Продукція > BSS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSS76MOTOROLA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS76Semelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT TT Electronics
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS76S
на замовлення 5557 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS77MOTOROLA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728N
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NInfineon TechnologiesMOSFET N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728N H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 200mA SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728N L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 200mA SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728N L7980Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 200mA SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NH6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NH6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3326+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 3326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NH6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NH6327XTSA2Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNALN-CH
на замовлення 5337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NH6327XTSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.03 грн
100+5.99 грн
250+4.81 грн
1000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NH6327XTSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NH6327XTSA2INFINEONDescription: INFINEON - BSS7728NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
на замовлення 10894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NH6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1328+10.65 грн
1416+9.99 грн
1430+9.89 грн
1892+7.21 грн
3000+4.71 грн
6000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 1328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NH6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3145+4.50 грн
30000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 3145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NH6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+4.87 грн
30000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NH6327XTSA2INFINEONDescription: INFINEON - BSS7728NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NH6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.29 грн
32+23.87 грн
36+21.07 грн
100+10.27 грн
250+8.92 грн
500+8.48 грн
1000+6.41 грн
3000+4.53 грн
6000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NH6327XTSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NH6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
866+16.35 грн
973+14.55 грн
1015+13.95 грн
1291+10.57 грн
2000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 866 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NL6327Infineon technologies
на замовлення 879 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS78MOTOROLA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS79MOTOROLA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS79ConsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.8A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS79CMOT2002 3000pcs/reel;
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS79ConsemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS79C_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS80Siemens
на замовлення 13800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Bss800HBEFuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 800mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.800MXP; 179020.0,8; 0034.1515 Fuse: fast-acting; 800mA Bss800
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 310 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 310 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806N
Код товару: 162287
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806N H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806N L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NE H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
на замовлення 10209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NE H6327InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS806NEH6327XTSA1; BSS806NEH6327; BSS806NEH6327XTSA1 TBSS806ne
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.90 грн
6000+7.02 грн
9000+6.22 грн
24000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS806NEH6327XTSA1; BSS806NEH6327; BSS806NEH6327XTSA1 TBSS806ne
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+16.94 грн
100+13.91 грн
500+10.43 грн
1000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 92610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
18+16.83 грн
50+12.12 грн
100+9.94 грн
500+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.90 грн
6000+7.02 грн
9000+6.22 грн
24000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
835+16.94 грн
1017+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 835 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS806NEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 6793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.05 грн
6000+7.15 грн
9000+6.34 грн
24000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.49 грн
9000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
на замовлення 28041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8577 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.19 грн
25+17.28 грн
50+11.56 грн
100+9.69 грн
500+6.73 грн
1000+5.88 грн
3000+4.91 грн
6000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.08 грн
6000+7.18 грн
9000+6.36 грн
24000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS806NEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 6793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327InfineonN-MOSFET 20V 2.3A 57mΩ 500mW BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327 Infineon TBSS806n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
640+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 640 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS806NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 5964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1InfineonSOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10835 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.29 грн
27+16.10 грн
50+11.36 грн
100+9.72 грн
500+6.76 грн
1000+5.78 грн
3000+4.52 грн
6000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 305383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
18+17.74 грн
50+12.77 грн
100+10.47 грн
500+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1InfineonN-MOSFET 20V 2.3A 57mΩ 500mW BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327 Infineon TBSS806n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1
Код товару: 154371
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+22.13 грн
100+13.91 грн
500+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS806NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 6034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 303000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.48 грн
9000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1InfineonN-MOSFET 20V 2.3A 57mΩ 500mW BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327 Infineon TBSS806n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
на замовлення 100633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1-MLMOSLEADERDescription: N 20V SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.47 грн
1000+2.32 грн
3000+2.16 грн
6000+1.99 грн
15000+1.93 грн
30000+1.85 грн
75000+1.70 грн
150000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS80B/CHINFINEON09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS80B\CHlnfineonSOT-23
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS80Consemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS80CInfineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS80CROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSS80C - BSS80 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS80CInfineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS80CTC
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWInfineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NW H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NW L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NW L6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1023+13.83 грн
1254+11.29 грн
1909+7.41 грн
3000+5.31 грн
9000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 1023 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 517932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
22+13.74 грн
50+9.90 грн
100+8.10 грн
500+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
на замовлення 4510 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.48 грн
32+13.33 грн
50+8.42 грн
100+6.94 грн
500+4.67 грн
1000+4.05 грн
3000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 453000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.86 грн
9000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 453000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.87 грн
9000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 516000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.91 грн
9000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3
на замовлення 121092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 42769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.75 грн
9000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.07 грн
55+13.83 грн
100+11.29 грн
500+7.15 грн
3000+4.92 грн
9000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.75 грн
9000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1InfineonN-MOSFET 20V 1.4A 160mΩ 500mW BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327 Infineon TBSS816nw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 42669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWL6327XTInfineon technologies
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS82B(Z)Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.