Продукція > MRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MRF7S18125BHSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Package / Case: NI-780S Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Test: 1.1 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-780S Technology: LDMOS Gain: 16.5dB Power - Output: 125W Frequency: 1.93GHz Mounting Type: Chassis Mount | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S18170 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF7S18170H | на замовлення 33 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF7S18170HHS | FREESCALA | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MRF7S18170HR3 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-880 T/R | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF7S18170HR3 | NXP | Description: NXP - MRF7S18170HR3 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF7S18170HR3 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H Current - Test: 1.4 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-880H-2L Technology: LDMOS Gain: 17.5dB Power - Output: 50W Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz Mounting Type: Chassis Mount Current Rating (Amps): 10µA Package / Case: SOT-957A Packaging: Bulk | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF7S18170HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.81GHz Power - Output: 50W Gain: 17.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-880H-2L Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.4 A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S18170HSR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 1.81GHZ NI-880S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S18170HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S Current - Test: 1.4 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-880S Technology: LDMOS Gain: 17.5dB Power - Output: 50W Frequency: 1.81GHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: NI-880S Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S19080H | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF7S19080HR | на замовлення 1042 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF7S19080HR3 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-780 T/R | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF7S19080HR3 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF7S19080HR3 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-780 T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF7S19080HR3 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-957A Frequency: 1.99GHz Power - Output: 24W Gain: 18dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780H-2L Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 750 mA | на замовлення 656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF7S19080HR3 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-780 T/R | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF7S19080HR3 | NXP | Description: NXP - MRF7S19080HR3 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF7S19080HR5 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF7S19080HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Current - Test: 750 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-780H-2L Technology: LDMOS Gain: 18dB Power - Output: 24W Frequency: 1.99GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-957A Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S19080HSR3 | на замовлення 17 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF7S19080HSR3 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S Package / Case: NI-780S Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Test: 750 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NI-780S Technology: LDMOS Gain: 18dB Power - Output: 24W Frequency: 1.99GHz Mounting Type: Chassis Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S19080HSR5 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF7S19080HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Current - Test: 750 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-780S Technology: LDMOS Gain: 18dB Power - Output: 24W Frequency: 1.99GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-780S Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S19100NBR | FREESCALE | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MRF7S19100NBR1 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO272-4 Current - Test: 1 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Technology: LDMOS Gain: 17.5dB Power - Output: 29W Frequency: 1.93GHz ~ 1.99GHz Package / Case: TO-272BB Packaging: Bulk | на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF7S19100NBR1 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF7S19100NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 65V 5-Pin TO-270 W T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF7S19100NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 65V 5-Pin TO-270 W T/R | на замовлення 387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF7S19100NR1 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-4 Current - Test: 1 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Technology: LDMOS Gain: 17.5dB Power - Output: 29W Frequency: 1.93GHz ~ 1.99GHz Package / Case: TO-270AB Packaging: Bulk | на замовлення 3387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF7S19120N | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF7S19120NR | FREESCALE | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MRF7S19120NR1 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF7S19120NR1 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-4 Current - Test: 1.2 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Technology: LDMOS Gain: 18dB Power - Output: 36W Frequency: 1.99GHz Package / Case: TO-270AB Packaging: Bulk | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF7S19120NR1 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors 1990MHZ 36W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S19120NR1 | NXP | Description: NXP - MRF7S19120NR1 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF7S19170HHS | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF7S19170HR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors HV7 1.9GHZ 50W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S19170HR3 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF7S19170HR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S19170HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.99GHz Power - Output: 50W Gain: 17.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-880H-2L Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.4 A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S19170HR5 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors HV7 1.9GHZ 50W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S19170HS | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF7S19170HSR3 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S Gain: 17.2dB Power - Output: 50W Frequency: 1.99GHz Package / Case: NI-880S Packaging: Bulk Current - Test: 1.4 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-880S Technology: LDMOS | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF7S19170HSR3 | NXP | Description: NXP - MRF7S19170HSR3 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF7S19170HSR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors HV7 1.9GHZ 50W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S19170HSR3 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-880S T/R | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF7S19170HSR3 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-880S T/R | на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF7S19170HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S Current - Test: 1.4 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-880S Technology: LDMOS Gain: 17.2dB Power - Output: 50W Frequency: 1.99GHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: NI-880S Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S19170HSR5 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors HV7 1.9GHZ 50W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S19210HR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Current - Test: 1.4 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-780H-2L Technology: LDMOS Gain: 20dB Power - Output: 63W Frequency: 1.99GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-957A Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S19210HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-780H-2L Technology: LDMOS Gain: 20dB Power - Output: 63W Frequency: 