Продукція > GT0

Pulse Transformers Gate Drive Transformer

на замовлення 17587 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

GT06-122-053

Pulse Transformers Gate Drive Transformer

на замовлення 1019 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

GT060N04D3

Description: N40V,RD(MAX)<6.5M@10V,RD(MAX)<10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 20 V

на замовлення 8325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.11 грн
10+	43.32 грн
100+	28.38 грн
500+	20.58 грн
1000+	18.63 грн
2000+	16.99 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

GT060N04D3

Description: N40V,RD(MAX)<6.5M@10V,RD(MAX)<10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 20 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT060N04D3

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin DFN EP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.44 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT060N04D3

Description: MOSFET N-CH 40V 40A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	12.52 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT060N04D3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 40V; 56A; 60W; DFN3x3-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 56A
Power dissipation: 60W
Case: DFN3x3-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GT060N04D5

Description: N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1276 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA

на замовлення 4820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.98 грн
10+	41.66 грн
100+	27.19 грн
500+	19.69 грн
1000+	17.81 грн
2000+	16.23 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

GT060N04D5

N-CH,40V,62A,RD(max) Less Than 6.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 8.5mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.3V, DFN5x6-8L

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.93 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT060N04D5

Description: N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1276 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT060N04D52

Description: MOSFET 2N-CH 40V 62A 8DFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 20W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1276pF @ 20V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GT060N04D52

Description: MOSFET 2N-CH 40V 62A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1276pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.14 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT060N04K

Description: MOSFET N-CH 40V 62A 70W TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1279 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.42 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

GT060N04K

Description: MOSFET, N-CH, 40V,54A,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 20 V

на замовлення 2166 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.17 грн
10+	47.85 грн
100+	31.45 грн
500+	22.90 грн
1000+	20.77 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

GT060N04K

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 40V; 62A; 70W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 62A
Power dissipation: 70W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GT060N04K

Description: MOSFET, N-CH, 40V,54A,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 20 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

GT060N04T

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 40V; 62A; 70W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 62A
Power dissipation: 70W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GT060N04T

Description: MOSFET, N-CH, 40V,60A,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 20 V

на замовлення 106 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.63 грн
50+	43.34 грн
100+	38.56 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

GT060N04T

N-CH,40V,60A,RD(max) Less Than 6mOhm at 10V,RD(max) Less Than 8.5mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.3V, TO-220

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

504+	28.10 грн

Мінімальне замовлення: 504 шт

В кошику од. на суму грн.

GT060N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 116A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5365 pF @ 50 V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	152.06 грн
10+	99.48 грн
100+	70.77 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

GT060N10T

GT060N10T

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

242+	58.46 грн

Мінімальне замовлення: 242 шт

В кошику од. на суму грн.

GT060N10T

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	46.27 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT0625-180

Description: SHAFT, 0.0625 DIA. X 18IN LG

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1287.81 грн
5+	1116.93 грн
10+	1067.42 грн

В кошику од. на суму грн.

GT0625-240

Description: SHAFT, 0.0625 DIA. X 24IN LG

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1784.75 грн
5+	1547.31 грн
10+	1478.85 грн
25+	1339.15 грн

В кошику од. на суму грн.

GT0625-30

Description: SHAFT, 0.0625 DIA. X 3IN LG

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	290.80 грн
5+	252.25 грн
10+	240.78 грн
25+	218.08 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GT0625-360

Description: SHAFT, 0.0625 DIA. X 36IN LG

на замовлення 56 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

GT0625-50

Description: SHAFT, 0.0625 DIA. X 5IN LG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GT0625-90

Description: SHAFT, 0.0625 DIA. X 9IN LG

на замовлення 74 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	583.94 грн
5+	505.86 грн
10+	483.82 грн
25+	438.29 грн
50+	427.57 грн

В кошику од. на суму грн.

