Продукція > STD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STD19NE06LT4STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD19NE06T4STM07+ TO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD19NF06L
на замовлення 610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD19NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 200V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD19NF20STMicroelectronicsMOSFET N-channel 200 V, 0.15 Ohm typ., 15 A MESH OVERLAY(, POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1E1-53/HDW ASSMCarling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1E1-58Carling TechnologiesToggle Switches STD1E1-58
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1E1-58Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE SPDT 16A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPDT
Switch Function: On-On
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 14.25mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Voltage Rating - DC: 24 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1E1-73Carling TechnologiesToggle Switches STD1E1-73
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1E1-73Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE SPDT 16A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPDT
Switch Function: On-On
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 17.45mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Voltage Rating - DC: 24 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1E1-78Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE SPDT 16A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPDT
Switch Function: On-On
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 17.45mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 24 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1E1-78Carling TechnologiesToggle Switches STD1E1-78
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1E4-53Carling TechnologiesToggle Switches STD1E4-53
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1E4-53Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE SPDT 16A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPDT
Switch Function: On-On
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Screw Terminal
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 14.25mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Voltage Rating - DC: 24 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1E4-53/HDW ASSMCarling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPDT
Switch Function: On-On
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Screw Terminal
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 14.25mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Voltage Rating - DC: 24 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1E4-53/HDW ASSMCarling TechnologiesToggle Switches STD1E4-53/HDW ASSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1E4-58Carling TechnologiesToggle Switches STD1E4-58
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1E4-58Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPDT
Switch Function: On-On
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Screw Terminal
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 14.25mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Voltage Rating - DC: 24 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1HN60K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 6.4Ohm 1.2A SuperMESH3 FET
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1HN60K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1HN60K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1HNC60ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1HNC60-1
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1HNC60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1HNC60T4
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1HNC60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1HNC60T4G
на замовлення 6227 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1LNC60ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1LNC60-1
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1LNK60Z
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1LNK60Z-1ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1N60
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NA60ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NA60-TR
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB40
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB50ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB50-1
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB50-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB50S-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB52
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB52-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB60ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB60-1STTO-251
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB60T4
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB80ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB80-STMSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB80-1STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB80-1STMSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB80-T4
на замовлення 21909 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB80CDT
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB80CDT-TR
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB80T4
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NC40-1ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NC60ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NC60-1ST05+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NC60-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NC60T4
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NC60T4STMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 1,4 А, Ptot, Вт = 35, Тип монт. = smd, Rds = 8 Ом, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 30 В,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NC70ZST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NC70Z-1STTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60STMicroelectronics N-channel 600 V, 7.3 Ohm typ., 1 A SuperMESH Power MOSFET in a DPAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60STMSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60-1STMN-CHANNEL 600V - 8. - 1A IPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60-1STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.63A; 30W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.63A
Power dissipation: 30W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.22 грн
15+29.77 грн
75+26.25 грн
150+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.28 грн
75+21.86 грн
150+21.43 грн
525+20.10 грн
1050+18.43 грн
2025+17.40 грн
5025+17.28 грн
10050+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60-1STTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube STD1NK60-1 TSTD1NK60-1
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.57 грн
10+71.63 грн
75+50.20 грн
150+42.17 грн
525+35.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60-1STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 1.0 A
на замовлення 3797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
633+22.38 грн
645+21.96 грн
658+21.53 грн
676+20.19 грн
1050+18.51 грн
2025+17.47 грн
5025+17.35 грн
10050+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 633 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60-1-HSTMicroelectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD1NK60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
на замовлення 33852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4STMN-ch. 600V 1A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4
Код товару: 118373
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.38 грн
6+83.53 грн
10+72.88 грн
50+50.15 грн
100+42.85 грн
500+32.12 грн
1000+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD1NK60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
на замовлення 33852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.14 грн
10+72.61 грн
50+54.45 грн
100+45.58 грн
500+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 1.0Amp Zener SuperMESH
на замовлення 3333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80
на замовлення 27600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80Z
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80Z (транзистор польовий N-канальний)
Код товару: 43737
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80Z-1STMMOSFET IPAK 3/N-CHANNEL 800V 1A 16 Om 45Вт Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80Z-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80Z-1STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 800V-13ohms 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD1NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1 A, 16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16ohm
на замовлення 2709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 V 13 Ohms Zener SuperMESH 1A
на замовлення 3453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 45W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 608 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.09 грн
10+42.44 грн
50+38.41 грн
100+35.39 грн
500+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD1NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1 A, 16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16ohm
на замовлення 2709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4STMDPAK 3/N-CHANNEL 800V - 13 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.98 грн
10+77.74 грн
50+58.42 грн
100+48.97 грн
500+38.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2Eaton BussmannDescription: FUSE CARTRIDGE 2A 240VAC CYLINDR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.