1.99GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-957A Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Test: 1.4 A Voltage - Test: 28 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S19210HSR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 1.99GHZ NI780S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S19210HSR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 1.99GHZ NI780S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S21080HR3 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Bulk Package / Case: NI-780S-4S2S Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.11GHz ~ 2.17GHz Power - Output: 22W Gain: 18dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S-4S2S Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 800 mA | на замовлення 924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF7S21080HR3 | NXP | Description: NXP - MRF7S21080HR3 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF7S21080HR3 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-780 T/R | на замовлення 924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF7S21080HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Package / Case: SOT-957A Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Test: 800 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-780H-2L Technology: LDMOS Gain: 18dB Power - Output: 22W Frequency: 2.17GHz Mounting Type: Chassis Mount | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S21080HSR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors HV7 2.1GHZ 22W NI780HS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S21080HSR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Current - Test: 800 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-780S Technology: LDMOS Gain: 18dB Power - Output: 22W Frequency: 2.17GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-780S Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S21080HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Technology: LDMOS Gain: 18dB Power - Output: 22W Frequency: 2.17GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-780S Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Test: 800 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-780S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S21110HR3 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-780H-2L Technology: LDMOS Gain: 17.3dB Power - Output: 33W Frequency: 2.17GHz Package / Case: SOT-957A Packaging: Bulk Current - Test: 1.1 A | на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF7S21110HR3 | NXP | Description: NXP - MRF7S21110HR3 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF7S21110HR3 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-780 T/R | на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF7S21110HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Current - Test: 1.1 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-780H-2L Technology: LDMOS Gain: 17.3dB Power - Output: 33W Frequency: 2.17GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-957A Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S21110HR5 | NXP (VIA ROCHESTER) | Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF7S21110HR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-780 tariffCode: 85423190 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC Betriebsfrequenz, max.: 2.17GHz Betriebsfrequenz, min.: 2.11GHz euEccn: TBC Verlustleistung: -W Bauform - Transistor: NI-780 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S21110HS | на замовлення 27 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF7S21110HSR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S21110HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Current - Test: 1.1 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-780S Technology: LDMOS Gain: 17.3dB Power - Output: 33W Frequency: 2.17GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-780S Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S21150HR3 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF7S21150HR3 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 Current - Test: 1.35 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NI-780H-2L Technology: LDMOS Gain: 17.5dB Power - Output: 44W Frequency: 2.11GHz ~ 2.17GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-957A Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S21150HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Current - Test: 1.35 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NI-780H-2L Technology: LDMOS Gain: 17.5dB Power - Output: 44W Frequency: 2.11GHz ~ 2.17GHz Package / Case: SOT-957A Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Chassis Mount | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S21150HS | FREESC | на замовлення 320 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MRF7S21150HSR3 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-780S T/R | на замовлення 369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF7S21150HSR3 | Freescal | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MRF7S21150HSR3 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Current - Test: 1.35 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-780S Technology: LDMOS Gain: 17.5dB Power - Output: 44W Frequency: 2.11GHz ~ 2.17GHz Package / Case: NI-780S Packaging: Bulk | на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF7S21150HSR3 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-780S T/R | на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF7S21150HSR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors HV7 2.1GHZ 150W NI780HS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S21150HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Current - Test: 1.35 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-780S Technology: LDMOS Gain: 17.5dB Power - Output: 44W Frequency: 2.11GHz ~ 2.17GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-780S Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S21170H | freescale | 05+ TO-55 | на замовлення 32 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S21170HR | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF7S21170HR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S21170HR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S21170HR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S21170HR5 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF7S21170HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H Current - Test: 1.4 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-880H-2L Technology: LDMOS Gain: 16dB Power - Output: 50W Frequency: 2.17GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-957A Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S21170HS | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S21170HS | FREESCALE | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MRF7S21170HSR3 | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF7S21170HSR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-880S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.17GHz Power - Output: 50W Gain: 16dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-880S Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.4 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S21170HSR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S21210 | на замовлення 130 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF7S21210H | на замовлення 13 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF7S21210HR3 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF7S21210HR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S21210HR5 | NXP (VIA ROCHESTER) | Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF7S21210HR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-780 tariffCode: 85423190 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC Betriebsfrequenz, max.: 2.17GHz Betriebsfrequenz, min.: 2.11GHz euEccn: TBC Verlustleistung: -W Bauform - Transistor: NI-780 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF7S21210HR5 | Freescale Semiconductor | Description: FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 Package / Case: SOT-957A Packaging: Bulk Current - Test: 1.4 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Part Status: Active Supplier Device Package: NI-780H-2L Technology: LDMOS Gain: 18.5dB Power - Output: 63W Frequency: 2.17GHz | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF7S21210HS | FREESC | на замовлення 988 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MRF7S21210HSR | FREESCALE | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MRF7S21210HSR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. |

