Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB60R199CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+127.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R199CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R199CPATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R199CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R210CFD7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R210CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R210CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+140.26 грн
1000+129.65 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R210CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R210CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R210CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+140.26 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R230P6Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R230P6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_PRICE/PERFORM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R230P6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 16.8A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R250CPInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 12A D2PAK-2 CoolMOS CP
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R250CPInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
на замовлення 41770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+110.77 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R250CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 62900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+115.83 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R250CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.86 грн
500+143.79 грн
1000+135.54 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R250CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.86 грн
500+143.79 грн
1000+135.54 грн
10000+122.75 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R250CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 45845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.86 грн
500+143.79 грн
1000+135.54 грн
10000+122.75 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R250CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R250CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.86 грн
500+143.79 грн
1000+135.54 грн
10000+122.75 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R250CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.86 грн
500+143.79 грн
1000+135.54 грн
10000+122.75 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R250CPATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 12A D2PAK-2 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 13.8A D2PAK-2 CoolMOS C6
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280C6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 13.8A D2PAK-2 CoolMOS C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.36 грн
10+113.52 грн
25+111.69 грн
100+105.92 грн
250+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280C6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 807 pF @ 400 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.49 грн
10+129.75 грн
100+89.43 грн
500+67.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+140.26 грн
1000+129.65 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 700-709 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 807 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+139.08 грн
500+124.93 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_PRICE/PERFORM
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.52 грн
10+123.03 грн
100+84.81 грн
500+66.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.59 грн
10+130.08 грн
100+102.22 грн
500+80.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+62.41 грн
3000+53.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+72.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+72.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+120.22 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 6042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.47 грн
10+118.43 грн
50+90.23 грн
100+76.16 грн
500+61.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+209.59 грн
109+130.08 грн
139+102.22 грн
500+80.75 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 5488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS CPA
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAInfineon
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R299CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+174.44 грн
500+165.01 грн
1000+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+283.26 грн
10+235.47 грн
25+221.82 грн
100+200.95 грн
500+178.63 грн
1000+168.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+174.44 грн
500+165.01 грн
1000+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS CPA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R299CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 96W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+283.26 грн
61+235.47 грн
64+221.82 грн
100+200.95 грн
500+178.63 грн
1000+168.80 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.13 грн
10+80.11 грн
25+75.98 грн
50+69.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS CP
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R330P6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R330P6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_PRICE/PERFORM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1818.62 грн
100+1727.86 грн
500+1637.11 грн
1000+1491.13 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1818.62 грн
100+1727.86 грн
500+1637.11 грн
1000+1491.13 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7Infineon
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+61.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
на замовлення 875 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.46 грн
117+121.76 грн
130+109.55 грн
156+87.77 грн
500+67.38 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.82 грн
10+101.22 грн
50+76.72 грн
100+64.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+61.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.46 грн
10+121.76 грн
50+109.55 грн
100+87.77 грн
500+67.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+98.10 грн
500+88.29 грн
1000+81.42 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R380C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 10.6A D2PAK-2 CoolMOS C6
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
500+130.83 грн
1000+120.22 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
500+130.83 грн
1000+120.22 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R380P6Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R380P6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R380P6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_PRICE/PERFORM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R385CPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R385CPInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 9A D2PAK-2 CoolMOS CP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R385CPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R385CPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]