Продукція > FDM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS8025SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
на замовлення 90979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
426+48.05 грн
Мінімальне замовлення: 426 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 87979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+80.05 грн
500+72.05 грн
1000+66.44 грн
10000+57.13 грн
Мінімальне замовлення: 442 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025SonsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
на замовлення 5328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.27 грн
10+68.76 грн
100+48.21 грн
500+38.15 грн
1000+35.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8026SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 15 V
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.90 грн
10+117.07 грн
100+80.40 грн
500+60.73 грн
1000+55.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8026SonsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8026SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8026SFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 15 V
на замовлення 42641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+83.87 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8026SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8026S - MOSFET, N CH, 30V, 22A, POWER56
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8027SonsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8027SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8027SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 15 V
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.28 грн
10+92.61 грн
100+66.07 грн
500+50.61 грн
1000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8027SONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 100A; 36W; Power56
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 36W
Gate charge: 31nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8027S-NConsemiMOSFETs PT8 N 30/20 SYNCFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050onsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 750µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22610 pF @ 15 V
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+421.69 грн
10+270.67 грн
50+212.71 грн
100+182.13 грн
500+165.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050onsemiMOSFETs PT8 N 30/20 in Powerclip 56 Single
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050onsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 750µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22610 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; Idm: 400A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Pulsed drain current: 400A
Gate charge: 285nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 299A; Idm: 1914A; 180W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 180W
Case: Power56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 299A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Pulsed drain current: 1914A
Gate charge: 285nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 423A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 750µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22610 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.88 грн
10+239.27 грн
50+187.55 грн
100+160.38 грн
500+143.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 423A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 750µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22610 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+129.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30onsemiMOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 8369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+358.58 грн
44+323.98 грн
100+310.95 грн
250+286.49 грн
500+273.66 грн
1000+272.36 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+575.75 грн
10+403.44 грн
100+335.05 грн
500+304.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090onsemiMOSFETs 100V Sym Dual NCh MOSFET PowerTrench
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+543.18 грн
10+354.37 грн
100+258.69 грн
500+234.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+358.58 грн
10+324.92 грн
25+323.98 грн
100+310.95 грн
250+286.49 грн
500+273.66 грн
1000+272.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 59W; WDFN8
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+480.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8095ACON SemiconductorFDMS8095AC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N/P-CH 150V 62A/1A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8095AConsemi / FairchildMOSFETs PT5 150V Dual N & P-Channel Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8095AConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 150V 6.2A/1A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020pF @ 75V, 230pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+164.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8095ACON SemiconductorFDMS8095AC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N/P-CH 150V 62A/1A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+99.00 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8095ACON SemiconductorFDMS8095AC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N/P-CH 150V 62A/1A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8095ACONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8095AC - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8095ACON SemiconductorFDMS8095AC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N/P-CH 150V 62A/1A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8095AConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 150V 6.2A/1A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020pF @ 75V, 230pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+427.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8095ACON SemiconductorFDMS8095AC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N/P-CH 150V 62A/1A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8320L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 248 A, 0.0011 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+88.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320Lonsemi / FairchildMOSFETs 40V/20V NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+139.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 248A; Idm: 943A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 248A
Pulsed drain current: 943A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.40 грн
500+139.08 грн
1000+128.47 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+88.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LonsemiMOSFETs 40V/20V NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8320L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 248 A, 0.0011 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+91.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 20 V
на замовлення 12114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.60 грн
10+160.77 грн
100+137.99 грн
500+126.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+211.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDConsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 44A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11635 pF @ 20 V
на замовлення 4414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.15 грн
10+185.68 грн
100+130.56 грн
500+100.44 грн
1000+93.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 117962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.29 грн
500+152.04 грн
1000+143.79 грн
10000+129.56 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 27512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.29 грн
500+152.04 грн
1000+143.79 грн
10000+129.56 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+131.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+101.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8320LDC - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 212255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 217 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+129.84 грн
6000+124.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDConsemi / FairchildMOSFETs 40V 130A Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDConsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 44A DLCOOL56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11635 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+101.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL DUAL COOLTM 56 POWER T
Packaging: Bulk
на замовлення 41418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+118.81 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+96.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.29 грн
500+152.04 грн
1000+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDConsemiMOSFETs 40V 130A Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 74113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.29 грн
500+152.04 грн
1000+143.79 грн
10000+129.56 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320LDCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 192A; Idm: 300A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 192A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333LonsemiMOSFETs NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET
на замовлення 26045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333LonsemiDescription: MOSFET N CH 40V 22A POWER 56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4545 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+51.13 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 250A
Gate charge: 64nC
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+46.96 грн
25+41.93 грн
100+37.74 грн
500+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333Lonsemi / FairchildMOSFETs NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET
на замовлення 34079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333LonsemiDescription: MOSFET N CH 40V 22A POWER 56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4545 pF @ 20 V
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.01 грн
10+89.37 грн
100+60.35 грн
500+44.97 грн
1000+41.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
424+83.49 грн
500+75.15 грн
Мінімальне замовлення: 424 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333LNonsemiDescription: FET 40V 3.1 MOHM PQFN56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.55 грн
10+78.57 грн
100+52.71 грн
500+39.06 грн
1000+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333LNonsemiMOSFETs FET 40V 3.1 MOHM PQFN56
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333LNonsemiDescription: FET 40V 3.1 MOHM PQFN56
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.81 грн
6000+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 47A/200A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17500 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8350L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 290 A, 710 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 710µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 47A/200A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17500 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350Lonsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET 40V, 290A, 0.85mohm
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8350L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 290 A, 710 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 710µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350LET40onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A/300A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.33W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16590 pF @ 20 V
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.96 грн
10+237.68 грн
100+170.45 грн
500+133.07 грн
1000+130.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350LET40onsemi / FairchildMOSFET PT8 40V/20V NchPower Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350LET40onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A/300A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.33W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16590 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460onsemiMOSFETs 40V N-Channel Power Trench
на замовлення 3296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.