Продукція > BSL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSL314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: BSL314 - DUAL CHANNEL, SMALL SIN | на замовлення 2166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1803 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL314PEL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL314PEL6327XT | Infineon technologies | на замовлення 2731 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSL315PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.5A TSOP6-6 Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 500mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL316C | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL316C H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | на замовлення 45494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL316C L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N and P-Ch 30V 1.4A TSOP-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL316CH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 15719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL316CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL316CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 30V 1.4A TSOP6-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 500mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL316CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 1.4/-1.5A Power dissipation: 0.5W Case: PG-TSOP-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.191/0.177Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 2 | на замовлення 2110 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL316CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL316CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL316CH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 15719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL316CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL316CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 30V 1.4A TSOP6-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 88291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL316CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL316CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | на замовлення 93685 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL316CL6327 | Infineon Technologies | Description: P-CHANNEL MOSFET Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 500mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL316CL6327 | Infineon technologies | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSL316CL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 30V TSOP-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL316CL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 30V TSOP-6 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 500mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL372SNH6327XTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSL372SNH6327XTSA1 - BSL372 250V-600V SMALL SIGNALOR SMALL tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL372SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL372SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 2A TSOP6-6 | на замовлення 10385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1731 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL373SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL373SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 2A TSOP-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL373SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 2A TSOP-6 | на замовлення 10614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL606SN H6327 | Infineon | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSL606SN H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 4.5A TSOP-6 | на замовлення 61377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL606SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 2209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL606SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL606SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS3 Sm-Signl 60V 60mOhm 1.5A | на замовлення 6102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL606SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL606SNH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSL606SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.049 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL606SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL606SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 2209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL606SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL606SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: PG-TSOP-6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.5A On-state resistance: 95mΩ Power dissipation: 2W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar | на замовлення 3622 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL606SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL606SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL606SNH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSL606SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.049 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL606SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL606SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL716SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 2.5A TSOP-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 218µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL716SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL716SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 2.5A TSOP-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 218µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Bulk | на замовлення 38420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL716SNH6327XTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSL716SNH6327XTSA1 - BSL716 250V-600V SMALL SIGNALOR SMALL tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL802SN L6327 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSL802SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL802SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNALN-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL802SNL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL802SNL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL806N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 20V 2.3A TSOP-6 | на замовлення 1456 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL806NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL806NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL806NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2 N-CH 20V 2.3A TSOP6-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL806NL6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL806NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL806NL6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSL806NL6327HTSA1 - BSL806 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL806NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSLR3R | Блок подавления напряжения (CL05-CL10) 130-250В 104718 General Electric Пристрої перетворення сигналів | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

