Продукція > 2N5

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2N5551CBUonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551CSM-JQR-BSemelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin CLLCC-1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551CSM-JQR-BSemelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551CTAonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551CYTAonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 182540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2597+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 2597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5551G - TRANSISTOR, NPN, 160V, 0.6A, TO92
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 197314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551GonsemiBipolar Transistors - BJT 600mA 180V NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551GOn SemiconductorNPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 , Pbfree Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551GON05+06+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551N7SOT-23
на замовлення 15100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RL1onsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RL1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RL1GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RL1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 97387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3912+9.02 грн
10000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 3912 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RL1GON SemiconductorТранзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RL1GON Semiconductor
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RL1GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 103387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2597+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 2597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RL1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3912+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 3912 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RL1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5551RL1G - 2N5551RL1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RLRAonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RLRAGonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RLRAGDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RLRMonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RLRMON05+06+
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RLRMGonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RLRMGON05+06+
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RLRPonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RLRPGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3912+9.02 грн
10000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 3912 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RLRPGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+9.78 грн
251+9.22 грн
501+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RLRPGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 278000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2273+6.21 грн
2679+5.27 грн
4001+3.76 грн
20001+3.45 грн
40001+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 2273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RLRPGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3912+9.02 грн
10000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 3912 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RLRPGonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RLRPGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 10513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3912+9.02 грн
10000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 3912 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RLRPGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 278000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.21 грн
2001+5.08 грн
4001+3.36 грн
20001+3.06 грн
40001+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RLRPGONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5551RLRPG - 2N5551RLRPG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RLRPGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1531+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 1531 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RLRPGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3912+9.02 грн
10000+8.04 грн
100000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 3912 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RLRPGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3912+9.02 грн
10000+8.04 грн
100000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 3912 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RLRPGonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 414513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2597+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 2597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551SHRSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551SW-STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551Tonsemi NPN/150V/0.6A/80-250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TAONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5551TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TAONS/FAINPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TAonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.10 грн
26+11.84 грн
100+7.34 грн
500+5.07 грн
1000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3113+4.53 грн
6000+4.21 грн
10000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 3113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TAONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
на замовлення 971 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.82 грн
32+13.07 грн
37+11.33 грн
53+7.84 грн
100+6.70 грн
500+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TAonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+4.16 грн
4000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TAonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 64986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TA.ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5551TA. - TRANSISTOR,BJT,NPN,160V V(BR)CEO,600MA I(C),TO-92 83C3404
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TARonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TAR_QDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 9945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.82 грн
41+10.26 грн
100+6.49 грн
200+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+12.73 грн
101+7.49 грн
145+5.19 грн
500+3.77 грн
1000+3.03 грн
2000+2.51 грн
4000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+5.17 грн
4000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 11413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2651+5.32 грн
2665+5.30 грн
2674+5.28 грн
3000+5.06 грн
6000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 2651 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+4.16 грн
4000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 11413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+5.42 грн
140+5.39 грн
141+5.15 грн
250+4.75 грн
500+4.54 грн
1000+4.52 грн
3000+4.50 грн
6000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2728+5.17 грн
4000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 2728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 32095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.10 грн
26+11.84 грн
100+7.34 грн
500+5.07 грн
1000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFRON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1593+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 1593 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFRonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 39205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.10 грн
26+11.84 грн
100+7.36 грн
500+5.09 грн
1000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFRON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFRON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 14974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.53 грн
33+23.46 грн
100+22.60 грн
250+20.90 грн
500+20.03 грн
1000+20.01 грн
3000+19.98 грн
6000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFRON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.05 грн
56+13.56 грн
100+8.86 грн
500+6.76 грн
1000+5.52 грн
2000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFRonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+4.17 грн
4000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFRonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 6331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFRONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+16.93 грн
34+12.33 грн
100+6.80 грн
500+4.43 грн
1000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFRON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3093+4.56 грн
6000+4.22 грн
10000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 3093 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFRON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 14974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
603+23.41 грн
604+23.37 грн
1000+23.34 грн
3000+22.48 грн
6000+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551Y
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551YBOFAIRCHILD
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551YBUOn SemiconductorNPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551YBUonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 14630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.10 грн
26+11.84 грн
100+7.36 грн
500+5.09 грн
1000+4.50 грн
2000+4.00 грн
5000+3.40 грн
10000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551YBUFAIRCHILD05+06+
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551YBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551YBVkec02+
на замовлення 25800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551YIUTAonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551YTAonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551YTAonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551ZL1onsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551ZL1GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551ZL1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5551ZL1G - 2N5551ZL1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551ZL1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 29679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3912+9.02 грн
10000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 3912 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551ZL1GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 31679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2597+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 2597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551_D10Zonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551_D74ZDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551_J05ZonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551_J18ZonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551_J61ZonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5552Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5552Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin TO-5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]