Продукція > STB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STB85NF55LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.46 грн
10+136.26 грн
100+94.62 грн
500+75.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB85NF55LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB85NF55LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+73.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB85NF55LT4
Код товару: 131412
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB85NF55T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB85NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+123.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB85NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB85NF55T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 55 Volt 80 Amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB85NF55T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.80 грн
10+133.42 грн
100+92.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB85NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+123.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB85NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB85NS04ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 33 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
stb88c166-5m
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N50ET4
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N50ET4onsemiDescription: NFET D2PAK SPCL 500V TR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+117.10 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5STMicroelectronicsMOSFETs MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.92 грн
10+165.13 грн
100+100.10 грн
500+82.15 грн
1000+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+110.97 грн
10+98.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.97 грн
10+154.96 грн
100+107.99 грн
500+82.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.64 грн
10+175.00 грн
100+123.33 грн
500+104.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.67 грн
10+186.56 грн
100+115.29 грн
500+104.24 грн
1000+87.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB8NA50ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB8NC50
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB8NC50-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB8NC50T4ST
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB8NC70ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB8NC70Z-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB8NF03L
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB8NM60ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB8NM60DSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB8NM60DSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 0.9Ohm 8A
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+168.33 грн
10+150.05 грн
100+104.93 грн
500+86.29 грн
1000+70.41 грн
2000+66.13 грн
5000+63.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB8NM60DSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB8NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB8NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB8NM60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB8NM60T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB8NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.16 грн
10+165.91 грн
100+157.86 грн
500+138.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB8NM60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB8NM60T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB8NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.86 грн
500+138.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB8NM60T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 Volt 5 Amp
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+318.13 грн
10+143.69 грн
100+102.86 грн
500+99.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB8NS25ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB90NF03ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB90NF03LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB90NF03L-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB90NF03LT4
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB90NF3LLST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB95N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB95N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB95N3LLH6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 30 V 80 A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB95N4F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.81 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB95N4F3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 40V 5.0mOhm 80A STripFET III
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB95N4F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.72 грн
10+163.19 грн
100+131.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB95N4F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB95NF03ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NB50ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NB50
Код товару: 102413
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NB50-1
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NB50T4STMTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NB60ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NB60-1STTO202-3
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NC60ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NC60-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NC60T4STTO-263
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK50ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK50Z-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK50Z-1STMicroelectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK50ZFPSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK50ZT4
Код товару: 2225
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, V: 500 V
Струм стоку Idd, A: 7,2 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,72 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 910/32
Монтаж: SMD
у наявності: 53 шт
  • 32 шт - склад
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+24.00 грн
10+21.60 грн
100+19.90 грн
1000+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+49.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+67.06 грн
2000+62.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK50ZT4STMN-кан. MOSFET 500v, 7.2A, 0.72 Ом, D2PAK, (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK50ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 7.2 A Zener SuperMESH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK50ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB9NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.2 A, 0.72 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.47 грн
10+99.87 грн
100+74.74 грн
500+58.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+67.66 грн
2000+62.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+67.06 грн
2000+62.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK50ZT4
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.33 грн
10+95.50 грн
100+65.03 грн
500+48.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+67.58 грн
2000+62.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK50ZT4STMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 7,2 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 910 @ 25, Qg, нКл = 32 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 3.6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60Z-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60Z-1STMicroelectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZDSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZDST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZDT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZDT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZFDST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZFDT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZFPST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZT4STMMOSFET N-CH 600V 7A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+94.37 грн
2000+92.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.01 грн
10+184.87 грн
100+130.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.16 грн
10+160.37 грн
100+109.07 грн
500+95.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB9NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+123.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZT4
Код товару: 108646
Додати до обраних Обраний товар
STMicroelectronicsТранзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZT4STTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 950mOhm; 7A; 125W; -55°C ~ 150°C; STB9NK60ZT4 STB9NK60Z TSTB9NK60Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+54.09 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]