Продукція > BSC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC600N25NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC600N25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 28782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+199.15 грн
250+143.87 грн
1000+112.46 грн
3000+100.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC600N25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 28782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+305.63 грн
50+199.15 грн
250+143.87 грн
1000+112.46 грн
3000+100.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 29497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.42 грн
10+189.83 грн
100+133.56 грн
500+105.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+95.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 29955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC60HСтрочный трансформатор для TV
на замовлення 57 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC60JСтрочный трансформатор для TV
на замовлення 217 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC60J2(B)
Код товару: 177582
Додати до обраних Обраний товар
Трансформатори, мережеві фільтри, силові дроселі > Трансформатори рядкові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC60J2(B)Строчный трансформатор для TV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC60KСтрочный трансформатор для TV
на замовлення 298 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC60UСтрочный трансформатор для TV
на замовлення 18 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC62CСтрочный трансформатор для TV
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC670N25NSFDInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC670N25NSFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 125 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC670N25NSFDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC670N25NSFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+190.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC670N25NSFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC670N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 24 A, 0.067 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.93 грн
10+203.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC670N25NSFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+340.62 грн
55+259.30 грн
63+225.12 грн
100+206.85 грн
200+190.47 грн
500+168.71 грн
1000+160.63 грн
2000+156.59 грн
5000+151.54 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC670N25NSFDATMA1InfineonMOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC670N25NSFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC670N25NSFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC670N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 24 A, 0.067 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC670N25NSFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 125 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC670N25NSFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+142.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC670N25NSFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+142.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC68HСтрочный трансформатор для TV
на замовлення 49 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC68ZСтрочный трансформатор для TV
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC750N10ND GInfineonMOSFET N-CH 100V 13A TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC750N10ND GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
на замовлення 4431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC750N10ND GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 13A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 5830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC750N10NDGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 13A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 3991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC750N10NDGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC882N03LS GInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 702 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC882N03LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 34V 100A SON-8
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC882N03LSGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC882N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC882N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC882N03MS GInfineonQFN
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC882N03MSGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 23996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
577+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 577 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC882N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 22A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC882N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 22A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC882N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 22A/100A TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
547+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 547 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC882N03MSGATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC882N03MSGATMA1 - BSC882N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
527+45.36 грн
Мінімальне замовлення: 527 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03LS GInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
916+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 916 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03LS GInfineonQFN
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 34V 98A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03LSGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 14999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
916+24.95 грн
Мінімальне замовлення: 916 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03LSGInfineon
на замовлення 7130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03LSGATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC883N03LSGATMA1 - BSC883N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
814+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 814 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
801+44.17 грн
1000+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 801 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
801+44.17 грн
1000+40.74 грн
10000+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 801 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC883N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 98 A, 0.0032 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
801+44.17 грн
1000+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 801 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 17A/98A TDSON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1053 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
801+44.17 грн
1000+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 801 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 19A TDSON-8
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03MSGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 73343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
799+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 799 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03MSGROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC883N03MSG - BSC883N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
770+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 770 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC884N03MS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 17A/85A TDSON
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC884N03MS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 17A/85A TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC884N03MSGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 14149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
866+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 866 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC886N03LSInfineon
