Продукція > FF2
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FF225R12ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R12ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R12ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 225 A dual IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R12ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 450A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 225 A dual IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 450A MODULE Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Power - Max: 20 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 450 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray | на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 450A MODULE Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Power - Max: 20 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Part Status: Active IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R12ME4_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 225A 1200V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R12MS4 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 275A | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R12MS4 | EUPEC | MODULE | на замовлення 232 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R12MS4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 275A 1450W MOD Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 275 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1450 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15 nF @ 25 V | на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R12MS4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1450W 11-Pin ECONOD-3 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R12MS4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 275A 1450W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 275 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1450 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15 nF @ 25 V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R12MS4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1450W 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R12MS4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1450W 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R17ME3 | EUPEC | MODULE | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R17ME3 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.7KV 340A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R17ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R17ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R17ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 340A 1400W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20.5 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Power - Max: 1400 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector (Ic) (Max): 340 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 225A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Configuration: Half Bridge Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R17ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R17ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R17ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 340A 1400W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 340 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1400 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20.5 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R17ME4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1700V 225A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R17ME4B11BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 340A 1500W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 340 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1500 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R17ME4B11BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 1500W 11-Pin ECONOD-4 Tray | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R17ME4B11BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R17ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | Dual IGBT Module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R17ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 225 A dual IGBT module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R17ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-311 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R17ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 1500W 11-Pin ECONOD-3 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R17ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 340A 1500W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 340 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1500 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R17ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 1500W 11-Pin ECONOD-3 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R17ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 340A 1500W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 340 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1500 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R17ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | High Reliability IGBT Modules IC | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R17ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 450A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R17ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 225 A dual IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R17ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | High Reliability IGBT Modules IC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R17ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | High Reliability IGBT Modules IC | на замовлення 573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R17ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 450A 20MW IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Power - Max: 20 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Part Status: Active | на замовлення 618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R17ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | High Reliability IGBT Modules IC | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R17ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | High Reliability IGBT Modules IC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R17ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 450A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R17ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 225 A dual IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R17ME4_B11 | Infineon Technologies | Description: FF225R17 - IGBT MODULE Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Power - Max: 1500 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector (Ic) (Max): 340 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: AG-ECONOD-3-2 NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Half Bridge Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R17ME4_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 225A 1700V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R17ME7B11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF225R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 225 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 20mW euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Dauerkollektorstrom: 225A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 225A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 11-Pin ECONOD-3 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: ECONODUAL3 MODULE WITH TRENCHSTO Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray Input Capacitance (Cies) @ Vce: 22.9 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 20 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector (Ic) (Max): 225 A IGBT Type: Trench Field Stop NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 225A Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 225 A dual IGBT module | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R65T3E3BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Module Trench Field Stop | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R65T3E3BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF225R65T3E3BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 3 V, 125 °C, Module IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3 Verlustleistung Pd: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5.9 Produktpalette: XHP 3 IGBT-Konfiguration: Zweifach DC-Kollektorstrom: 225 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R65T3E3BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 5900V 225A AG-XHP3K65 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-XHP3K65 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V Power - Max: 1000000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF225R65T3E3BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 6500 V, 225 A dual IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R65T3E3P2BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6 Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 1000 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V Current - Collector (Ic) (Max): 225 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: AG-XHP3K65 NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A Operating Temperature: 125°C (TJ) Configuration: 2 Independent Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R65T3E3P2BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules XHP HV | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R65T3E3P2BPSA1 | Infineon Technologies | FF225R65T3E3P2BPSA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R65T3E3P3BPMA1 | Infineon Technologies | IGBT Module Trench Field Stop | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R65T3E3P3BPMA1 | Infineon Technologies | Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6 Configuration: 2 Independent Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 1000 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V Current - Collector (Ic) (Max): 225 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: AG-XHP3K65 NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A Operating Temperature: 125°C (TJ) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R65T3E3P3BPMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules XHP HV | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R65T3E3P4BPMA1 | Infineon Technologies | Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6 Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 1000 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V Current - Collector (Ic) (Max): 225 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: AG-XHP3K65 NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A Operating Temperature: 125°C (TJ) Configuration: 2 Independent Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R65T3E3P4BPMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules XHP HV | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R65T3E3P4BPMA1 | Infineon Technologies | FF225R65T3E3P4BPMA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R65T3E3P5BPMA1 | Infineon Technologies | FF225R65T3E3P5BPMA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R65T3E3P5BPMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 5900V 225A AG-XHP3K65 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-XHP3K65 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V Power - Max: 1000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R65T3E3P5BPMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules XHP HV | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R65T3E3P6BPMA1 | Infineon Technologies | Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6 Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 1000 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Part Status: Active IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: AG-XHP3K65 NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A Operating Temperature: 125°C (TJ) Configuration: 2 Independent Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R65T3E3P6BPMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules XHP HV | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R65T3E3P6BPMA1 | Infineon Technologies | FF225R65T3E3P6BPMA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF23 | JKL Components Corp. | Description: LAMP INCAND RT-1.75 MIDG FLA 5V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF23MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF23MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 22-Pin EASY1B-2 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF23MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 22-Pin EASY1B-2 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF23MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 1200V 50A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 20mA Supplier Device Package: Module | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF23MR12W1M1C11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY AG-EASY1BM-2 Packaging: Tray Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||
| FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2 IND 1200V 50A EASY1BM Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 20mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124nC @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 50A, 15V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680pF @ 800V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 Independent Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF23MR12W1M1P_B11 | Infineon Technologies | Infineon LOW POWER EASY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF2400016 | Diodes Incorporated | Crystals Crystal Ceramic SEAM4025 T&R 1K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF2400R12IP7BPSA1 | Infineon Technologies | FF2400R12IP7BPSA1 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF2400R12IP7BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 2.4KA 14-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF2400R12IP7BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE Packaging: Bulk | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF2400R12IP7BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 2400 A dual IGBT module | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||
| FF2400R12IP7BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 2.4KA 14-Pin Tray | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF2400R12IP7BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF2400R12IP7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 2.4kA Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF2400R12IP7PBPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 2400 A dual IGBT module | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||
| FF2400R12IP7PBPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF2400R12IP7PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 2.4kA Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF2400R12IP7PBPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; Ic: 2.4kA; screw Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 2.4kA | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||
| FF2400R12IP7PBPSA1 | Infineon Technologies | Description: PP IHM I Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-PRIME3+ Current - Collector (Ic) (Max): 2400 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|