Продукція > BSC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSC500N20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC500N20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC500N20NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC500N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 96W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC500N20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 24A TDSON-8 | на замовлення 149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC500N20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 3378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC500N20NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 24A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC500N20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 100 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC500N20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC500N20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC500N20NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC500N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 96W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC520N15NS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 22743 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC520N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC520N15NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 57W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 21A Power dissipation: 57W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC520N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC520N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 75 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC520N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC520N15NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC520N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 14079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC520N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC520N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC520N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC520N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 75 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC52N15NS3GXT | Infineon | BSC52N15NS3GXT BSC520N15NS3GATMA1 MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC56H1Дисплей 7-сегментний, 1-розрядний, h=14.2мм, червоний, загальний анод (CA) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSC600N25NS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 3060 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC600N25NS3 G Код товару: 51668
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSC600N25NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V | на замовлення 7569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC600N25NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC600N25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm | на замовлення 26496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC600N25NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 23576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC600N25NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC600N25NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC600N25NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC600N25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm | на замовлення 26496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC600N25NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC60H | Строчный трансформатор для TV | на замовлення 57 шт: термін постачання 3-5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSC60J | Строчный трансформатор для TV | на замовлення 217 шт: термін постачання 3-5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSC60J2(B) Код товару: 177582
Додати до обраних
Обраний товар
| Трансформатори, мережеві фільтри, силові дроселі > Трансформатори рядкові | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSC60J2(B) | Строчный трансформатор для TV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSC60K | Строчный трансформатор для TV | на замовлення 298 шт: термін постачання 3-5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSC60U | Строчный трансформатор для TV | на замовлення 18 шт: термін постачання 3-5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSC62C | Строчный трансформатор для TV | на замовлення 1 шт: термін постачання 3-5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSC670N25NSFD | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC670N25NSFDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC670N25NSFDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 125 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC670N25NSFDATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC670N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 24 A, 0.067 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 23 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC670N25NSFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS | на замовлення 4660 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC670N25NSFDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC670N25NSFDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC670N25NSFDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 125 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC670N25NSFDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC670N25NSFDATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC670N25NSFDATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC670N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 24 A, 0.067 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC670N25NSFDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC68H | Строчный трансформатор для TV | на замовлення 49 шт: термін постачання 3-5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSC68Z | Строчный трансформатор для TV | на замовлення 1 шт: термін постачання 3-5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSC750N10ND G | Infineon | MOSFET N-CH 100V 13A TDSON-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC750N10ND G | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON | на замовлення 4431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC750N10ND G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 13A TDSON-8 OptiMOS 2 | на замовлення 5830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC750N10NDGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC750N10NDGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 13A TDSON-8 OptiMOS 2 | на замовлення 3991 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC882N03LS G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 34V 100A SON-8 | на замовлення 303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC882N03LS G | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 702 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC882N03LSG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC882N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 34V 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC882N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 34V 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC882N03MS G | Infineon | QFN | на замовлення 191 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC882N03MSG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V | на замовлення 23996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC882N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 34V 22A/100A TDSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC882N03MSGATMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC882N03MSGATMA1 - BSC882N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC882N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 34V 22A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC882N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 34V 22A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC883N03LS G | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC883N03LS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 34V 98A TDSON-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC883N03LSG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 14999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC883N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 34V 17A/98A TDSON | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1053 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC883N03LSGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC883N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 98 A, 0.0032 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 34 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 57 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2 euEccn: NLR Verlustleistung: 57 Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 4930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC883N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 34V 17A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 14179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC883N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 34V 17A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 9166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC883N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC883N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 34V 17A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC883N03LSGATMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC883N03LSGATMA1 - BSC883N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 814 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC883N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC883N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 34V 17A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 4941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC883N03MS G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 19A TDSON-8 | на замовлення 3775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC883N03MSG | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC883N03MSG - BSC883N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC883N03MSG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V | на замовлення 73343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC883N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC883N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC883N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC884N03MS G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 34V 17A/85A TDSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC884N03MS G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 34V 17A/85A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC884N03MSG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V | на замовлення 14149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC886N03LS | Infineon | на замовлення 199 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSC886N03LS G | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC886N03LS G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 65A TDSON-8 | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC886N03LSG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 4609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC886N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A/65A TDSON | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC886N03LSGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC886N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 4936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC886N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A/65A TDSON | на замовлення 8585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC886N03LSGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC886N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 4936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC886N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A/65A TDSON | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC886N03LSGATMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC886N03LSGATMA1 - BSC886N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1072 шт В кошику од. на суму грн. |