Продукція > BUK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK7K35-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7K35-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20.7A LFPAK56D Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 38W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: LFPAK56D Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 794pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A | на замовлення 1419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K35-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K35-60EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K35-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20.7 A, 20.7 A, 0.024 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 38W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 38W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K35-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7K35-60EX | Nexperia | MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 20.7A | на замовлення 2946 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K3R7-40NX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K3R7-40NX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 105 A, 3700 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 105A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 97W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K3R7-40NX | Nexperia | MOSFETs BUK7K3R7-40N/SOT1205 /LFPAK56D | на замовлення 1477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K3R7-40NX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K3R7-40NX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 105 A, 3700 µohm tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (25-Jun-2025) rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K45-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 21.4A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7K45-100EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K45-100EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.0376 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 53W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0376ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 53W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 1540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K45-100EX | Nexperia | MOSFETs SOT1205 100V 21.4A | на замовлення 854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K45-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 53W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.6mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 1356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1356 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7K45-100EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K45-100EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.0376 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 53W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0376ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 53W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 1540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K45-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 53W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.6mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 1356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K52-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 15.4A LFPAK56D Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Supplier Device Package: LFPAK56D Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 32W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K52-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 15.4A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7K52-60EX | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 12.6A; Idm: 71A; 32W Polarisation: unipolar Gate charge: 9.2nC On-state resistance: 101mΩ Drain current: 12.6A Power dissipation: 32W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 71A Application: automotive industry Drain-source voltage: 60V Case: LFPAK33; SOT1210 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7K52-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 15.4A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K52-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 15.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K52-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 15.4A LFPAK56D Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Supplier Device Package: LFPAK56D Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 32W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7K52-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 15.4A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K52-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 15.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K52-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 15.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K52-60EX | Nexperia | MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 15.4A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7K52-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 15.4A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K52-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 15.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K5R1-30E | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7K5R1-30E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2352pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K5R1-30E,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7K5R1-30E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7K5R1-30E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2352pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7K5R1-30E,115 | Nexperia | MOSFETs BUK7K5R1-30E/SOT1205/LFPAK56D | на замовлення 1192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K5R6-30E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 64W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56D | на замовлення 2674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K5R6-30E,115 | Nexperia | MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 71 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K5R6-30E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K6R2-40E/1X | Nexperia | BUK7K6R2-40E/1X | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K6R2-40E/CX | NXP USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 56LFPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7K6R2-40EX Код товару: 170638
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BUK7K6R2-40EX | Nexperia | MOSFETs Dual N-channel 40 V, 6.8 mΩ standard level MOSFET | на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K6R2-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 2280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K6R2-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7K6R2-40EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K6R2-40EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0058 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 68W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 68W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K6R2-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K6R2-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K6R2-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K6R2-40EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K6R2-40EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0058 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 68W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 68W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 76 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7K6R2-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7K6R2-40EX | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 40A; Idm: 308A; 68W Polarisation: unipolar Gate charge: 32.3nC On-state resistance: 5.8mΩ Drain current: 40A Power dissipation: 68W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 308A Application: automotive industry Drain-source voltage: 40V Case: LFPAK56D; SOT1205 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7K6R2-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K6R8-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K6R8-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K6R8-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K6R8-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K6R8-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1947pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 64W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56D Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA | на замовлення 1474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K6R8-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K6R8-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K6R8-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 19500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K6R8-40E,115 | Nexperia | MOSFETs BUK7K6R8-40E/SOT1205/LFPAK56D | на замовлення 1217 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K6R8-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K6R8-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1947pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7K6R8-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K6R8-40E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K6R8-40E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0068 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 64W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0068ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K6R8-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K6R8-40E/1X | Nexperia | BUK7K6R8-40E/1X | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K89-100EX | Nexperia | MOSFETs SOT1205 100V 13A | на замовлення 5750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K89-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 100V 13A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 38W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 811pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82.5mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 5702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K89-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 100V 13A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 38W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 811pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82.5mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K8R7-40E | Nexperia | MOSFET 40V Mosfet Dual N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7K8R7-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K8R7-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K8R7-40EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K8R7-40EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0085 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 53W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 53W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K8R7-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56D Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 53W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7K8R7-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K8R7-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K8R7-40EX | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 30A; Idm: 22.5A; 53W Polarisation: unipolar Gate charge: 21.8nC On-state resistance: 8.5mΩ Drain current: 30A Power dissipation: 53W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 22.5A Application: automotive industry Drain-source voltage: 40V Case: LFPAK56D; SOT1205 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7K8R7-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7K8R7-40EX | Nexperia | MOSFETs BUK7K8R7-40E/SOT1205/LFPAK56D | на замовлення 1477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K8R7-40EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K8R7-40EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0085 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 53W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 53W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K8R7-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 30A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K8R7-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K8R7-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 53W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56D Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V | на замовлення 323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7K8R7-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7L06-34ARC Код товару: 147504
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BUK7L06-34ARC,127 Код товару: 156116
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BUK7L06-34ARC,127 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 34V 75A TO220AB Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 1mA Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4533 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7L0634ARC | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BUK7L11-34ARC | NXP Semiconductors | MOSFETs TRENCHPLUS MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7L11-34ARC Код товару: 110898
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BUK7L11-34ARC,127 | NXP Semiconductors | MOSFET TRENCHPLUS MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7L11-34ARC,127 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 34V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 172W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2506 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7L11-34ARC/C3,1 | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7L11-34ARC/C4,1 | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7L1134ARC | на замовлення 86 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BUK7M10-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1231 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7M10-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 56A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 52500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7M10-40EX | Nexperia | MOSFETs N-channel 40 V, 11.0 mΩ standard level MOSFET in LFPAK33 | на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7M10-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1231 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7M10-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 56A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7M11-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 35A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. |

