Продукція > GT1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22 24  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GT1003AGoford SemiconductorDescription: N100V, 3A,RD<140M@10V,VTH1.0V~3.
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003AGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-23-3L
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003AGOFORD SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 3.5A; 1.7W; SOT23
Case: SOT23
Power dissipation: 1.7W
Gate charge: 5nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 3.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003AGoford SemiconductorDescription: N100V, 3A,RD<140M@10V,VTH1.0V~3.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
16+19.32 грн
100+12.20 грн
500+8.55 грн
1000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003DGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-23-3L
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003DGOFORD SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 3A; 1.6W; SOT23
Case: SOT23
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 3nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003DGoford SemiconductorDescription: N100V,RD(MAX)<130M@10V,RD(MAX)<1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 212 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
18+16.83 грн
100+10.59 грн
500+7.39 грн
1000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003DGOFORD SemiconductorN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003DGoford SemiconductorDescription: N100V,RD(MAX)<130M@10V,RD(MAX)<1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 212 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100DA120UVishayIGBT 1200V 258A 893W SOT-227 Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04D3GOFORD SemiconductorN-CH,40V,13A,RD(max) Less Than 10mOhm at 10V,RD(max) Less Than 16mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V,DFN3x3-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04D3Goford SemiconductorDescription: N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 20 V
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
12+27.17 грн
100+17.40 грн
500+12.38 грн
1000+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04D3Goford SemiconductorDescription: N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04D3GOFORD SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 40V; 35A; 25W; DFN3x3-8
Case: DFN3x3-8
Power dissipation: 25W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04D3Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 13A DFN3*3-8L
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04KGoford SemiconductorDescription: N40V,50A,RD<10M@10V,VTH1.2V~2.2V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 20 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.60 грн
11+28.91 грн
100+18.63 грн
500+13.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04KGoford SemiconductorDescription: N40V,50A,RD<10M@10V,VTH1.2V~2.2V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12D5Goford SemiconductorDescription: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
на замовлення 9965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.84 грн
10+107.18 грн
100+86.14 грн
500+66.41 грн
1000+55.03 грн
2000+51.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12D5GOFORD SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 120V; 70A; 100W; DFN5x6-8
Case: DFN5x6-8
Power dissipation: 100W
Gate charge: 45nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12D5Goford SemiconductorDescription: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12D5GOFORD SemiconductorN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12KGoford SemiconductorDescription: N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2911 pF @ 60 V
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.22 грн
10+88.91 грн
100+60.32 грн
500+45.12 грн
1000+43.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12KGOFORD SemiconductorGT100N12K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12KGoford SemiconductorDescription: N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2911 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12KGOFORD SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 120V; 70A; 100W; TO252
Case: TO252
Power dissipation: 100W
Gate charge: 45nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12MGOFORD SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 120V; 70A; 100W; TO263
Case: TO263
Power dissipation: 100W
Gate charge: 45nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12MGoford SemiconductorDescription: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.63 грн
10+112.99 грн
100+77.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12MGoford SemiconductorDescription: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12MGOFORD SemiconductorN-CH,120V,70A,RD(max) Less Than 10mOhm at 10V, VTH2.5V to 3.5V, TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+57.33 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12TGOFORD SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 120V; 70A; 100W; TO220
Case: TO220
Power dissipation: 100W
Gate charge: 45nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12TGoford SemiconductorDescription: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 60 V
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.65 грн
50+72.73 грн
100+66.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12TGOFORD SemiconductorN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+53.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100NA120UXVishaySOT-227 Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT100P06KGoford SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 60A 104W 8M(MAX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT100P06KGoford SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 60A 104W 8M(MAX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.68 грн
5+91.38 грн
7+85.71 грн
10+80.25 грн
25+66.97 грн
50+59.54 грн
100+53.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT1016AMarathon MotorsDescription: MOTOR , 7.5HP 1750RPM 213T TEFC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT102B1KLittelfuseGlass Coated Chip Thermistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT102B1KLittelfuse Inc.Description: THERMISTOR NTC 1KOHM 3009K BEAD
