Продукція > 2N3
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N3819 TRE PBFREE | Central Semiconductor | 2N3819 TRE PBFREE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3819 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 8V 10MA 360MW TH JFET N CHANNEL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V Supplier Device Package: TO-92-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Power - Max: 360 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 8 V @ 2 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3819 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | JFETs 8V,10mA,360mW Through-Hole JFET N Channel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3819_D27Z | onsemi | Description: RF MOSFET JFET 25V TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Current Rating (Amps): 50mA Mounting Type: Through Hole Configuration: N-Channel Technology: JFET Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3819_D74Z | onsemi | Description: RF MOSFET JFET 25V TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Current Rating (Amps): 50mA Mounting Type: Through Hole Configuration: N-Channel Technology: JFET Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3819_Q | onsemi / Fairchild | JFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N381A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N382 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3820 | onsemi | Description: JFET P-CH 20V TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 20 V Supplier Device Package: TO-92-3 Power - Max: 350 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 8 V @ 10 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300 µA @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3820 | onsemi | JFETs P-Channel Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3820 | Central Semiconductor Corp | Description: JFET P-CH 20V TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 20 V Supplier Device Package: TO-92 Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Power - Max: 360 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 8 V @ 10 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300 mA @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3820 PBFREE | Central Semiconductor | JFET P-Ch JFET 20Vgd | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3820_D26Z | onsemi | Description: JFET P-CH 20V TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 20 V Supplier Device Package: TO-92-3 Power - Max: 350 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 8 V @ 10 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300 µA @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3820_D26Z | onsemi / Fairchild | JFET P-Channel Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3820_Q | onsemi / Fairchild | JFET P-Channel Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3821 | InterFET | JFETs JFET N-Channel -50V Low Ciss | на замовлення 440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3821 | SILICONI | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3821 | Microchip Technology | Trans JFET N-CH 50V 3-Pin TO-72 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3821 | Microchip Technology | Description: JFET N-CH 50V TO72 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Supplier Device Package: TO-72 Grade: Military Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Power - Max: 300 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 0.5 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.5 mA @ 15 V Qualification: MIL-PRF-19500/375 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3821 | Microchip Technology | JFETs 50V 300mW JFET THT | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3822 | Microchip Technology | Trans JFET N-CH 50V 3-Pin TO-72 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3822 | Microchip Technology | Description: JFET N-CH 50V TO72 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Supplier Device Package: TO-72 Grade: Military Part Status: Discontinued at Digi-Key Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Power - Max: 300 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 500 pA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 15 V Qualification: MIL-PRF-19500/375 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3822 | InterFET | JFETs JFET N-Channel -50V Low Ciss | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3822 | InterFET Corp. | JFET N-Channel 50 V 300 mW Through Hole TO-72 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3822 | TI | на замовлення 11980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3822 | Microchip Technology | JFETs 50V 300mW JFET THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3823 | Microchip Technology | JFETs JFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3823 | InterFET | JFETs JFET N-Channel -30V Low Ciss | на замовлення 501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3823 | InterFET Corp. | JFET N-Ch -30V FET 10mA 300mW 2mW VHF SS Amp TO-72-4 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3823 | Microchip Technology | Trans JFET N-CH 30V 3-Pin TO-72 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3823 | Microchip Technology | Description: JFET N-CH 30V TO72 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-72 Grade: Military Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 300 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 8 V @ 500 pA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V Qualification: MIL-PRF-19500/375 | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| 2N3823 | MOT | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3823UB | Microchip Technology | Description: JFET N-CH 30V UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 300 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 8 V @ 500 pA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4 mA @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3823UB | Microchip Technology | JFETs JFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3823UB/TR | Microchip Technology | JFETs JFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3823UB/TR | Microchip Technology | Description: JFET N-CH 30V UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 300 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 8 V @ 500 pA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4 mA @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3824 | TI | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3824 | Microchip Technology | JFETs JFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3824 | Microchip Technology | Description: JFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3824 | InterFET | JFETs JFET N-Channel -50V Low Ciss | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3825 | MOTOROLA | на замовлення 23900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3826 | MOTOROLA | на замовлення 23900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3827 | MOTOROLA | на замовлення 23900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3828 | MOTOROLA | на замовлення 23900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3829 | MOTOROLA | на замовлення 23900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N382A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N383 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3830 | MOTOROLA | на замовлення 23900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3831 | MOTOROLA | на замовлення 23900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3832 | MOTOROLA | на замовлення 23900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3838 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6 PFLTPK Packaging: Bulk Package / Case: 6-FlatPack Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN, PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: 6-FlatPack Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3838 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 40V 600MA Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3838/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 40V 600MA Dual Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3838/TR | Microchip Technology | Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT Part Status: Active Supplier Device Package: 6-FlatPack DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Power - Max: 350mW Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN, PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-FlatPack Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3839 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3839 | N/A | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3839 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3839 LEADFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN VHF/UHF AM sistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3839 PBFREE | Central Semiconductor | Trans RF BJT NPN 15V 0.04A 300mW 4-Pin TO-72 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3839 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 15V 40MA 200MW TH TRANSISTOR-SMA Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Packaging: Box Supplier Device Package: TO-72 Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Frequency - Transition: 2GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Power - Max: 300mW Gain: 19dB Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3839 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN VHF/UHF AM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3839 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30Vcbo 15Vceo 2.5V 40mA 200mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3839 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 15V 40MA 200MW TH TRANSISTOR-SMA Supplier Device Package: TO-72 Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Frequency - Transition: 2GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Power - Max: 300mW Gain: 19dB Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Packaging: Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3839A | MOTOROLA | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N383A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N384 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N384/33 | CAN | на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3840 | MOTOROLA | на замовлення 23900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3841 | MOT | CAN | на замовлення 853 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3842 | MOT | CAN | на замовлення 591 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3848 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3848 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-63 Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 150 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3849 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N384A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N385 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3850 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Packaging: Bulk Power - Max: 40 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-59 Frequency - Transition: 20MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Transistor Type: NPN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3850 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3851 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Power - Max: 30 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-59 Transistor Type: PNP Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3851 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3852 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Power - Max: 30 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-59 Frequency - Transition: 20MHz Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200µA, 1mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3852 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3853 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3853 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Power - Max: 30 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-59 Transistor Type: PNP Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3857 | MOT | CAN | на замовлення 628 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3858 | Sprague | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3858A | GE | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3859A | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3859A | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3859A_D75Z | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N385A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N386 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3860 | на замовлення 532 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N3860 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,100mA,360mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3860 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 100MA 360MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2mA, 4.5V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3860 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 100MA 360MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2mA, 4.5V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3860 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,100mA,360mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3860 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3860 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 100MA 360MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2mA, 4.5V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3860 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 4.0pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3860 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 100MA 360MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2mA, 4.5V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |

