Продукція > stb

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STB75NF75LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB75NF75LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 37.5 A, 0.011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.15 грн
10+138.18 грн
50+113.80 грн
200+82.27 грн
500+71.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 300W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+207.73 грн
10+129.15 грн
50+119.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 75 Volt 75 Amp
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+55.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.12 грн
10+135.56 грн
100+93.70 грн
500+71.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+96.65 грн
2000+89.05 грн
5000+88.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+143.58 грн
2000+136.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 75V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 160nC
Pulsed drain current: 320A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+106.23 грн
2000+104.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 75V-0.0095ohms 80A
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB75NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+133.31 грн
500+109.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+94.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+90.12 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+179.15 грн
500+161.47 грн
1000+148.51 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+116.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+116.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB75NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+257.67 грн
10+191.02 грн
100+133.31 грн
500+109.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+91.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+320.59 грн
61+231.95 грн
100+211.21 грн
200+153.66 грн
500+138.91 грн
1000+118.00 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.42 грн
10+170.58 грн
100+119.47 грн
500+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NH02LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NH02LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NH02LT4STM(TO-263) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NH02LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.30 грн
10+121.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB76NF75STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+100.91 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB76NF75STMicroelectronics
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB76NF75STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+70.04 грн
100+66.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB76NF75STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB76NF75STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB76NF75STMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET N-CH 75V
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB76NF80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB76NF80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB772ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7ANM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB7ANM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7ANM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB7ANM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.06 грн
10+98.35 грн
100+69.50 грн
500+52.76 грн
1000+45.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7ANM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.06 грн
10+93.74 грн
100+63.71 грн
500+47.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7ANM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB7ANM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.50 грн
500+52.76 грн
1000+45.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 737 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7N52K3STMicroelectronics
на замовлення 882 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 737 pF @ 100 V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.49 грн
10+99.48 грн
100+83.46 грн
500+69.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NA40ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NA40T4
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NA40TA
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NB40ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NB40T4STMTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NB60ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NB60-1
на замовлення 953 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NB60T4STM07+ TO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NC70ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NC70Z-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NC70ZT4STTO-263
на замовлення 935 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NC80ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NC80Z-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NC80ZT4
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80Z-1STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 800V-1.5ohms Zener SuperMESH 5.2A
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80Z-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80Z-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+91.45 грн
2000+84.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB7NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+127.62 грн
500+100.39 грн
1000+89.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+109.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+117.58 грн
2000+113.90 грн
3000+113.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+70.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+110.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+94.49 грн
2000+91.40 грн
5000+90.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2A Zener SuperMESH
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
на замовлення 5582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.01 грн
10+164.84 грн
100+115.74 грн
500+97.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB7NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.53 грн
10+169.07 грн
100+126.80 грн
500+98.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.62 грн
10+105.72 грн
100+93.97 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+254.69 грн
5+186.18 грн
10+161.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4
Код товару: 51282
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+113.90 грн
3000+113.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+99.64 грн
2000+95.97 грн
3000+92.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80F03
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80N06-10
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80N20M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 200V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80N20M5STMN-Channel, 200V, 61A, D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80N20M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80N20M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4329 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80N20M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB80N20M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.019 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Mdmesh V
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+495.84 грн
5+420.24 грн
10+343.83 грн
50+298.14 грн
100+256.39 грн
250+236.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80N20M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 200V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80N20M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4329 pF @ 50 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.80 грн
10+262.66 грн
100+189.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB80N4F6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.14 грн
10+100.39 грн
100+71.18 грн
500+54.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80N4F6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80N4F6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80N4F6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80N4F6AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 5.5 mOhm typ 80 A, STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80N4F6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NE03L-06
Код товару: 185574
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NE03L-06ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NE03L-06-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NE03L-06-1STMicroelectronicsMOSFET N-Channel 30V - 0.005 Ohm - 80A - D2PAK STripFET M, POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NE03L-06T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80NE03L-06T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]