Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS7682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
928+15.28 грн
1108+12.80 грн
1153+12.30 грн
1209+11.31 грн
1499+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 928 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1118+31.71 грн
10000+28.28 грн
Мінімальне замовлення: 1118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682-NConsemiDescription: PT7 30V/20V NCH ER TREN M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682-NConsemiMOSFETs PT7 30V/20V NCH ER TREN M
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.76 грн
10+51.76 грн
100+29.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682-NConsemiDescription: PT7 30V/20V NCH ER TREN M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692onsemi / FairchildMOSFETs PT7 30/20V Nch PowerTrench
на замовлення 46639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.54 грн
11+30.80 грн
100+24.30 грн
500+20.09 грн
1000+18.02 грн
3000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/28A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.82 грн
6000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692onsemiMOSFETs PT7 30/20V Nch PowerTrench
на замовлення 43490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.65 грн
10+48.90 грн
100+27.82 грн
500+21.40 грн
1000+16.91 грн
3000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
588+60.33 грн
1000+55.62 грн
Мінімальне замовлення: 588 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.49 грн
34+22.33 грн
100+21.20 грн
250+19.30 грн
500+18.22 грн
1000+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/28A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.45 грн
10+43.23 грн
100+28.29 грн
500+20.52 грн
1000+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
635+22.33 грн
645+21.98 грн
656+21.62 грн
667+20.50 грн
1000+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 635 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A/28A 8QFN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.66 грн
10+61.10 грн
100+47.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692AFAIRCHILDQFN
на замовлення 10593 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692AON Semiconductor / FairchildMOSFET PT7 30/20V Nch PowerTrench
на замовлення 3665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.21 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7692AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A/28A 8QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.07 грн
100+26.63 грн
250+24.25 грн
500+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.2A/20A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 15 V
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.93 грн
100+27.78 грн
500+23.42 грн
1000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694onsemiMOSFETs 30V NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 165161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.10 грн
10+45.41 грн
100+25.75 грн
500+19.88 грн
1000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1153+30.74 грн
Мінімальне замовлення: 1153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 23254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1334+26.56 грн
10000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 1334 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.2A/20A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+28.52 грн
506+28.07 грн
514+27.61 грн
522+26.19 грн
531+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694onsemi / FairchildMOSFETs 30V NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 206036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.20 грн
100+23.61 грн
500+18.57 грн
1000+17.05 грн
3000+16.98 грн
24000+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 27W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 27W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694-NConsemiMOSFETs PT7 30V/20V NCH ER TREN M
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.10 грн
10+45.41 грн
100+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7696AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13.2A
Packaging: Bulk
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1902+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 1902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7696AONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS7696A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7698onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 9098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.71 грн
13+25.96 грн
100+19.81 грн
500+19.40 грн
1000+18.09 грн
3000+16.15 грн
6000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7698ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7698ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.73 грн
49+15.51 грн
50+14.79 грн
100+13.45 грн
250+12.89 грн
500+12.85 грн
1000+12.43 грн
3000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7698onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A/22A 8PQFN
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.43 грн
6000+18.64 грн
9000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7698ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
925+15.34 грн
942+15.06 грн
943+15.03 грн
946+14.45 грн
1000+12.95 грн
3000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 925 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7698ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
676+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 676 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7698ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7698ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7698onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 15 V
на замовлення 10119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.59 грн
10+44.87 грн
100+31.06 грн
500+24.36 грн
1000+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7698ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1091+32.50 грн
Мінімальне замовлення: 1091 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7698_F065Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A PWR56
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7698_F065Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A PWR56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7698_F065ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V 22A 10mOhms N-Ch PowerTrench
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7698_F065Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A PWR56
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7700Sonsemi / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+318.13 грн
10+282.63 грн
25+231.95 грн
100+201.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7700SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7700SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7700SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5235 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+98.85 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018ONN
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 0.0018 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.91 грн
500+42.55 грн
1000+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.24 грн
11+75.00 грн
100+65.82 грн
500+56.41 грн
1000+51.13 грн
3000+45.13 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 110A; Idm: 680A; 83W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 83W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+81.18 грн
500+73.08 грн
1000+67.39 грн
10000+57.94 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+73.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 0.0018 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.31 грн
10+82.15 грн
100+57.91 грн
500+42.55 грн
1000+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5235 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
на замовлення 20164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.40 грн
10+111.13 грн
100+76.01 грн
500+57.22 грн
1000+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+151.20 грн
250+134.52 грн
500+123.41 грн
1000+103.77 грн
3000+95.59 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.34 грн
22+35.24 грн
25+34.89 грн
100+32.66 грн
250+29.94 грн
500+27.86 грн
1000+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.72 грн
10+96.85 грн
100+63.03 грн
250+62.96 грн
500+53.02 грн
1000+49.22 грн
3000+48.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+81.18 грн
500+73.08 грн
1000+67.39 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
403+35.24 грн
407+34.89 грн
419+33.87 грн
423+32.33 грн
500+29.02 грн
1000+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8020onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8020ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 26A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8020onsemi / FairchildMOSFET 30V 42A 2.5mohms NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 42065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.31 грн
10+93.68 грн
100+63.30 грн
500+52.33 грн
1000+45.36 грн
3000+38.52 грн
9000+36.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8020onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.25 грн
10+80.55 грн
100+54.30 грн
500+40.41 грн
1000+37.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8023SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 26A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 15 V
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.18 грн
10+65.66 грн
100+43.82 грн
500+32.32 грн
1000+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8023SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 26A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8023SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 26A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8023Sonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+40.12 грн
Мінімальне замовлення: 533 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8025AS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 72337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+80.23 грн
500+72.21 грн
1000+66.58 грн
10000+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 442 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025Sonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.23 грн
10+70.97 грн
100+43.35 грн
500+36.52 грн
1000+33.14 грн
3000+31.62 грн
6000+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 90979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
426+47.61 грн
Мінімальне замовлення: 426 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 87979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+80.23 грн
500+72.21 грн
1000+66.58 грн
10000+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 442 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
на замовлення 5328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.42 грн
10+68.13 грн
100+47.77 грн
500+37.80 грн
1000+34.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+80.23 грн
500+72.21 грн
1000+66.58 грн
Мінімальне замовлення: 442 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025SonsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.36 грн
10+90.50 грн
100+52.74 грн
500+41.77 грн
1000+38.31 грн
3000+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+80.23 грн
500+72.21 грн
1000+66.58 грн
Мінімальне замовлення: 442 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+80.23 грн
500+72.21 грн
1000+66.58 грн
Мінімальне замовлення: 442 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8026SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8026SFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 15 V
на замовлення 42641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+83.10 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8026SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8026S - MOSFET, N CH, 30V, 22A, POWER56
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+64.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8026SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 15 V
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.17 грн
10+115.99 грн
100+79.66 грн
500+60.17 грн
1000+55.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]