Packaging: Bulk
Package / Case: Bead, Glass
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 260°C
B25/85: 3009K
Resistance in Ohms @ 25°C: 1k
Resistance Tolerance: ±10%
Length - Lead Wire: 1.00" (25.40mm)
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.87 грн
5+96.46 грн
10+91.93 грн
25+81.06 грн
50+77.55 грн
100+74.33 грн
500+66.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT102B1KLittelfuseNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors THERMISTOR, US SENSO R
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT102B1KLITTELFUSECategory: THT measurement NTC thermistors
Description: NTC thermistor; 1kΩ; THT; 3009K; -55÷260°C; ±10%; 25.4mm
Type of sensor: NTC thermistor
Resistance: 1kΩ
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...260°C
Material constant B: 3009K
Lead length: 25.4mm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT102B1KLittelfuseGlass Coated Chip Thermistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT102B1KLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - GT102B1K - NTC THERMISTOR, 3009K, 1KOHM, TH
tariffCode: 90251900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT103-5.0-02P-14-00AHGOLTEN2 poles, pitch 5.00mm, height 15.5mm, green colour, 300V, 10A, 12-24AWG, angled 45°, lift, slot screw, steel, zinc plated cage:brass,nickel plated, pin:brass,tin plated GT103-5.0-02P-14-00AH GOLTEN Terminal block Z TL207-2pgs-GT
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT103-5.0-02P-14-00AHGOLTEN2 poles, pitch 5.00mm, height 15.5mm, green colour, 300V, 10A, 12-24AWG, angled 45°, lift, slot screw, steel, zinc plated cage:brass,nickel plated, pin:brass,tin plated GT103-5.0-02P-14-00AH GOLTEN Terminal block Z TL207-2pgs-GT
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT103-5.0-02P-14-00AHGOLTEN2 poles, pitch 5.00mm, height 15.5mm, green colour, 300V, 10A, 12-24AWG, angled 45°, lift, slot screw, steel, zinc plated cage:brass,nickel plated, pin:brass,tin plated GT103-5.0-02P-14-00AH GOLTEN Terminal block Z TL207-2pgs-GT
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 336 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT103-5.0-03P-14-00AHGOLTEN3 poles, pitch 5.00mm, height 15.9mm, green colour, 300V, 10A, 12-24AWG, angled 45°, lift, slot screw, steel, zinc plated cage:brass,nickel plated, pin:brass,tin plated GT103-5.0-03P-14-00AH GOLTEN Terminal block Z TL207-3pgs-GT
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT103-5.0-03P-14-00AHGOLTEN3 poles, pitch 5.00mm, height 15.9mm, green colour, 300V, 10A, 12-24AWG, angled 45°, lift, slot screw, steel, zinc plated cage:brass,nickel plated, pin:brass,tin plated GT103-5.0-03P-14-00AH GOLTEN Terminal block Z TL207-3pgs-GT
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT1037Marathon MotorsDescription: 1800RPM, 50HP, 3PH, 230/460V, 32
Part Status: Active
Type: AC Motor
RPM: 1800 RPM
Function: Standard
Voltage - Rated: 230/460VAC
Packaging: Bulk
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+309649.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT103E1KLittelfuseNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors THERMISTOR, US SENSO R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT103E1KLittelfuseGlass Coated Chip Thermistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT103E1KLittelfuse Inc.Description: THERMISTOR NTC 10KOHM 3435K BEAD
Part Status: Active
Length - Lead Wire: 1.00" (25.40mm)
Resistance Tolerance: ±10%
Resistance in Ohms @ 25°C: 10k
B25/85: 3435K
Operating Temperature: 260°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: Bead, Glass
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT103J1KLittelfuse Inc.Description: THERMISTOR NTC 10KOHM 3977K BEAD
Packaging: Bulk
Package / Case: Bead, Glass
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 300°C
B25/85: 3977K
Resistance in Ohms @ 25°C: 10k
Resistance Tolerance: ±10%
Length - Lead Wire: 1.00" (25.40mm)
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.71 грн
5+153.22 грн
10+146.35 грн
25+129.57 грн
50+124.21 грн
100+119.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT103J1KLITTELFUSECategory: THT measurement NTC thermistors
Description: NTC thermistor; 10kΩ; THT; 3977K; -55÷300°C; ±10%; 25.4mm
Operating temperature: -55...300°C
Resistance: 10kΩ
Material constant B: 3977K
Lead length: 25.4mm
Type of sensor: NTC thermistor
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT103J1KLittelfuseNTC Thermistor 10K Ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT103J1KLittelfuseNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors THERMISTOR, US SENSO R
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT103J1KLittelfuseNTC Thermistor 10K Ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT104L1KLittelfuseGlass Coated Chip Thermistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT104L1KLittelfuseNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 100K OHM 10% GLASS B EAD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT104L1KLittelfuseGlass Coated Chip Thermistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT104L1KLittelfuse Inc.Description: THERM NTC 100KOHM 4040K BEAD
Length - Lead Wire: 1.00" (25.40mm)
Resistance Tolerance: ±10%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
B25/85: 4040K
Operating Temperature: 300°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: Bead, Glass
Packaging: Bulk
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.71 грн
5+153.22 грн
10+146.35 грн
25+129.57 грн
50+124.21 грн
100+119.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105A2NWestern FilamentGT105A2N
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+36914.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10FGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 33A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10FGoford SemiconductorDescription: N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1587 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.73 грн