GT065P06D5

Description: MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ -20A, -10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5326 pF @ -30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	45.59 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT065P06D5

GOFORD

MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GT065P06D5

Description: MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5326 pF @ 30 V

на замовлення 3146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.17 грн
10+	86.20 грн
100+	68.63 грн
500+	54.49 грн
1000+	46.23 грн
2000+	43.92 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

GT065P06D5

Description: MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5326 pF @ 30 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT065P06T

P-CH,-60V,-82A,RD(max) Less Than 7.5mOhm at -10V,RD(max) Less Than 9.5mOhm at -4.5V,VTH-1V to -2.5V ,TO-220

на замовлення 16450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

212+	66.95 грн
15000+	61.76 грн

Мінімальне замовлення: 212 шт

В кошику од. на суму грн.

GT065P06T

Description: MOSFET P-CH 60V 82A TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	48.93 грн
8000+	44.93 грн
16000+	43.47 грн
30000+	36.74 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT065P06T

Description: P-60V,-82A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5335 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	170.09 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GT065P06T

GOFORD

P-CH 60 V 82A TO-220 Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GT06PCM32-ARS-120(36OS)

Circular MIL Spec Connector 4 CONDUCTOR PLUG 120 AMPS 4 AWG

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

GT06PCM32-ARS-30(29R)

Circular MIL Spec Connector 4 CONDUCTOR PLUG 30 AMPS 8-10 AWG

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

GT06PCM32-ARS-30(29R)

Description: CONN PLUG FMALE 4P SILVER SCREW
Features: Backshell
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Female Sockets
Color: Olive Drab
Current Rating (Amps): 30A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Orientation: N (Normal)
Shell Size - Insert: 32
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Fastening Type: Reverse Bayonet Lock
Termination: Screw
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Contact Finish - Mating: Silver
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Shell Material: Aluminum
Shell Finish: Olive Drab Cadmium
Primary Material: Metal

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	9738.90 грн

В кошику од. на суму грн.

GT06PCM32-ARS-40(29R)

Circular MIL Spec Connector 4 CONDUCTOR PLUG 40 AMPS 8-10 AWG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GT06PCM32-ARS-40(29R)

Description: CONN PLUG FMALE 4P SILVER SCREW
Features: Backshell
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Female Sockets
Color: Olive Drab
Current Rating (Amps): 40A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Orientation: N (Normal)
Shell Size - Insert: 32
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Fastening Type: Reverse Bayonet Lock
Termination: Screw
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Contact Finish - Mating: Silver
Shell Material: Aluminum
Shell Finish: Olive Drab Cadmium
Primary Material: Metal

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 25 шт

В кошику од. на суму грн.

GT06PCM32-ARS-50(29)

Description: CONN PLUG FMALE 4P SILVER SCREW
Features: Backshell
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Female Sockets
Color: Olive Drab
Current Rating (Amps): 50A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Orientation: N (Normal)
Shell Size - Insert: 32
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Fastening Type: Reverse Bayonet Lock
Termination: Screw
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Contact Finish - Mating: Silver
Shell Material: Aluminum
Shell Finish: Olive Drab Cadmium
Primary Material: Metal

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 25 шт

В кошику од. на суму грн.

GT06PCM32-ARS-50(29)

Circular MIL Spec Connector 4 CONDUCTOR PLUG 50 AMPS 4-6 AWG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GT06PCM32-ARS-70(29OS)

Circular MIL Spec Connector 4 CONDUCTOR PLUG 70 AMPS 4-6 AWG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GT06PCM32-ARS-70(29OS)

Description: CONN PLUG FMALE 4P SILVER SCREW
Features: Backshell
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Female Sockets
Color: Olive Drab
Current Rating (Amps): 70A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Orientation: N (Normal)
Shell Size - Insert: 32
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Fastening Type: Reverse Bayonet Lock
Termination: Screw
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Contact Finish - Mating: Silver
Shell Material: Aluminum
Shell Finish: Olive Drab Cadmium
Primary Material: Metal

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 25 шт

В кошику од. на суму грн.

