Продукція > BUZ
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUZ31H3046XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 14.5A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 6539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUZ31H3046XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 14.5A I2PAK-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ31H3046XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ31H3046XKSA1 - BUZ31 - 120V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 6539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUZ31H3046XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V | на замовлення 7239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUZ31HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V | на замовлення 3411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUZ31HXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ31HXKSA1 - BUZ31 - 120V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false productTraceability: No usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUZ31HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ31HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 14.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUZ31L | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 13.5A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ31L | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ31L | INFINEON | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ31L E3044A | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ31L E3044A | INF | TO-263 | на замовлення 28000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ31L E3044A | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ31L H | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 13.5A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ31L H | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ31LHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ31SMD | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUZ31SMD | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ32 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 9.5A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ32 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ32 | INF | TO-220 | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ32 E3045A | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ32 E3045A | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ32 H | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 9.5A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ32 H | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ32 H3045A | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 9.5A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ32 L3045A | INF | TO-263 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ32 L3045A | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 9.5A TO220FP-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ32 SMD | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel MOSFETs (20 V to 300 V) OptiMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ323 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ323 - BUZ323 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUZ323 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 10895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUZ323 | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUZ325 | INFINEON | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ326 | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUZ326 транзистор Код товару: 86197
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BUZ32H3045A | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 1249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUZ32H3045AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ32HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ32HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | на замовлення 7393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUZ32HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUZ32HXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ32HXKSA1 - BUZ32 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9. tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 7393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUZ32IN | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 64 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ32L3045AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ32SMD | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUZ33 | PHIL\MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ330 | INFINEON | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ331 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ331 - BUZ331 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8 tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUZ331 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUZ331 | INFINEON | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ332A | SIEMENS | на замовлення 220 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BUZ334 | SIEMENS | (MFET,N-CH,600V,12A,TO-218AA) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ334 | INFENION | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BUZ335 | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUZ338 | SIEMENS | 99+ SOT23 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ339 | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUZ34 | PHIL\MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ341 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ341 | INF | 09+ | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ341 Код товару: 77799
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-218AA Напруга сток-витік Uds, V: 200 V Струм стоку Idd, A: 33 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2600/ Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||
| BUZ342 | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUZ344 | INFINEON | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BUZ345 | INFINEON | 07+ QFP | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ346 | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUZ346S2 | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUZ347 | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUZ348 | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUZ349 | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUZ35 | PHIL\MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ350 | SEMINES | SSOP30 | на замовлення 101000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ350 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ350 Код товару: 29268
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні УКТЗЕД: 8541290010 | товару немає в наявності
|
| |||||||||||
| BUZ351 Код товару: 127126
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | у наявності: 1 шт
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BUZ351 | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUZ353 | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUZ354 | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUZ355 | INFINEON | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ355 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ355 - BUZ355 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 tariffCode: 85412100 euEccn: NLR hazardous: false productTraceability: No usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ355 | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ356 | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUZ357 | SIEMENS | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BUZ36 | PHIL\MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ377 | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUZ380 | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUZ382 | INFINEON | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ383 | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUZ384 Код товару: 46009
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BUZ384 | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUZ385 | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUZ40B | INFINEON | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ41 | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUZ41A | HARRIS | BUZ41A | на замовлення 951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUZ41A | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | на замовлення 6850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUZ41A | INFINEON | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ41A | HARRIS | BUZ41A | на замовлення 5599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BUZ41A /SIL | Infineon | (MFET,N-CH,500V,4.5A,75W,TO-220) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ42 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ42 | Infineon | (MFET,N-CH,500V,4A,75W,TO-220) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUZ42 | SIEMENS | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BUZ43 | PHIL\MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

