Продукція > IRL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLML0100 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - IRLML0100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm | на замовлення 2924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML0100 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML0100 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - IRLML0100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm | на замовлення 2924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML0100 | KEXIN | IRLML0100TR; IRLML0100 TIRLML0100 KEX кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 1920 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML0100TR | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 290mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0100TR; SP001568612; IRLML0100TR HXY MOSFET TIRLML0100 HXY кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML0100TR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 235mOhm; 1,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0100TR; SP001568612; IRLML0100TR UMW TIRLML0100 UMW кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML0100TR | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML0100TR | FUXINSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 290mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0100TR; SP001568612; IRLML0100TR SOT23(T/R) FUXINSEMI TIRLML0100 FUX кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML0100TR | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 290mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0100TR; SP001568612; IRLML0100TR HXY MOSFET TIRLML0100 HXY кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 160 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.6A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 1.6A 220mOhm 2.5nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML0100TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm | на замовлення 10182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF Код товару: 38413
2
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, В: 100 В Струм стоку Idd, А: 1,6 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,22 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 290/2,5 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | у наявності: 6 шт
на замовлення: 180 шт
|
| ||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 4,5 В, Rds = 220 мОм @ 1,6 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 25 мкА, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF | IRLML0100TRPBF Транзисторы HEXFET | на замовлення 923 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF Код товару: 221450
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, В: 100 В Струм стоку Idd, А: 1,6 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,22 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 290/2,5 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | у наявності: 980 шт
|
| ||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF-(SOT-23) : IRLML0100-(SOT-23) | --- | IRLML0100TRPBF-(SOT-23) : IRLML0100-(SOT-23) IRLML0100TRPBF MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF-1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF-1 | Infineon Technologies | IRLML0100TRPBF-1 | на замовлення 25870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF. | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2030 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML2030TR | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 154mOhm; 2,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2030TR; IRLML2030; IRLML2030; IRLML2030TR TIRLML2030 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2030TR | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2030TR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 154mOhm; 2,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0030TR; SP001578662; IRLML2030TR UMW TIRLML2030 UMW кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2030TR-(SOT-23) | KLS | IRLML2030TR-(SOT-23) IRLML2030TRPBF MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3 Транзистори | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 103 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML2030TR-(SOT-23) | UMW | IRLML2030TR-(SOT-23) IRLML2030TRPBF MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3 Транзистори | на замовлення 859 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V | на замовлення 1394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 110 @ 15, Qg, нКл = 1 @ 4,5 В, Rds = 100 мОм @ 2,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,3 В @ 25 мкA,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 84 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 11500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC | на замовлення 39667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML2030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm | на замовлення 19485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF Код товару: 38414
1
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, В: 30 В Струм стоку Idd, А: 2,7 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 110/1.0 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | у наявності: 292 шт
на замовлення: 60 шт
|
| ||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.7A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | на замовлення 819 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | IRLML2030TRPBF Транзисторы | на замовлення 107 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 66085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 121 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML2030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm | на замовлення 19485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML2060 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML2060TR | Infineon | N-MOSFET 1.2A 60V 1.25W 0.48Ω IRLML2060 TIRLML2060 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1910 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2060TR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 99mOhm; 1,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2060TR; SP001578644; IRLML2060TR UMW TIRLML2060 UMW кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2060TR | UMW | Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML2060TR | Infineon | N-MOSFET 1.2A 60V 1.25W 0.48Ω IRLML2060 TIRLML2060 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 18000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML2060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.48 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm | на замовлення 8560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 140 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF Код товару: 38415
1
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Idd, А: 1,2 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,48 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 64/.67 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | у наявності: 205 шт
на замовлення: 30 шт
|
| ||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.67 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | на замовлення 2883 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 1.2A 480mOhm 0.7nC Qg | на замовлення 144651 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML2060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.48 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm | на замовлення 8560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.67 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V | на замовлення 14758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,2 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 64 @ 25, Qg, нКл = 0.67, Rds = 480 мОм @ 1,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 1 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 105870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2244 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML2244 Код товару: 87000
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, В: 20 В Струм стоку Id, А: 3,4 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 54 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 570/6,9 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | у наявності: 48 шт
|
| ||||||||||||||
| IRLML2244-CN | CHIPNOBO | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 73mOhm; 4A; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2244TR; SP001576936; IRLML2244-CN CHIPNOBO TIRLML2244 CNB кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2244TR | HXY MOSFET | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2244TR; SP001576936; IRLML2244TR HXY MOSFET TIRLML2244 HXY кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 670 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2244TR | UMW | Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML2244TR | Infineon | Transistor P-MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; LTB:30-JUNE-2026; LTS:31-DEC-2027; Equivalent: IRLML2244; IRLML2244TR; TCJ2321; IRLML2244; IRLML2244TR TIRLML2244 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 403 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2244TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2244TR; SP001576936; IRLML2244TR UMW TIRLML2244 UMW кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 450 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2244TRPBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML2244TRPBF Код товару: 131115
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||||
| IRLML2244TRPBF | Infineon | SOT-23 Транзистори | на замовлення 40 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2244TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 16 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML2244TRPBF | International Rectifier | SOT-23-3,SMD/SMT Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML2244TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -20V -4.3A 54mOhm -2.5V cpbl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML2244TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 16 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML2244TRPBF-ML | MOSLEADER | Description: P -20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML2246 | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2,6, Ciss, пФ @ Uds, В = 220, Qg, нКл = 2,9 @ 4,5 В, Rds = 135 мОм @ 2,6 A мОм, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = 55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 145 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2246 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML2246TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 236mOhm; 2,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2246TR; SP001552690; IRLML2246TR UMW TIRLML2246 UMW кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2246TR | UMW | Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2246TR | Infineon | Transistor P-MOSFET; 20V; 12V; 236mOhm; 2,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; OBSOLETE; Replacement: IRLML2246; IRLML2246TR; MOT2301AB2; IRLML2246 TIRLML2246 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1545 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRLML2246TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -20V -2.6A 135mOhm -2.5V cpbl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML2246TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. |