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC886N03LS GInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1205+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 1205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC886N03LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 65A TDSON-8
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC886N03LSGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 4609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1205+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 1205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC886N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/65A TDSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC886N03LSGATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC886N03LSGATMA1 - BSC886N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1072+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 1072 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC886N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC886N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.61 грн
500+16.53 грн
1000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC886N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/65A TDSON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC886N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/65A TDSON
на замовлення 8585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1205+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 1205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC886N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC886N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.40 грн
43+19.35 грн
100+18.61 грн
500+16.53 грн
1000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC8899N03MSInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 4952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1039+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 1039 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC889N03LS GInfineonQFN
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC889N03LSGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 329990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1126+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 1126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC889N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC889N03LSGATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC889N03LSGATMA1 - BSC889N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC889N03MSGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1154+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 1154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC889N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 44A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC900N20NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC900N20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.09 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.99 грн
500+53.36 грн
1000+47.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC900N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+45.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC900N20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.09 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.38 грн
10+106.48 грн
100+74.38 грн
500+57.21 грн
1000+49.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC900N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.68 грн
10+99.18 грн
100+67.54 грн
500+50.64 грн
1000+46.55 грн
2000+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC9131NJE1HHHBNXP USA Inc.Description: IC MPU QORIQ 800MHZ 520FCBGA
Part Status: Obsolete
Security Features: Boot Security, Cryptography, Random Number Generator
Graphics Acceleration: No
RAM Controllers: DDR3, DDR3L
Co-Processors/DSP: Signal Processing; SC3850, Security; SEC 4.4
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 32-Bit
USB: USB 2.0 (1)
Ethernet: 10/100/1000Mbps (2)
Supplier Device Package: 520-FCBGA (21x21)
Voltage - I/O: 1.8V, 2.5V, 3.3V
Core Processor: PowerPC e500
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Speed: 800MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 520-FBGA, FCBGA
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC9131NJE1HHHBFreescale SemiconductorDescription: IC MPU QORIQ 800MHZ 520FCBGA
Part Status: Active
Security Features: Boot Security, Cryptography, Random Number Generator
Graphics Acceleration: No
RAM Controllers: DDR3, DDR3L
Co-Processors/DSP: Signal Processing; SC3850, Security; SEC 4.4
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 32-Bit
USB: USB 2.0 (1)
Ethernet: 10/100/1000Mbps (2)
Supplier Device Package: 520-FCBGA (21x21)
Voltage - I/O: 1.8V, 2.5V, 3.3V
Core Processor: PowerPC e500
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Speed: 800MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 520-FBGA, FCBGA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC9131NJE1HHHBNXP / FreescaleMicroprocessors - MPU DSP, STARCORE 2 CORE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC9131NJE7HHHBNXP SemiconductorsMicroprocessors - MPU QorIQ Qonverge SoC, 800MHz StarCore DSP, 800MHz e500 CPU, MAPLE-B2F accelerator, DDR3, SEC, -40-105C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC9131NJE7HHHBNXP USA Inc.Description: IC MPU QORIQ 800MHZ 520FCBGA
Voltage - I/O: 1.8V, 2.5V, 3.3V
Core Processor: PowerPC e500
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Speed: 800MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 520-FBGA, FCBGA
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
Security Features: Boot Security, Cryptography, Random Number Generator
Graphics Acceleration: No
RAM Controllers: DDR3, DDR3L
Co-Processors/DSP: Signal Processing; SC3850, Security; SEC 4.4
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 32-Bit
USB: USB 2.0 (1)
Ethernet: 10/100/1000Mbps (2)
Supplier Device Package: 520-FCBGA (21x21)
Additional Interfaces: AIC, DUART, I2C, MMC/SD, SPI, USIM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC9131NJE7HHHBNXP SemiconductorsHigh-performance QorIQ 32-bit e500 Multicore Baseband Processor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC9131NJN1HHHBNXP / FreescaleMicroprocessors - MPU DSP, STARCORE 2 CORE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC9131NJN1HHHBNXP USA Inc.Description: IC MPU QORIQ 800MHZ 520FCBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 520-FBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 800MHz
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Core Processor: PowerPC e500
Voltage - I/O: 1.8V, 2.5V, 3.3V
Supplier Device Package: 520-FCBGA (21x21)
Ethernet: 10/100/1000Mbps (2)
USB: USB 2.0 (1)
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 32-Bit
Co-Processors/DSP: Signal Processing; SC3850
RAM Controllers: DDR3, DDR3L
Graphics Acceleration: No
Additional Interfaces: AIC, DUART, I2C, MMC/SD, SPI, USIM
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4615.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC9131NJN1HHHBNXP USA Inc.Description: IC MPU QORIQ 800MHZ 520FCBGA
Packaging: Box
Package / Case: 520-FBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 800MHz
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Core Processor: PowerPC e500
Voltage - I/O: 1.8V, 2.5V, 3.3V
Supplier Device Package: 520-FCBGA (21x21)
Ethernet: 10/100/1000Mbps (2)
USB: USB 2.0 (1)
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 32-Bit
Co-Processors/DSP: Signal Processing; SC3850
RAM Controllers: DDR3, DDR3L
Graphics Acceleration: No
Additional Interfaces: AIC, DUART, I2C, MMC/SD, SPI, USIM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC9131NJN1HHHB557NXP USA Inc.Description: IC MPU QORIQ 800MHZ 520FCBGA
Part Status: Active
Graphics Acceleration: No
RAM Controllers: DDR3, DDR3L
Co-Processors/DSP: Signal Processing; SC3850
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 32-Bit
USB: USB 2.0 (1)
Ethernet: 10/100/1000Mbps (2)
Supplier Device Package: 520-FCBGA (21x21)
Voltage - I/O: 1.8V, 2.5V, 3.3V
Core Processor: PowerPC e500
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Speed: 800MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 520-FBGA, FCBGA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]