10+71.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10FGOFORD SemiconductorN-CH,100V,33A,RD(max) Less Than 10.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 15mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-220F
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10FGOFORD SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 48A; 50W; TO220F
Case: TO220F
Power dissipation: 50W
Gate charge: 33nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10KGoford SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.14 грн
10+72.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10KGOFORD SemiconductorN-CH,100V,60A,RD(max) Less Than 10.5mOhm at 10V, VTH2.5V to 4.0V, TO-252
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.46 грн
15000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10KGOFORD SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 63A; 80W; TO252
Case: TO252
Power dissipation: 80W
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10KGoford SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10KGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10MGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 60A 83W TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1675 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10MGOFORD SemiconductorGT105N10M
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10MGOFORD SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 63A; 80W; TO263
Case: TO263
Power dissipation: 80W
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10MGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 60A 83W TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1675 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10TGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10TGoford SemiconductorDescription: N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.44 грн
10+74.27 грн
100+52.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10TGOFORD SemiconductorN-CH,100V,60A,RD(max) Less Than 10.5mOhm at 10V, VTH2.5V to 4.0V, TO-252
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 369 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10TGOFORD SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 63A; 80W; TO220
Case: TO220
Power dissipation: 80W
Gate charge: 33nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105U1KLittelfuseGlass Coated Chip Thermistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105U1KLittelfuse Inc.Description: THERMISTOR NTC 1MOHM 4350K BEAD
Part Status: Active
Length - Lead Wire: 1.00" (25.40mm)
Resistance Tolerance: ±10%
Resistance in Ohms @ 25°C: 1M
B25/85: 4350K
Operating Temperature: 300°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: Bead, Glass
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105U1KLittelfuseNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC THERMISTOR 1M OH M 10% GLASS BEAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT106M050HDABAAillenDescription: CAP ALUM 10UF 20% 50V RADIAL TH
Ripple Current @ High Frequency: 100 mA @ 100 kHz
Impedance: 1.5 Ohms
Voltage - Rated: 50 V
Capacitance: 10 µF
Height - Seated (Max): 0.433" (11.00mm)
Lifetime @ Temp.: 5000 Hrs @ 85°C
Lead Spacing: 0.079" (2.00mm)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 0.197" Dia (5.00mm)
Package / Case: Radial, Can
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT10A-2022PCFHirose Electric Co LtdDescription: CONN PLUG CENTER TERMINAL CRIMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
For Use With/Related Products: GT10 Series
Accessory Type: Contact
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT10A-2022PCFHirose ConnectorAutomotive Connectors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT10A-2022PCFHirose Electric Co LtdDescription: CONN PLUG CENTER TERMINAL CRIMP
Packaging: Cut Tape (CT)
For Use With/Related Products: GT10 Series
Accessory Type: Contact
на замовлення 19459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.41 грн
39+7.77 грн
43+7.09 грн
50+6.28 грн
100+5.89 грн
250+5.43 грн
500+5.02 грн
1000+4.72 грн
2500+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT10A-2022SCFHirose ConnectorAutomotive Connectors
на замовлення 12975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT10A-2022SCFHirose Electric Co LtdDescription: CONN SOCKET CENTER TERMINAL CRIM
Packaging: Tape & Reel (TR)
For Use With/Related Products: GT10 Series
Accessory Type: Contact
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT10A-2022SCFHirose Electric Co LtdDescription: CONN SOCKET CENTER TERMINAL CRIM
Packaging: Cut Tape (CT)
For Use With/Related Products: GT10 Series
Accessory Type: Contact
на замовлення 15423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.62 грн
44+6.94 грн
48+6.37 грн
51+5.62 грн
100+5.29 грн
250+4.88 грн
500+4.51 грн
1000+4.24 грн
2500+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT10A-2428PCFHirose ConnectorAutomotive Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT10B-(10PRE)/RE-MDHirose ConnectorAutomotive Connectors TOOL EXTRACTION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT10B-(10PRE)/RE-MDHirose Electric Co LtdDescription: TOOL EXTRACTION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT10B-(10SET)/RE-MDHirose Electric Co LtdDescription: TOOL EXTRACTION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT10B-(10SET)/RE-MDHirose ConnectorAutomotive Connectors TOOL EXTRACTION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT10B-(20PRE)/RE-MDHirose ConnectorAutomotive Connectors TOOL EXTRACTION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT10B-(20PRE)/RE-MDHirose Electric Co LtdDescription: TOOL EXTRACTION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT10B-(20SET)/RE-MDHirose ConnectorAutomotive Connectors TOOL EXTRACTION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT10B-(20SET)/RE-MDHirose Electric Co LtdDescription: TOOL EXTRACTION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT10B-(CON)/RE-MDHirose ConnectorAutomotive Connectors TOOL EXTRACTION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT10B-(CON)/RE-MDHirose Electric Co LtdDescription: TOOL EXTRACTION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT10B-20/10DS-HUHirose ConnectorAutomotive Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22 24  [ Наступна Сторінка >> ]