Продукція > IPB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB60R280P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS CPA
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R299CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+174.82 грн
500+165.38 грн
1000+157.11 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+283.89 грн
10+235.99 грн
25+222.31 грн
100+201.40 грн
500+179.03 грн
1000+169.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+174.82 грн
500+165.38 грн
1000+157.11 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R299CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 96W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+283.89 грн
61+235.99 грн
64+222.31 грн
100+201.40 грн
500+179.03 грн
1000+169.18 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS CPA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS CP
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.37 грн
10+80.29 грн
25+76.15 грн
50+69.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R330P6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R330P6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_PRICE/PERFORM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1822.67 грн
100+1731.71 грн
500+1640.76 грн
1000+1494.45 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1822.67 грн
100+1731.71 грн
500+1640.76 грн
1000+1494.45 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7Infineon
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+61.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
на замовлення 860 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+128.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.88 грн
117+122.03 грн
130+109.79 грн
156+87.96 грн
500+67.53 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.53 грн
10+104.10 грн
50+78.89 грн
100+66.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+61.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.88 грн
10+122.03 грн
50+109.79 грн
100+87.96 грн
500+67.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+98.32 грн
500+88.49 грн
1000+81.60 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R380C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 10.6A D2PAK-2 CoolMOS C6
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+131.12 грн
1000+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+131.12 грн
1000+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R380P6Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R380P6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R380P6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_PRICE/PERFORM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R385CPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R385CPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R385CPInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 9A D2PAK-2 CoolMOS CP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R385CPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R385CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R385CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+230.34 грн
500+218.53 грн
1000+205.54 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R385CPATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-TO263-3
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CP
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 0.385Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R520CPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+110.04 грн
500+99.03 грн
1000+91.32 грн
10000+78.51 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R520CPInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 6.8A D2PAK-2 CoolMOS CP
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R520CPInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+78.77 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R520CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6.8A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R600C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 7.3A D2PAK-2 CoolMOS C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R600C6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 7.3A D2PAK-2 CoolMOS C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R600C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+399.31 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R600C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R600CPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+96.02 грн
500+86.42 грн
1000+79.70 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R600CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 6.1A D2PAK-2 CoolMOS CP
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R600CPInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+69.27 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R600CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6.1A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R600P6Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R600P6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_PRICE/PERFORM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R600P6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R600P6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R950C6Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R950C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 4.4A D2PAK-2 CoolMOS C6
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R950C6Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R950C6Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R950C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 4.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S3-20Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 64A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S3-20Infineon
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB64N25S320ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+516.46 грн
10+336.47 грн
50+267.51 грн
100+230.25 грн
500+221.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 250V; 46A; Idm: 256A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 256A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 64A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+524.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB64N25S320ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+213.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 64A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 64A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R041CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R041CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R041CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R041CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R041CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R041CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R041CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R041CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+671.79 грн
10+443.41 грн
100+328.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R041CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+602.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 46A D2PAK-2 CoolMOS C7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1640.08 грн
10+1590.03 грн
20+1492.05 грн
50+1348.77 грн
100+1267.62 грн
250+1243.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1370.61 грн
25+1307.33 грн
50+1254.72 грн
100+1167.26 грн
250+1047.26 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 46A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 46A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 46A D2PAK-2 CoolMOS C7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 46A; 227W; D2PAK,TO263; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 93nC
Electrical mounting: SMT
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+550.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+871.01 грн
10+640.97 грн
25+630.18 грн
50+601.63 грн
100+451.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+857.40 грн
10+572.42 грн
50+464.14 грн
100+424.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+615.43 грн
100+584.72 грн
500+554.01 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.