GT07-110-013

Pulse Transformers SMT Gate Drive Trans 100uH 1:1 6250Vac

на замовлення 735 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

GT07-110-013

Description: SMT GATE DRIVE TRANSFORMER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Inductance: 100µH
Size / Dimension: 0.390" L x 0.480" W (10.00mm x 12.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Transformer Type: Gate Drive
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:1
ET (Volt-Time): 13VµS
Height - Seated (Max): 0.250" (6.35mm)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

GT07-110-013

Description: SMT GATE DRIVE TRANSFORMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Inductance: 100µH
Size / Dimension: 0.390" L x 0.480" W (10.00mm x 12.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Transformer Type: Gate Drive
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:1
ET (Volt-Time): 13VµS
Height - Seated (Max): 0.250" (6.35mm)

на замовлення 496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	313.53 грн
10+	272.78 грн
25+	261.79 грн
50+	238.11 грн
100+	230.75 грн
250+	221.30 грн

В кошику од. на суму грн.

GT07-110-027

Description: SMT GATE DRIVE TRANSFORMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Inductance: 340µH
Size / Dimension: 0.390" L x 0.480" W (10.00mm x 12.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Transformer Type: Gate Drive
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:1.1
ET (Volt-Time): 27VµS
Height - Seated (Max): 0.250" (6.35mm)

на замовлення 278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	356.64 грн
10+	310.52 грн
25+	297.99 грн
50+	271.02 грн
100+	262.62 грн
250+	251.85 грн

В кошику од. на суму грн.

GT07-110-027

Description: SMT GATE DRIVE TRANSFORMER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Inductance: 340µH
Size / Dimension: 0.390" L x 0.480" W (10.00mm x 12.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Transformer Type: Gate Drive
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:1.1
ET (Volt-Time): 27VµS
Height - Seated (Max): 0.250" (6.35mm)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

GT07-110-027

Pulse Transformers SMT Gate Drive Trans 340uH 1:1.1 6250Vac

на замовлення 1121 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

GT070N15M

Description: MOSFET N-CH 150V 140A 320W TO-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 75 V

на замовлення 795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	301.77 грн
10+	201.60 грн
100+	148.32 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GT070N15M

Description: MOSFET N-CH 150V 140A 320W TO-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 75 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

GT070N15M

Description: MOSFET N-CH 150V 140A 320W 5.8m(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 75 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	111.91 грн

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

GT070N15T

Description: MOSFET N-CH 150V140A 320W TO-22
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5864 pF @ 75 V

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	309.61 грн
10+	197.38 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GT070N15TL

Description: MOSFET,N-CH,150V,200A,430W,TOLL-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	82.14 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT070N15TL

Description: MOSFET N-CH 150V,200A,430W TOLL-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5865 pF @ 75 V

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	326.07 грн
10+	207.64 грн

В кошику од. на суму грн.

GT070N15TL

Description: MOSFET N-CH 150V,200A,430W TOLL-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5865 pF @ 75 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT070N15TL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 150V; 200A; 430W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 200A
Power dissipation: 430W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GT0781-50

Amphenol Commercial Products

Description: SHAFT, 0.0781 DIA. X 5IN LG

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	609.81 грн
5+	528.80 грн
10+	505.10 грн
25+	457.59 грн

В кошику од. на суму грн.

GT0800PA01120HR

Power to the Board Topflight power 12P12S cable side power TPA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GT080N08D5

Description: N85V,65A,RD<8.5M@10V,VTH2.0V~4.0
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GT080N10K

Description: N100V, 75A,RD<8M@10V,VTH1V~3V, T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 50 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

GT080N10K

Description: MOSFET N-CH 100V 65A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	35.01 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

GT080N10K

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 70A; 100W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GT080N10K

Description: N100V, 75A,RD<8M@10V,VTH1V~3V, T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 50 V

на замовлення 1437 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	156.76 грн
10+	96.54 грн
100+	65.49 грн
500+	48.99 грн
1000+	44.98 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GT080N10KI

Description: N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2394 pF @ 50 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

GT080N10M

Description: N100V, 70A,RD<7.5M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2915 pF @ 50 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

GT080N10M

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1600+	43.10 грн

Мінімальне замовлення: 1600 шт

В кошику од. на суму грн.

GT080N10M

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 70A; 100W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GT080N10M

Description: N100V, 70A,RD<7.5M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2915 pF @ 50 V

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.84 грн
10+	112.92 грн
100+	77.24 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GT080N10T

Description: N100V, 70A,RD<8M@10V,VTH1.0V~3.0
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 50 V

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.57 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GT080N10T

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 70A; 100W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 100W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GT080N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	40.95 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT080N10TI

Description: N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2328 pF @ 50 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 50 шт

В кошику од. на суму грн.

