Продукція > DMP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMP3165SVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 287 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP3165SVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V TSOT26 T&R 3K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP3165SVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 287 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D0U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 0.67A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D0U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 530MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 450mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 15 V | на замовлення 152428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP31D0U-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V P-Ch ENH Mode FET -30Vdss 8V 2.5A | на замовлення 17240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D0U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 530MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 450mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 15 V | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP31D0U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 0.67A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D0UFB4-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 X2-DFN1006-3 T&R 10K | на замовлення 35692 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D0UFB4-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 15 V | на замовлення 17014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP31D0UFB4-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 0.76A 3-Pin DFN T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D0UFB4-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D1U-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D1U-13 | Diodes Incorporated | Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D1U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 15 V | на замовлення 12357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP31D1U-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K | на замовлення 25308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D1U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 15 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP31D1UFB4-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K | на замовлення 680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D1UFB4Q-7B | Diodes Incorporated | Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-3 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D1UVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D1UVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.76A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 400mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7L | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V X1-DFN1006-3 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 0.58A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP31D7L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 420mA, 10V Power Dissipation (Max): 430mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7L-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 10K | на замовлення 9717 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 420mA, 10V Power Dissipation (Max): 430mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 15 V | на замовлення 525000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP31D7L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K | на замовлення 26613 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 0.58A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP31D7L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 420mA, 10V Power Dissipation (Max): 430mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 15 V | на замовлення 526665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP31D7L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 0.58A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 0.55A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP31D7LDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 0.55A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 420mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP31D7LDW-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -440mA; Idm: -2.4A; 400mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 0.55A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP31D7LDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT363 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 0.55A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 420mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP31D7LDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 0.55A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP31D7LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R 3K | на замовлення 32811 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LDW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP31D7LDW-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 550 mA, 550 mA, 0.5 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 550mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 550mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 420mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 0.55A 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LDW-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -440mA; Idm: -2.4A; 400mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LDW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP31D7LDW-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 550 mA, 550 mA, 0.5 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 550mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 550mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LDWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.55A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 290mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 420mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP31D7LDWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LDWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP31D7LDWQ-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 550 mA, 550 mA, 0.5 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 550mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 550mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LDWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT363 T&R 3K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LDWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP31D7LDWQ-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 550 mA, 550 mA, 0.5 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 550mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 550mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LDWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 290mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 420mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V X1-DFN1006-3 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LFB-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X1-DFN1006 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 810mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 420mA, 10V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LFB-7B | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 25V30V X1-DFN1006-3 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LFBQ-7B | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V X1-DFN1006-3 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LFBQ-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X1-DFN1006 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 810mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 420mA, 10V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 170000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP31D7LFBQ-7B | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP31D7LQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 420mA, 10V Power Dissipation (Max): 430mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LQ-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 25V30V SOT23 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LQ-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 25V30V SOT23 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 420mA, 10V Power Dissipation (Max): 430mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT523 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT523 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 420mA, 10V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT523 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 420mA, 10V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LT-7 | Diodes Zetex | DMP31D7LT-7 | на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP31D7LT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT523 T&R 3K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT523 T&R 3K | на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LV-13 | Diodes Incorporated | Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LVQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFETBVDSS:8V~24VSOT563T&R10K Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 420mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP31D7LVQ-13 | Diodes Incorporated | Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LVQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFETBVDSS:8V~24VSOT563T&R10K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 420mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP31D7LVQ-7 | Diodes Incorporated | Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 3K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LVQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFETBVDSS:8V~24VSOT563T&R3K Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 420mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP31D7LVQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFETBVDSS:8V~24VSOT563T&R3K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 420mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 420mA, 10V Power Dissipation (Max): 290mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LW-13 | Diodes Zetex | DMP31D7LW-13 | на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP31D7LW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 420mA, 10V Power Dissipation (Max): 290mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 15 V | на замовлення 125798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP31D7LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R 3K | на замовлення 8961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 420mA, 10V Power Dissipation (Max): 290mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 15 V | на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP31D7LWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 420mA, 10V Power Dissipation (Max): 290mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP31D7LWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 420mA, 10V Power Dissipation (Max): 290mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP32D4S | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP32D4S-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51.16 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP32D4S-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP32D4S-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -250mA; Idm: -1A; 540mW; SOT23 Pulsed drain current: -1A Power dissipation: 0.54W Gate charge: 1.2nC Polarisation: unipolar Drain current: -0.25A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: SOT23 On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP32D4S-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch ENH FET -30V 2.4Ohm -10V -300mA | на замовлення 14645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP32D4S-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51.16 pF @ 15 V | на замовлення 5736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP32D4S-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP32D4S-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP32D4S-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -250mA; Idm: -1A; 540mW; SOT23 Pulsed drain current: -1A Power dissipation: 0.54W Gate charge: 1.2nC Polarisation: unipolar Drain current: -0.25A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT23 On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP32D4S-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V P-CH ENHANCEMENT 2.4mOhm -10V -300mA | на замовлення 17356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP32D4S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP32D4S-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51.16 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP32D4S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 216000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP32D4S-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51.16 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP32D4SFB-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 400MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 15 V | на замовлення 9998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP32D4SFB-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP32D4SFB-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 400 mA, 2.4 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 1.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm | на замовлення 4752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP32D4SFB-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 0.5A 3-Pin X1-DFN T/R | на замовлення 5347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP32D4SFB-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 400MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP32D4SFB-7B | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.4A; 0.5W; X1-DFN1006-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -400mA Power dissipation: 0.5W Case: X1-DFN1006-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP32D4SFB-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP32D4SFB-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 400 mA, 2.4 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 1.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm | на замовлення 4752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |

