Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 32 36 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN059-150Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN059-150Y,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1529 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN059-150Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN059-150Y,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN059-150Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.046 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 7468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.92 грн
200+80.02 грн
500+58.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN059-150Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+52.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN059-150Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN059-150Y,115NexperiaMOSFETs SOT669 150V 43A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN059-150Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+100.16 грн
160+88.67 грн
211+67.45 грн
250+64.39 грн
500+39.56 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN059-150Y,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN059-150Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.046 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 7468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.99 грн
10+129.67 грн
50+107.92 грн
200+80.02 грн
500+58.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN063-150
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN063-1500
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN063-150D
на замовлення 27600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN063-150D,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
на замовлення 4414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN063-150D,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 29A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN063-150D,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 150V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.16 грн
3000+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN069-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.0566 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 56W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0566ohm
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.76 грн
14+59.12 грн
100+43.09 грн
500+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
691+51.30 грн
1000+47.33 грн
10000+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 691 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+33.11 грн
3000+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 17A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.4mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.48 грн
3000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+60.20 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.17 грн
3000+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN069-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.0566 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 56W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0566ohm
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.09 грн
500+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+36.00 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; Idm: 68A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.149Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 17A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.4mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 50 V
на замовлення 3063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.34 грн
10+41.13 грн
100+26.91 грн
500+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115NexperiaMOSFETs PSMN069-100YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 5839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.99 грн
10+43.19 грн
100+27.34 грн
500+21.40 грн
1000+18.36 грн
1500+16.57 грн
3000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN070-200BNXP USA Inc.Description: 35A, 200V, 0.07OHM, N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN070-200B
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN070-200B,118Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA PSMN070 - 35A, 200V, 0.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN070-200B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+212.62 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN070-200B,118-NEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 35A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN070-200PPHITO220 99+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN070-200P,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 3992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+200.81 грн
500+190.18 грн
1000+179.55 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN070-200P,127NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PSMN070-200P - 35A, 200
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
на замовлення 8812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+87.76 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN070-200P,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+200.81 грн
500+190.18 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN070-200P,127NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+224.44 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN070-200P,127NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 4146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.75 грн
10+118.56 грн
25+115.59 грн
50+110.15 грн
100+78.55 грн
500+74.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN070-200P,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+200.81 грн
500+190.18 грн
1000+179.55 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN070-200P,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+200.81 грн
500+190.18 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN070-200P,127-NXPNXP USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN070200PPHILIHPS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN071-100NSEXNexperia USA Inc.Description: PSMN071-100NSE/SOT1220-2/DFN20
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 559 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82.3mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
12+25.35 грн
100+15.20 грн
500+13.21 грн
1000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN071-100NSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 9.8A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN071-100NSEXNexperia USA Inc.Description: PSMN071-100NSE/SOT1220-2/DFN20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 559 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN071-100NSEXNexperiaMOSFETs N-channel 100 V, 82 mOhm standard level ASFET with enhanced SOA in DFN2020. Designedfor high power PoE, inrush management, eFuse and relay replacement
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.67 грн
12+28.02 грн
100+17.95 грн
500+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN071-100NSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 9.8A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.77 грн
9000+35.43 грн
18000+32.96 грн
27000+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 106500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.86 грн
3000+26.88 грн
7500+25.80 грн
9000+24.85 грн
10500+22.26 грн
37500+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+26.86 грн
3000+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaMOSFETs N-channel 25 V, 0.72 mohm, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 usingNextPowerS3 Technology
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.94 грн
10+43.66 грн
100+25.89 грн
500+21.68 грн
1000+18.98 грн
1500+16.50 грн
3000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.16 грн
51000+33.95 грн
76500+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 82500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.77 грн
21000+35.43 грн
42000+32.96 грн
63000+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 50 V
на замовлення 10591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.44 грн
10+47.19 грн
100+30.92 грн
500+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 115500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.10 грн
28500+33.91 грн
57000+31.54 грн
85500+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.04 грн
3000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+26.53 грн
3000+23.92 грн
4500+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN075-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.057 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.73 грн
16+52.75 грн
50+44.14 грн
200+32.91 грн
500+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+26.90 грн
3000+24.26 грн
4500+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 24430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1294+27.40 грн
10000+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 1294 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.81 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.32 грн
3000+18.81 грн
4500+17.94 грн
7500+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.56 грн
3000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+43.61 грн
3000+39.85 грн
6000+37.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.24 грн
3000+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.56 грн
3000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN075-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.057 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 49500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.16 грн
7500+33.95 грн
15000+31.59 грн
22500+28.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN085-150KNXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SO
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
406+87.39 грн
500+78.65 грн
1000+72.53 грн
Мінімальне замовлення: 406 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN085-150K
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN085-150KNXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SO
на замовлення 5398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
406+87.39 грн
500+78.65 грн
1000+72.53 грн
Мінімальне замовлення: 406 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN085-150K,518NXPDescription: NXP - PSMN085-150K,518 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1001+39.46 грн
Мінімальне замовлення: 1001 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN085-150K,518Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA PSMN085-150K - 3.5A, 15
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 6398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
324+61.25 грн
Мінімальне замовлення: 324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN085-150K,518-NEXNexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 152848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+72.87 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+123.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN0R7-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 300 A, 570 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
Verlustleistung: 158W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+381.76 грн
10+260.95 грн
100+180.41 грн
500+153.31 грн
1000+121.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+135.95 грн
3000+134.19 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 32 36 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]