Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF40SC240 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF40SC240ARMA1 | Infineon | N-Channel 40 V 360A (Tc) 2.4W (Ta), 417W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF40SC240ARMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 360A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 458 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF40SC240ARMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRF40SC240ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 417W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 374 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF40SC240ARMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 564A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 1260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF40SC240ARMA1 Код товару: 196216
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF40SC240ARMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 360A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 458 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF40SC240ARMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF40SC240ARMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRF40SC240ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF40SC240ARMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 564A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 19799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4104 Код товару: 99473
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 40 V Idd,A: 75 A Rds(on), Ohm: 5,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3000/68 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| IRF4104 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4104GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 75A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4104L | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO262 Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4104LPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO262 Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4104PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF4104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4104PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 225204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4104PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 68nC Kind of package: tube | на замовлення 125 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4104PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4104PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4104PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 120A 5.5mOhm 68nC Qg | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4104PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4104PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4104PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4104PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4104S | International Rectifier | N-MOSFET HEXFET 40V 75A 140W 0,0055Ω IRF4104S TIRF4104s кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4104S Код товару: 99474
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 40 V Idd,A: 75 A Rds(on), Ohm: 5,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3000/68 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| IRF4104S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4104SPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 68nC | на замовлення 475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4104SPBF | International Rectifier | Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 140Вт; D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4104SPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 7598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4104SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4104SPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF4104SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4104SPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 13156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4104STRLPBF | IR | 09+ | на замовлення 10018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4105 | IR | 98+ | на замовлення 740 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4105S | IR | TO-263 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4110 | IR | TO-220 07+ | на замовлення 5700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF415A | IOR | на замовлення 146 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF41N50 | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF420 | IR | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF420 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF420PBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4243LDF2 | IOR | 2007 | на замовлення 788 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4243LDF2-10 | IOR | 2007 | на замовлення 3266 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4243LDF2-12 | IOR | 2007 | на замовлення 396 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4243LDF2-8 | IOR | 2007 | на замовлення 1548 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF42N03L | IR | 2002 TO-263 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF430 | International Rectifier | Description: 500V, N-CHANNEL REPETITIVE AVALA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V | на замовлення 6153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF430 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF430 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF430PBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF431 | International Rectifier HiRel Products | IRF431 | на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF431 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 450V 4.5A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V | на замовлення 1201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF431 | International Rectifier HiRel Products | IRF431 | на замовлення 718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF431 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF432 | International Rectifier HiRel Products | IRF432 | на замовлення 386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF432 | International Rectifier HiRel Products | IRF432 | на замовлення 343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF432 | International Rectifier | Description: HEXFET POWER MOSFETS Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Power Dissipation (Max): 75W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V | на замовлення 1192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF432 | International Rectifier HiRel Products | IRF432 | на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF433 | International Rectifier | Description: 4.0A, 450V, 2.0 OHM, N-CHANNEL P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF433 | HARRIS | IRF433 | на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF433 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA Packaging: Bulk Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3 Power Dissipation (Max): 75W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4332PBF | IR | 09+ TSSOP 20 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF440 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF440 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF440PBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF440SCX | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF441 | International Rectifier | Description: TRANS MOSFET N-CH 450V 8A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Power Dissipation (Max): 125W Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF441 | IR/MOT | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF4410TRPBF | IOR | на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF442 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 4.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF442119U | HARRIS | IRF442119U | на замовлення 1841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF442119U | Harris Corporation | Description: 7A, 500V, 1.1OHM, N-CHANNEL, Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 1841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4427 | IOR | 01+ SOP | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF443 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 450V 4A TO204AE Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Power Dissipation (Max): 75W Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4435 | IOR | 2000 SMD | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4435TR | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4435TRPBF | IOR | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF4435TRPBF | Infineon / IR | Infineon MOSFET, P-CHANNEL, -30V, -11A, 13.5 mOhm, 75 nC Qg, SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF448 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 500V 7.9A TO204AE Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-204AE Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AE Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF450 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO204AA Packaging: Tube Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF450 | International Rectifier | TO-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF450 Код товару: 23684
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-3 Uds,V: 500 V Idd,A: 12 А Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| IRF450 | STMicroelectronics | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF450 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | на замовлення 1014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF450-R1 | Welwyn Components / TT Electronics | MOSFET MOSFET - POWER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF450PBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF453 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 7.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF453 | IR/MOT | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF453TRPBF | IOR | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF460 Код товару: 26642
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Стабілізатори напруги імпульсні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF460 | IRF460 Транзисторы | на замовлення 11 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF460 | International Rectifier | 500V, 21A, TO-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF460APBF | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IRF460PBF | IR | 10+ SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF460SCX | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF460SCX | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF46ER102K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1MH 200MA 8 OHM TH Tolerance: ±10% Packaging: Bag Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.394" L (5.20mm x 10.00mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -20°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 8Ohm Max Q @ Freq: 80 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 1.7MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Inductance: 1 mH Current Rating (Amps): 200 mA | на замовлення 8653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF46ER102K | VISHAY | Description: VISHAY - IRF46ER102K - Leistungsinduktivität, 1mH, 10%, 8 Ohm, 0.2A, Produktreihe IRF-46 tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Induktivitätstoleranz: ± 10% Induktivität: 1mH euEccn: NLR DC-Nennstrom: 200mA isCanonical: Y DC-Widerstand, max.: 8ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: IRF-46 Series SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 12239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

