн
101+7.26 грн
250+6.28 грн
500+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 120V NPN
на замовлення 14674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+15.35 грн
86+9.40 грн
138+5.83 грн
500+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.95 грн
37+8.21 грн
100+5.07 грн
500+3.47 грн
1000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 60MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Current gain: 20
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.39 грн
51+8.21 грн
73+5.70 грн
100+4.88 грн
500+3.45 грн
1000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.71 грн
6000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1GOn SemiconductorSOT-23 Транзистори
на замовлення 8 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
8+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G AM..ON-SemiconductorTransistor NPN; 20; 350mW; 80V; 200mA; 60MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS64LT1G; BSS64 ONS; BSS64LT1G TBSS64
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64R/U6PPHILIPS
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64T116Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS65PHI/MOT
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS65TA
на замовлення 23500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS66(Z)Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS66TADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS66TCDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS66TConsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670AHZGT116ROHMDescription: ROHM - BSS670AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 0.68 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.14 грн
34+24.27 грн
100+15.51 грн
500+9.92 грн
1000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670AHZGT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
948+14.93 грн
983+14.39 грн
1017+13.92 грн
2500+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 948 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670AHZGT116Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.72 грн
12+26.56 грн
25+21.85 грн
100+15.50 грн
250+13.03 грн
500+11.51 грн
1000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670AHZGT116ROHMDescription: ROHM - BSS670AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 0.68 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.51 грн
500+9.92 грн
1000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670AHZGT116Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670AHZGT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+31.96 грн
848+16.69 грн
1000+15.65 грн
2000+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670AHZGT116ROHM SemiconductorMOSFETs SOT23 N-CH 60V .65A
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2L
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2L H6327Infineon
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2L H6327
Код товару: 165851
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2L H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
на замовлення 13711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2L H6433Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2L L6327INFINEON09+ SOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2L L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2L-L6327INFINEONSOP8
на замовлення 33600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327Infineon technologies
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
на замовлення 9130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.52 грн
50+15.09 грн
54+14.19 грн
100+8.55 грн
250+7.83 грн
500+6.71 грн
1000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.65 грн
6000+4.03 грн
9000+3.80 грн
15000+3.32 грн
21000+3.18 грн
30000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.36W
Drain current: 0.54A
On-state resistance: 0.65Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
на замовлення 6103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.75 грн
34+12.52 грн
50+8.54 грн
100+7.25 грн
500+5.14 грн
1000+4.46 грн
3000+3.68 грн
6000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS670S2LH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.65 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.59 грн
1000+5.20 грн
5000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.80 грн
6000+4.58 грн
9000+3.90 грн
15000+3.72 грн
21000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.55 грн
6000+5.90 грн
9000+5.56 грн
15000+5.00 грн
21000+4.44 грн
30000+4.07 грн
75000+3.66 грн
150000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.15 грн
25+11.94 грн
100+7.46 грн
500+5.17 грн
1000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1InfineonMOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS670S2LH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.65 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+21.54 грн
59+13.82 грн
250+7.59 грн
1000+5.20 грн
5000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
на замовлення 74584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS670S2LH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.346ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm
на замовлення 15540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.36 грн
500+5.34 грн
1000+3.89 грн
5000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1021+13.86 грн
1949+7.26 грн
2090+6.77 грн
5000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 1021 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.03 грн
20000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 16157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS670S2LH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm
на замовлення 15540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+22.26 грн
66+12.30 грн
100+8.36 грн
500+5.34 грн
1000+3.89 грн
5000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6757+5.23 грн
10000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 6757 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 35634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.25 грн
23+13.51 грн
100+8.45 грн
500+5.87 грн
1000+5.20 грн
2000+4.63 грн
5000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670T116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SST T/R
на замовлення 5482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
671+26.68 грн
1014+13.95 грн
2000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 671 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670T116ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 650mA, SOT-23, Small Signal MOSFET
на замовлення 5901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670T116Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 650mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670T116ROHMDescription: ROHM - BSS670T116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 A, 0.49 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 650
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 350
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670T116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SST T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670T116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SST T/R
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1418+9.98 грн
1467+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 1418 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670T116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SST T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
633+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 633 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670T116Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 650mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.42 грн
14+21.42 грн
100+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS67TA
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS68PHI/MOT
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS69
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS70PHI/MOT
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS70TC
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS71MOTOROLA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS71S
на замовлення 11557 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS72MOTOROLA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS72S
на замовлення 11625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS73MOTOROLA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS73S
на замовлення 5550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS74MOTOROLA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS74S
на замовлення 5668 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS75MOTOROLA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS75B/CEINFINEON09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS75B\CElnfineonSOT-23
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS75S
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS76MOTOROLA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS76Semelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT TT Electronics
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS76S
на замовлення 5557 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 30 33  [ Наступна Сторінка >> ]