GT085N10D5

Description: MOSFET N-CH 100V 71A 100W DFN5*6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	147.14 грн
10+	90.76 грн
100+	61.64 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

GT085N10D5

Description: MOSFET N-CH 100V 71A 100W DFN5*6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT085N10D5

Description: MOSFET,N-CH,100V,71A,100W,DFN5*6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100W
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 10 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.45 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT08885

Description: PRO ELEC - GT08885 - Heizgerät rohrförmig 1ft, 45W
tariffCode: 85162999
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Nennleistung: 45W
euEccn: NLR
Netzsteckertyp: Netzstecker separat erhältlich
hazardous: false
Betriebsspannung: 240V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Außentiefe: -
Außenhöhe: -
usEccn: EAR99
Außenbreite: 1ft
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1460.68 грн

В кошику од. на суму грн.

GT08886

Description: PRO ELEC - GT08886 - Heizgerät rohrförmig 2ft, 80W
tariffCode: 85162999
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Nennleistung: 80W
euEccn: NLR
Netzsteckertyp: Netzstecker separat erhältlich
hazardous: false
Betriebsspannung: 240V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Außentiefe: -
Außenhöhe: -
usEccn: EAR99
Außenbreite: 2ft
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1758.18 грн
3+	1612.68 грн

В кошику од. на суму грн.

GT08887/GT08609

Description: PRO ELEC - GT08887/GT08609 - Heizgerät rohrförmig 3ft, 135W
tariffCode: 85162999
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Nennleistung: 135W
euEccn: NLR
Netzsteckertyp: Netzstecker separat erhältlich
hazardous: false
Betriebsspannung: 240V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Außentiefe: -
Außenhöhe: -
usEccn: EAR99
Außenbreite: 3ft
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2355.62 грн
3+	2158.92 грн

В кошику од. на суму грн.

GT08892

Description: PRO ELEC - GT08892 - Schutz für Heizung 2ft
tariffCode: 85162999
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
HLK-Typ: -
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2371.88 грн
3+	2271.09 грн

В кошику од. на суму грн.

GT088N06T

Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	23.29 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT088N06T

Description: N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1116 pF @ 30 V

на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.81 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

GT090N06D52

Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.56 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT090N06D52

Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.58 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT090N06D5H

Description: MOSFET N-CH 60V 45A 69W DFN5*6-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.81 грн
10+	46.19 грн
100+	30.27 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

GT090N06D5H

Description: MOSFET N-CH 60V 45A 69W DFN5*6-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT090N06K

Description: MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 30 V

на замовлення 1573 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.79 грн
10+	52.99 грн
100+	34.96 грн
500+	25.54 грн
1000+	23.20 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

GT090N06K

Description: MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 30 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

GT090N06K

Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 30 V

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.54 грн
15000+	14.73 грн
30000+	13.27 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

GT090N06MH

Description: MOSFET N-CH 60V 45A 52W 11m(max
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	21.67 грн

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

GT090N06S

Description: N60V,14A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.4V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1378 pF @ 30 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT095N04D3

Description: MOSFET N-CH 40V 47A DFN3*3-8L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 947 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 4039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.38 грн
11+	29.59 грн
100+	18.99 грн
500+	13.51 грн
1000+	12.12 грн
2000+	10.95 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

GT095N04D3

Description: MOSFET N-CH 40V 47A DFN3*3-8L
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 947 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT095N04D3

Description: MOSFET N-CH 40V 47A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 947 pF @ 20 V

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	8.80 грн
15000+	7.75 грн
30000+	6.95 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT095N04D5

Description: MOSFET N-CH 40V 54A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.11 грн
10+	35.10 грн
100+	24.39 грн
500+	17.87 грн
1000+	14.52 грн
2000+	12.98 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

GT095N04D5

Description: MOSFET N-CH 40V 54A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	13.64 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT095N10D5

Description: N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 50 V

на замовлення 4841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.38 грн
10+	65.89 грн
100+	43.99 грн
500+	32.48 грн
1000+	29.65 грн
2000+	28.95 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

GT095N10D5