Продукція > FDM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS7650 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7650 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14965 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7650 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7650 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7650 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS7650 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 990 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm | на замовлення 6387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7650 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7650 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14965 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7650 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7650 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30/20V N-Chan PowerTrench | на замовлення 10959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7650DC | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V N-Chnl Dual Cool Pwr Trench MOSFET | на замовлення 15083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7650DC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 47A 8-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7650DC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 47A 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7650DC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 47A POWER56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14765 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7650DC | onsemi | MOSFETs 30V N-Chnl Dual Cool Pwr Trench MOSFET | на замовлення 14307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7650DC | ON Semiconductor | на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDMS7650DC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 47A 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7650DC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 47A 8-Pin Power 56 T/R | на замовлення 447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7650DC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 47A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14765 pF @ 15 V | на замовлення 5111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7656AS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 31A/49A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8705 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 49A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7656AS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 31A/49A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8705 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 49A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7656AS | onsemi / Fairchild | MOSFETs PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFET | на замовлення 7414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7658AS | ON Semiconductor | на замовлення 180000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDMS7658AS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 29A/70A 8PQFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7658AS | onsemi / Fairchild | MOSFET PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFET | на замовлення 1954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7658AS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 29A/70A 8PQFN | на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7660 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7660 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7660 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5565 pF @ 15 V | на замовлення 3483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7660 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7660 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7660 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5565 pF @ 15 V | на замовлення 4168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7660 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7660 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5565 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7660 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7660 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7660 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5565 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7660 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7660 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30/20V Nch Power Trench | на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7660AS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 26A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7660AS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 26A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 5255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7660AS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 26A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7660AS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 15 V | на замовлення 3554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7660AS | onsemi / Fairchild | MOSFETs PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFET | на замовлення 1089 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7660AS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 26A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7660AS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 26A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7660AS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7670 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 21A/42A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4105 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7670 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V 42A N-Channel PowerTrench | на замовлення 4977 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7670 | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4105 pF @ 15 V | на замовлення 145098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7670 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7670 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 21A/42A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4105 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 21A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | на замовлення 4895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7670 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 150A; 62W; Power56 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 56nC On-state resistance: 5.3mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 42A Power dissipation: 62W Pulsed drain current: 150A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7670 | FAIRCHILD | 10+ POWER56 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7670 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7670AS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 22A/42A 8PQFN | на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7670AS | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFET | на замовлення 5760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7670AS | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS7670AS - MOSFET, N CH, 30V, 42A, POWER56 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1290 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7670AS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 22A/42A 8PQFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7672 | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 28A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: Power56 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7672 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V 28A N-Channel PowerTrench | на замовлення 3597 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7672AS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7672AS | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7672AS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7672AS | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7672AS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN | на замовлення 2868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7672AS | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFET | на замовлення 3955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7676 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V POWER56 | на замовлення 28606000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7676 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS7676 - MOSFET, N CH, 30V, 28A, POWER56 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 7089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7676 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V POWER56 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7676 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30/20V N-Chan PowerTrench | на замовлення 2824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7676 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V POWER56 | на замовлення 2860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7678 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS7678 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 26 A, 0.0055 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 41W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm | на замовлення 1342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7678 | onsemi | MOSFETs 30V/20V N-Ch PowerTrench SyncFET | на замовлення 72297 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7678 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A/26A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7678 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS7678 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 26 A, 0.0055 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 41W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm | на замовлення 1342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7678 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7678 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V/20V N-Ch PowerTrench SyncFET | на замовлення 73118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7678 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A/26A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7678-NC | onsemi | MOSFETs PT8 30V/20V NCH ERTREN SY | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7680 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/28A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 33W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 28A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 6279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7680 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS7680 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 39012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7680 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7680 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/28A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 33W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 28A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7680 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7680 | onsemi / Fairchild | MOSFET 30/20V Nch PowerTrench | на замовлення 541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7682 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V/20V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 128649 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7682 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7682 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7682 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 16A/22A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 15 V | на замовлення 1457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7682 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 2948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7682 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7682 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS7682 | onsemi | MOSFETs 30V/20V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 127604 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7682 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7682 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 2271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDMS7682 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 16A/22A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |

