Продукція > IRL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLML0100TR | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML0100TR | FUXINSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 290mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0100TR; SP001568612; IRLML0100TR SOT23(T/R) FUXINSEMI TIRLML0100 FUX кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML0100TR | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 290mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0100TR; SP001568612; IRLML0100TR HXY MOSFET TIRLML0100 HXY кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 160 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML0100TR | Infineon | N-MOSFET 1.6A 100V 1.3W 0.22Ω IRLML0100 TIRLML0100 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1022 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML0100TR | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 290mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0100TR; SP001568612; IRLML0100TR HXY MOSFET TIRLML0100 HXY кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 1.6A 220mOhm 2.5nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.6A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF Код товару: 38413
2
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 100 V Струм стоку Idd, A: 1,6 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,22 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 290/2,5 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | у наявності: 347 шт
|
| ||||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML0100TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML0100TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF | IRLML0100TRPBF Транзисторы HEXFET | на замовлення 923 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF Код товару: 221450
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 100 V Струм стоку Idd, A: 1,6 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,22 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 290/2,5 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | товару немає в наявності
очікується: 1000 шт
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 4,5 В, Rds = 220 мОм @ 1,6 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 25 мкА, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF-(SOT-23) : IRLML0100-(SOT-23) IRLML0100TRPBF | --- | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF-1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF-1 | Infineon Technologies | IRLML0100TRPBF-1 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML0100TRPBF. | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2030 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2030TR | Infineon | N-MOSFET 2.7A 30V 1.3W 0.1Ω IRLML2030 TIRLML2030 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2030TR | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2030TR-(SOT-23) IRLML2030TRPBF | KLS | MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2030TR-(SOT-23) IRLML2030TRPBF | UMW | MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3 Транзистори | на замовлення 859 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 119 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC | на замовлення 59218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF Код товару: 38414
1
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Idd, A: 2,7 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 110/1.0 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | у наявності: 659 шт
|
| ||||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML2030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm | на замовлення 21419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 110 @ 15, Qg, нКл = 1 @ 4,5 В, Rds = 100 мОм @ 2,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,3 В @ 25 мкA,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 99 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 11500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.7A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Power dissipation: 1.3W | на замовлення 329 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML2030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm | на замовлення 21419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | IRLML2030TRPBF Транзисторы | на замовлення 107 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V | на замовлення 2415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2060 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2060TR | Infineon | N-MOSFET 1.2A 60V 1.25W 0.48Ω IRLML2060 TIRLML2060 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 18000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2060TR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 99mOhm; 1,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2060TR; SP001578644; IRLML2060TR UMW TIRLML2060 UMW кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2060TR | UMW | Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2060TR | Infineon | N-MOSFET 1.2A 60V 1.25W 0.48Ω IRLML2060 TIRLML2060 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1910 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.2A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Power dissipation: 1.25W | на замовлення 112 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 1.2A 480mOhm 0.7nC Qg | на замовлення 57087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML2060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.48 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,2 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 64 @ 25, Qg, нКл = 0.67, Rds = 480 мОм @ 1,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 2941 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.67 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 113870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF Код товару: 38415
1
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 60 V Струм стоку Idd, A: 1,2 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,48 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 64/.67 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | у наявності: 459 шт
|
| ||||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML2060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.48 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.67 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2244 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2244 Код товару: 87000
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні Примітка: Керування логічним рівнем | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||||||
| IRLML2244-CN | CHIPNOBO | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 73mOhm; 4A; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2244TR; SP001576936; IRLML2244-CN CHIPNOBO TIRLML2244 CNB кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2244TR | UMW | Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2244TR | Infineon | Transistor P-MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; LTB:30-JUNE-2026; LTS:31-DEC-2027; Equivalent: IRLML2244; IRLML2244TR; TCJ2321; IRLML2244; IRLML2244TR TIRLML2244 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 460 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2244TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2244TR; SP001576936; IRLML2244TR UMW TIRLML2244 UMW кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 450 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2244TR | Infineon | Transistor P-MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; LTB:30-JUNE-2026; LTS:31-DEC-2027; Equivalent: IRLML2244; IRLML2244TR; TCJ2321; IRLML2244; IRLML2244TR TIRLML2244 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2244TR | Infineon | Transistor P-MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; LTB:30-JUNE-2026; LTS:31-DEC-2027; Equivalent: IRLML2244; IRLML2244TR; TCJ2321; IRLML2244; IRLML2244TR TIRLML2244 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2244TR A5SHB. | HXY MOSFET | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2244TR; SP001576936; IRLML2244TR HXY MOSFET TIRLML2244 HXY кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 670 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2244TRPBF Код товару: 131115
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||||||
| IRLML2244TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML2244TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.054 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm | на замовлення 4789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2244TRPBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2244TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2244TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 16 V | на замовлення 30472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2244TRPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 570 @ 16, Qg, нКл = 6,9 @ 4,5 В, Rds = 54 мОм @ 4,3A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА, Р, Вт = 1,3 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 1598 шт: термін постачання 3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2244TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -20V -4.3A 54mOhm -2.5V cpbl | на замовлення 6680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2244TRPBF | Infineon | SOT-23 Транзистори | на замовлення 40 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2244TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML2244TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.054 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm | на замовлення 4789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2244TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2244TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 16 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2244TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.3A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Power dissipation: 1.3W | на замовлення 1856 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2244TRPBF | International Rectifier | SOT-23-3,SMD/SMT Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2244TRPBF-ML | MOSLEADER | Description: P -20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2246 | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2,6, Ciss, пФ @ Uds, В = 220, Qg, нКл = 2,9 @ 4,5 В, Rds = 135 мОм @ 2,6 A мОм, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = 55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 145 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2246 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2246TR | Infineon | P-MOSFET 2.6A 20V 1.3W 0.0135Ω IRLML2246 TIRLML2246 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 155 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2246TR | UMW | Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23 Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.6A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2246TR | Infineon | P-MOSFET 2.6A 20V 1.3W 0.0135Ω IRLML2246 TIRLML2246 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2246TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 236mOhm; 2,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2246TR; SP001552690; IRLML2246TR UMW TIRLML2246 UMW кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2246TRPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2,6, Ciss, пФ @ Uds, В = 220 @ 16, Qg, нКл = 2,9 @ 4,5 В, Rds = 135 мОм @ 2,6 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2246TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 16 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

