Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP70N10S312AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP70N10S312AKSA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0097 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 70 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 125 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 125 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0097 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP70N10S3L-12 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 70A TO220-3 OptiMOS-T | на замовлення 188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP70N10S3L12AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPP70N10S3L12AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP70N10S3L12AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5570 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP70N10S3L12AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP70N10SL-16 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 70A TO220-3 SIPMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP70N10SL-16 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP70N10SL16AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP70N12S311AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_100+ Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 70A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPP70N12S311AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-CHANNEL 100+ | на замовлення 621 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP70N12S311AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(120V 300V) Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP70N12S311AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(120V 300V) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP70N12S3L12AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_100+ Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP70N12S3L12AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_100+ Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) | на замовлення 39177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPP70N12S3L12AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 100+ | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP70P04P4-09 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -40V -70A TO220-3 OptiMOS-P2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP70P04P409AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CHANNEL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP77N06S2-12 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 55V 77A TO220-3 OptiMOS | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP77N06S212AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP77N06S212AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 77A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP77N06S212AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_)40V 60V) | на замовлення 485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP77N06S212AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 77A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPP77N06S212AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 38A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPP77N06S212AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 77A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPP77N06S212AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 77A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP77N06S212AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 77A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPP77N06S212AKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP77N06S212AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 9800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPP77N06S212AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 77A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPP77N06S3-09 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 77A TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80CN10N G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 13A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80CN10NG | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| IPP80CN10NGHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: PFET, 13A I(D), 100V, 0.08OHM, 1 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-123 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | на замовлення 5891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPP80N03S4L-03 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS-T2 | на замовлення 214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N03S4L-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS-T2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N03S4L03AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP80N03S4L03AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPP80N03S4L03AKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP80N03S4L03AKSA1 - IPP80N03 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE M tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 53086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPP80N03S4L03AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS-T2 | на замовлення 61 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N03S4L03AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N03S4L04AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N03S4L04AKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP80N03S4L04AKSA1 - IPP80N03 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE M tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N04S2-H4 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80N04S2-H4 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N04S204AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N04S2H4AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N04S2H4AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N04S2L-03 | INFINEON | 08+ SSOP | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N04S2L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N04S2L03AKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP80N04S2L03AKSA1 - IPP80N04 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE M tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 12579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPP80N04S2L03AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N04S2L03AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPP80N04S3 | на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80N04S3-03 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V | на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPP80N04S3-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N04S3-04 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N04S3-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N04S3-06 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N04S3-H4 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N04S303AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPP80N04S303AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Power Dissipation (Max): 188W (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N04S303AKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP80N04S303AKSA1 - IPP80N04 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE M tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPP80N04S304AKSA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V | на замовлення 452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPP80N04S306AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 52µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPP80N04S306AKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP80N04S306AKSA1 - IPP80N04 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE M tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPP80N04S306AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 52µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N04S3H4AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N04S4-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T2 | на замовлення 449 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N04S4-04 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T2 | на замовлення 487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N04S4-04 Код товару: 202358
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| IPP80N04S403AKSA1 | Infineon | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| IPP80N04S403AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N04S404AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N04S404AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T2 | на замовлення 466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N04S404AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N04S404AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N04S404AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP80N04S404AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO220-3-1, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO220-3-1 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPP80N04S4L-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T2 | на замовлення 757 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N04S4L04AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Vgs (Max): +20V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V | на замовлення 622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPP80N04S4L04AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N04S4L04AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP80N04S4L04AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0037 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N06S2-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 55V 80A TO220-3 OptiMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N06S2-07AKSA4 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N06S2-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 55V 80A TO220-3 OptiMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N06S2-09 | Infineon Technologies | Description: IPP80N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N06S2-09 | INF | 09+ | на замовлення 318 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N06S2-H5 | Infineon Technologies | Description: IPP80N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N06S205AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N06S205AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 55V 80A TO220-3 OptiMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N06S207AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N06S207AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPP80N06S207AKSA4 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N06S207AKSA4 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N06S207AKSA4 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_)40V 60V) | на замовлення 86 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N06S207AKSA4 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 37026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPP80N06S208 | Infineon | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| IPP80N06S208AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 215W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N06S208AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80N06S208AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPP80N06S208AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. |