Продукція > STD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 30 35 40 45 50 53  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STD1E1-58Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE SPDT 16A 24V
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Switch Function: On-On
Circuit: SPDT
Mounting Type: Panel Mount
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Packaging: Bulk
Voltage Rating - DC: 24 V
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Actuator Type: Standard Round
Actuator Length: 14.25mm
Illumination: Non-Illuminated
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1E1-58Carling TechnologiesToggle Switches STD1E1-58
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1E1-73Carling TechnologiesToggle Switches STD1E1-73
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1E1-73Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE SPDT 16A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPDT
Switch Function: On-On
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 17.45mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Voltage Rating - DC: 24 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1E1-78Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE SPDT 16A 24V
Voltage Rating - DC: 24 V
Part Status: Active
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Actuator Type: Standard Round
Actuator Length: 17.45mm
Illumination: Non-Illuminated
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Switch Function: On-On
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Circuit: SPDT
Mounting Type: Panel Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1E1-78Carling TechnologiesToggle Switches STD1E1-78
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1E4-53Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE SPDT 16A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPDT
Switch Function: On-On
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Screw Terminal
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 14.25mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Voltage Rating - DC: 24 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1E4-53Carling TechnologiesToggle Switches STD1E4-53
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1E4-53/HDW ASSMCarling TechnologiesToggle Switches STD1E4-53/HDW ASSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1E4-53/HDW ASSMCarling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPDT
Switch Function: On-On
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Screw Terminal
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 14.25mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Voltage Rating - DC: 24 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1E4-58Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPDT
Switch Function: On-On
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Screw Terminal
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 14.25mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Voltage Rating - DC: 24 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1E4-58Carling TechnologiesToggle Switches STD1E4-58
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1HN60K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 6.4Ohm 1.2A SuperMESH3 FET
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1HN60K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1HN60K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1HNC60ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1HNC60-1
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1HNC60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1HNC60T4
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1HNC60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1HNC60T4G
на замовлення 6227 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1LNC60ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1LNC60-1
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1LNK60Z
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1LNK60Z-1ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1N60
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NA60ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NA60-TR
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB40
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB50ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB50-1
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB50-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB50S-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB52
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB52-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB60ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB60-1STTO-251
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB60T4
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB80ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB80-STMSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB80-1STMSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB80-1STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB80-T4
на замовлення 21909 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB80CDT
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB80CDT-TR
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NB80T4
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NC40-1ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NC60ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NC60-1ST05+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NC60-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NC60T4
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NC60T4STMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 1,4 А, Ptot, Вт = 35, Тип монт. = smd, Rds = 8 Ом, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 30 В,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NC70ZST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NC70Z-1STTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60STMicroelectronics N-channel 600 V, 7.3 Ohm typ., 1 A SuperMESH Power MOSFET in a DPAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60STMSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.79 грн
75+49.84 грн
150+44.61 грн
525+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+45.23 грн
338+41.91 грн
500+36.75 грн
3000+34.81 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60-1STMN-CHANNEL 600V - 8. - 1A IPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 6310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.64 грн
18+43.72 грн
100+40.52 грн
500+34.26 грн
3000+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60-1STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.63A; 30W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.63A
Power dissipation: 30W
Case: I2PAK
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Kind of package: tube
Version: ESD
Gate-source voltage: ±30V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 255 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.22 грн
15+29.77 грн
75+26.25 грн
150+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60-1STTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube STD1NK60-1 TSTD1NK60-1
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60-1STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 1.0 A
на замовлення 3862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60-1-HSTMicroelectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 1.0Amp Zener SuperMESH
на замовлення 3433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.15 грн
5000+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.87 грн
10+68.61 грн
100+45.76 грн
500+33.74 грн
1000+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Technology: SuperMesh™
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±30V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.38 грн
6+83.53 грн
10+72.88 грн
50+50.15 грн
100+42.85 грн
500+32.12 грн
1000+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD1NK60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.25 грн
500+31.02 грн
1000+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4STMN-ch. 600V 1A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4
Код товару: 118373
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.94 грн
5000+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD1NK60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
на замовлення 36052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.73 грн
50+69.34 грн
100+46.25 грн
500+31.02 грн
1000+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80
на замовлення 27600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80Z
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80Z (транзистор польовий N-канальний)
Код товару: 43737
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80Z-1STMMOSFET IPAK 3/N-CHANNEL 800V 1A 16 Om 45Вт Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80Z-1STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 800V-13ohms 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80Z-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD1NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1 A, 16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.43 грн
50+81.28 грн
100+54.46 грн
500+39.78 грн
1000+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.55 грн
5000+26.79 грн
10000+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
на замовлення 4751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.79 грн
10+61.06 грн
100+45.40 грн
500+33.55 грн
1000+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.86 грн
5000+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 V 13 Ohms Zener SuperMESH 1A
на замовлення 3056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.86 грн
5000+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+63.19 грн
234+60.49 грн
274+51.72 грн
276+49.53 грн
500+40.43 грн
1000+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD1NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1 A, 16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.46 грн
500+39.78 грн
1000+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.58 грн
5000+26.82 грн
10000+19.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4STMDPAK 3/N-CHANNEL 800V - 13 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.21 грн
12+63.19 грн
25+60.49 грн
100+49.87 грн
250+45.86 грн
500+38.81 грн
1000+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2EATON BUSSMANNDescription: EATON BUSSMANN - STD2 - HH-Sicherung, STD Series, 2 A, Schrauböse, 240 V
tariffCode: 85361090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Nennspannung V AC: 240V
Nennspannung, V DC: -
Sicherungsstrom: 2A
euEccn: NLR
Bauform - HH-Sicherung: Schrauböse
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: STD Series
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+268.24 грн
5+261.74 грн
10+254.42 грн
20+221.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2Eaton BussmannDescription: FUSE CARTRIDGE 2A 240VAC CYLINDR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2Bussmann / EatonSpecialty Fuses 2A 240VAC IND
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD20Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 20A 240VAC CYLINDR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 30 35 40 45 50 53  [ Наступна Сторінка >> ]