Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF5210SPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 A, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мOм @ 38 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBF
Код товару: 37137
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 38 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2780/150
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLInfineonTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 590 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+112.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRL-CNCHIPNOBOTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 65mOhm; 30A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210S; IRF5210STRL; IRF5210STRR; SP001570130; SP001554020; SP001561786; IRF5210STRL-CN CHIPNOBO TIRF5210s CNB
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+58.44 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLHRInternational RectifierTrans MOSFET P-CH Si 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Очікується: 200 Од. ви
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 82400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+139.45 грн
1600+136.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 18230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+324.23 грн
10+200.41 грн
100+152.34 грн
500+139.19 грн
1000+101.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 604 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+231.72 грн
5+176.51 грн
10+157.18 грн
25+136.16 грн
100+112.63 грн
500+104.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
на замовлення 5495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.80 грн
10+179.13 грн
100+125.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 82400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+138.60 грн
1600+135.22 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+467.78 грн
10+306.98 грн
100+215.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBFInternational RectifierP-CH, 100 V, 40A, D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF
Код товару: 199795
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+101.77 грн
1600+91.51 грн
2400+88.20 грн
4000+80.78 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+316.19 грн
100+222.11 грн
800+172.98 грн
1600+155.75 грн
2400+139.00 грн
4000+127.83 грн
5600+124.50 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC
на замовлення 23172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+332.38 грн
10+214.41 грн
100+139.66 грн
500+116.61 грн
800+108.23 грн
2400+101.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 18230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+152.34 грн
500+139.19 грн
1000+101.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+467.78 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRIR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+189.00 грн
500+170.10 грн
1000+157.11 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF5210STRRPBF
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+189.00 грн
500+170.10 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBFInternational RectifierP-Channel, 100 V, 170 W, D2PAK-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.54 грн
10+176.66 грн
100+112.42 грн
500+102.65 грн
800+87.28 грн
2400+81.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+189.00 грн
500+170.10 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF522IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF522 RHARRISTO-220 04+
на замовлення 581 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF523Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
568+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 568 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF523HARRISIRF523
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.93 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF523HARRISIRF523
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.93 грн
1000+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STMN-кан. MOSFET 100V, 14A, 0.115Ом, 60Вт, -55...+175, TO-220 (STripFET MOSFET) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530
Код товару: 14593
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SiliconixTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 245 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 16 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530Vishay SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 14 А, Ptot, Вт = 88, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 670 @ 25, Qg, нКл = 26, Rds = 0,16 Ом @ 10 B, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2...4 B,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530
Код товару: 175506
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 26/670
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305International RectifierP-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 256 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.84 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305Infineon / IRMOSFETs MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -31A, 60 mOhm, 42 nC Qg, TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305UMWTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305International Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ -25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 110 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305UMWTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305International RectifierP-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, TO-220AB (HEXFET) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305LIR/FAIRCHILD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305LPBF
Код товару: 89217
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305LPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 55V 31A TO-262 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.69 грн
136+104.78 грн
250+100.58 грн
500+93.49 грн
1000+83.73 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.38 грн
50+92.43 грн
100+79.02 грн
500+61.60 грн
1000+48.48 грн
2000+46.07 грн
5000+45.62 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+55.46 грн
2000+54.76 грн
5000+54.21 грн
10000+45.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
436+81.33 грн
500+73.20 грн
1000+67.51 грн
Мінімальне замовлення: 436 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 6172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.60 грн
12+68.35 грн
100+60.12 грн
500+45.09 грн
1000+38.06 грн
5000+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+107.72 грн
10+60.10 грн
25+51.94 грн
50+45.30 грн
100+40.60 грн
500+35.64 грн
1000+33.70 грн
1250+33.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 18707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.96 грн
50+104.20 грн
100+93.72 грн
500+70.70 грн
1000+65.16 грн
2000+60.50 грн
5000+54.55 грн
10000+51.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.12 грн
50+63.48 грн
100+58.82 грн
500+50.30 грн
1000+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+87.53 грн
164+86.64 грн
189+75.29 грн
500+59.71 грн
1000+47.53 грн
2000+45.17 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 12440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.12 грн
10+101.18 грн
100+59.42 грн
500+48.18 грн
1000+43.08 грн
2000+40.29 грн
5000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+93.14 грн
154+92.20 грн
180+78.82 грн
500+61.44 грн
1000+48.36 грн
2000+45.96 грн
5000+45.50 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+55.46 грн
2000+54.76 грн
5000+54.21 грн
10000+45.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF
Код товару: 40618
3 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: THT
у наявності: 500 шт
  • 486 шт - склад
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 20 шт
  • 20 шт - очікується
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SInternational RectifierP-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SPBF
Код товару: 185643
Додати до обраних Обраний товар
JSMICROТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Монтаж: SMD
у наявності: 21 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+48.00 грн
10+44.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 60mOhms 42nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SPBF
Код товару: 37024
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності: 169 шт
  • 169 шт - склад
1+31.00 грн
10+27.80 грн
100+24.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SPBFInternational RectifierP-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLInfineonTranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+43.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLUMWDescription: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLInfineonTranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+43.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63, Rds = 60 мОм @ 16 A , 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 10 В, Pb-free,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+70.31 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+69.61 грн
1600+62.02 грн
2400+59.47 грн
4000+53.12 грн
5600+51.53 грн
8000+49.99 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+76.68 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 11800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.54 грн
500+60.52 грн
1000+49.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBFInternational RectifierP-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD) Транзистори
на замовлення 318 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
3+108.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.38 грн
10+98.62 грн
25+60.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF
Код товару: 155127
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+76.68 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 17176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.96 грн
10+129.43 грн
100+88.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 3284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.59 грн
10+126.07 грн
100+75.41 грн
500+61.24 грн
800+57.19 грн
2400+55.16 грн
4800+53.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 11800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.74 грн
50+125.46 грн
100+85.54 грн
500+60.52 грн
1000+49.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+95.65 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+162.93 грн
5+126.08 грн
10+110.11 грн
50+75.65 грн
100+64.72 грн
250+56.31 грн
500+52.11 грн
800+49.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRPBF
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+77.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH 60mOhm HEXFET -31A ID
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.78 грн
10+110.82 грн
100+64.87 грн
500+52.51 грн
800+46.99 грн
2400+43.99 грн
4800+41.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+123.69 грн
4000+114.18 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]