Продукція > FDM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS7680onsemi / FairchildMOSFET 30/20V Nch PowerTrench
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
532+26.59 грн
Мінімальне замовлення: 532 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.19 грн
50+15.25 грн
100+12.32 грн
250+10.96 грн
500+10.03 грн
1000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
560+25.27 грн
569+24.89 грн
577+24.52 грн
1000+23.28 грн
3000+21.47 грн
Мінімальне замовлення: 560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 15 V
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+45.82 грн
100+30.05 грн
500+21.85 грн
1000+19.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682onsemiMOSFETs 30V/20V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 127379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
492+28.78 грн
531+26.65 грн
560+25.26 грн
564+24.19 грн
1000+21.50 грн
Мінімальне замовлення: 492 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
577+24.52 грн
580+24.42 грн
582+24.33 грн
1000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 577 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.78 грн
29+26.65 грн
100+25.26 грн
500+24.19 грн
1000+21.50 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
928+15.25 грн
1108+12.78 грн
1153+12.28 грн
1209+11.28 грн
1499+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 928 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1118+31.64 грн
10000+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 1118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682onsemi / FairchildMOSFETs 30V/20V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 128649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682-NConsemiDescription: PT7 30V/20V NCH ER TREN M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682-NConsemiMOSFETs PT7 30V/20V NCH ER TREN M
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682-NConsemiDescription: PT7 30V/20V NCH ER TREN M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/28A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.99 грн
6000+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692onsemiMOSFETs PT7 30/20V Nch PowerTrench
на замовлення 43490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.42 грн
34+22.28 грн
100+21.15 грн
250+19.26 грн
500+18.18 грн
1000+17.88 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
635+22.28 грн
645+21.93 грн
656+21.57 грн
667+20.46 грн
1000+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 635 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/28A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 10723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
10+43.63 грн
100+28.55 грн
500+20.71 грн
1000+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692onsemi / FairchildMOSFETs PT7 30/20V Nch PowerTrench
на замовлення 46639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
588+60.19 грн
1000+55.50 грн
Мінімальне замовлення: 588 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A/28A 8QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.38 грн
10+61.67 грн
100+47.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692AON Semiconductor / FairchildMOSFET PT7 30/20V Nch PowerTrench
на замовлення 3665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.15 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A/28A 8QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+28.46 грн
506+28.00 грн
514+27.55 грн
522+26.13 грн
531+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.2A/20A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694onsemi / FairchildMOSFETs 30V NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 206036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.00 грн
100+26.57 грн
250+24.20 грн
500+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1153+30.67 грн
Мінімальне замовлення: 1153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694onsemiMOSFETs 30V NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 160746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 27W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 27W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 23254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1334+26.50 грн
10000+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 1334 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.2A/20A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 15 V
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.23 грн
100+28.03 грн
500+23.64 грн
1000+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694-NConsemiMOSFETs PT7 30V/20V NCH ER TREN M
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7696AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13.2A
Packaging: Bulk
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1902+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 1902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7696AONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS7696A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7698ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
676+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 676 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7698ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7698onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.62 грн
6000+18.81 грн
9000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7698ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7698ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1091+32.43 грн
Мінімальне замовлення: 1091 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7698onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 9098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7698ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7698ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.68 грн
49+15.47 грн
50+14.76 грн
100+13.42 грн
250+12.86 грн
500+12.82 грн
1000+12.41 грн
3000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7698onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 15 V
на замовлення 10119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+45.29 грн
100+31.35 грн
500+24.58 грн
1000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7698ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
925+15.30 грн
942+15.03 грн
943+15.00 грн
946+14.42 грн
1000+12.92 грн
3000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 925 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7698_F065ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V 22A 10mOhms N-Ch PowerTrench
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7698_F065Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A PWR56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7698_F065Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A PWR56
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7698_F065Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A PWR56
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7700SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7700SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7700SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7700Sonsemi / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.05 грн
11+74.84 грн
100+65.67 грн
500+56.28 грн
1000+51.02 грн
3000+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 0.0018 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 1501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+73.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018onsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 0.0018 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 1501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 110A; Idm: 680A; 83W; Power56
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 83W
Gate charge: 61nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 110A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5235 pF @ 15 V
на замовлення 31698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.14 грн
10+90.95 грн
50+68.58 грн
100+57.58 грн
500+45.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+98.63 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5235 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.10 грн
6000+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8020onsemiMOSFETs 30V 42A 2.5mohms NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 40869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8020onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8020ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 26A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8020onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.46 грн
10+81.29 грн
100+54.80 грн
500+40.78 грн
1000+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8023SONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; Power56
Mounting: SMD
Case: Power56
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 59W
Gate charge: 57nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 49A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8023SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 26A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8023SonsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8023SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 26A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8023SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 26A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 15 V
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.17 грн
10+66.27 грн
100+44.22 грн
500+32.62 грн
1000+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+40.49 грн
Мінімальне замовлення: 533 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8025AS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
на замовлення 90979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
426+48.05 грн
Мінімальне замовлення: 426 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 87979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+80.05 грн
500+72.05 грн
1000+66.44 грн
10000+57.13 грн
Мінімальне замовлення: 442 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025SonsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
на замовлення 5328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.27 грн
10+68.76 грн
100+48.21 грн
500+38.15 грн
1000+35.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+80.05 грн
500+72.05 грн
1000+66.44 грн
Мінімальне замовлення: 442 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+80.05 грн
500+72.05 грн
1000+66.44 грн
Мінімальне замовлення: 442 шт
В кошику  од. на суму  грн.