Продукція > BUK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK7J1R4-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7J1R4-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 112500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7J1R4-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7J2R4-80MX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK7J2R4-80M/SOT1023/LFPAK56E Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 64 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 294W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 231A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7J2R4-80MX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7J2R4-80MX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 231 A, 2400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 231A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 294W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56E Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm | на замовлення 1320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7J2R4-80MX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK7J2R4-80M/SOT1023/LFPAK56E Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 64 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 294W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 231A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7J2R4-80MX | Nexperia | MOSFETs BUK7J2R4-80M/SOT1023/LFPAK56E | на замовлення 863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7J2R4-80MX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7J2R4-80MX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 231 A, 2400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 231A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 294W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm | на замовлення 1320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K12-60EX | Nexperia | MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 40A | на замовлення 7864 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K12-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2348pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 3486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K12-60EX | NXP | Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive 8-Pin LFPAK-D Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7K12-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2348pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K13-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K13-60EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K13-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.01 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 64W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K13-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7K13-60EX | NXP | Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive 8-Pin LFPAK-D Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7K13-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 82500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K13-60EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K13-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.01 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 64W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K13-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 2027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K13-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K13-60EX | Nexperia | MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 40A | на замовлення 2286 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K13-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K134-100E115 | Nexperia USA Inc. | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7K134-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 9.8A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K134-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 9.8A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K134-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 100V 9.8A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 32W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 564pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 1486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K134-100EX | Nexperia | MOSFETs SOT1205 100V 9.8A | на замовлення 3839 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K134-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 9.8A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K134-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 9.8A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7K134-100EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K134-100EX - Dual-MOSFET, SOT-1205 tariffCode: 85412900 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.8 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.121 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 32 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7K134-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K134-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 100V 9.8A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 32W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 564pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7K134-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 9.8A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 16500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K15-80EX | Nexperia | MOSFETs SOT1205 2NCH 80V 23A | на замовлення 22489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K15-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K15-80EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K15-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 23 A, 23 A, 0.0112 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0112 Anzahl der Pins: 8 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOT-1205 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung, n-Kanal: 68 Drain-Source-Spannung Vds: 80 Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80 Verlustleistung, p-Kanal: 68 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112 Dauer-Drainstrom Id: 23 rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0112 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 68 SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K15-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7K15-80EX | NXP | Trans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 8-Pin LFPAK-D BUK7K15-80EX BUK7K15-80EX TBUK7k15-80ex кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K15-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 80V 23A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2457pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K15-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K15-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K15-80EX | NXP | Trans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 8-Pin LFPAK-D BUK7K15-80EX BUK7K15-80EX TBUK7k15-80ex кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K15-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 80V 23A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2457pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K17-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K17-60EX | NXP | Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin LFPAK-D Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7K17-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 53W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1578pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 94500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K17-60EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K17-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0113 ohm, LFPAK56D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0113 Verlustleistung, p-Kanal: 53 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0113 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 53 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7K17-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7K17-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K17-60EX | Nexperia | MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K17-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 53W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1578pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 95533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K17-60EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K17-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0113 ohm, LFPAK56D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 30 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0113 Verlustleistung Pd: 53 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung, p-Kanal: 53 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0113 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 53 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7K17-80EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K17-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.0125 ohm, SOT-1205, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 21 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125 Verlustleistung Pd: 64 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung, p-Kanal: 64 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1205 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7K17-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 21A Automotive 8-Pin LFPAK-D | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7K17-80EX | Nexperia | MOSFETs SOT1205 2NCH 80V 21A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7K17-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 80V 21A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7K17-80EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K17-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.0125 ohm, SOT-1205, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125 Verlustleistung, p-Kanal: 64 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80 euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7K17-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 80V 21A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7K18-40E | Nexperia | MOSFET 40V Mosfet Dual N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7K18-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 24.2A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K18-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 24.2A LFPAK56D Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56D Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 10V Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.2A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 38W Technology: MOSFET (Metal Oxide) | на замовлення 2684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K18-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 24.2A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K18-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 24.2A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K18-40EX | Nexperia | MOSFETs SOT1205 2NCH 40V 24. 2A | на замовлення 2084 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K18-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 24.2A LFPAK56D Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56D Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.2A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 38W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K18-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 24.2A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K18-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 24.2A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 46500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K18-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 24.2A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K23-80EX | Nexperia | MOSFETs BUK7K23-80E/SOT1205/LFPAK56D | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7K23-80EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K23-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 17 A, 17 A, 0.0176 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0176ohm Verlustleistung, p-Kanal: 53W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0176ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 53W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 2454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K23-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 80V 17A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 53W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1542pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K23-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 17A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K23-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 80V 17A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 53W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1542pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K23-80EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K23-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 17 A, 17 A, 0.0176 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0176ohm Verlustleistung, p-Kanal: 53W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0176ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 53W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 2454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K23-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 17A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7K25-40E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K25-40E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.02125 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02125ohm Verlustleistung, p-Kanal: 32W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02125ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 32W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 38 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7K25-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 27A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K25-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 306000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K25-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 246000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K25-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7K25-40E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K25-40E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.02125 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02125ohm Verlustleistung, p-Kanal: 32W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02125ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 32W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K25-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 27A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 32W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K25-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 27A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R | на замовлення 91500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K25-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 27A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K25-40E,115 | Nexperia | MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K25-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 27A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R | на замовлення 40500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K25-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7K25-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 27A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 32W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K25-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7K29-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K29-100EX | Nexperia | MOSFETs SOT1205 100V 29.5A | на замовлення 11610 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K29-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 18506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K32-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56D Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56D Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2137pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 64W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K32-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 29A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7K32-100EX | Nexperia | MOSFETs SOT1205 100V 29A N-C H MOSFET | на замовлення 18678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K32-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56D Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56D Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2137pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 64W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K32-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 29A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K35-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20.7A LFPAK56D Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 38W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: LFPAK56D Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 794pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A | на замовлення 1419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K35-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7K35-60EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K35-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20.7 A, 20.7 A, 0.024 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 38W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 38W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

