Продукція > GT1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GT1003A | Goford Semiconductor | Description: N100V, 3A,RD<140M@10V,VTH1.0V~3. Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT1003A | GOFORD Semiconductor | High Density Cell Design MOSFET | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT1003D | Goford Semiconductor | Description: N100V,RD(MAX)<130M@10V,RD(MAX)<1 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 212 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT1003D | GOFORD Semiconductor | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT1003D | Goford Semiconductor | Description: N100V,RD(MAX)<130M@10V,RD(MAX)<1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 212 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT1003D | Goford Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-23-3L Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT100DA120U | Vishay | IGBT 1200V 258A 893W SOT-227 Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT100N04D3 | Goford Semiconductor | Description: N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 20 V | на замовлення 1760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT100N04D3 | GOFORD Semiconductor | N-CH,40V,13A,RD(max) Less Than 10mOhm at 10V,RD(max) Less Than 16mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V,DFN3x3-8L | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT100N04D3 | GOFORD SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 40V; 35A; 25W; DFN3x3-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 35A Power dissipation: 25W Case: DFN3x3-8 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of channel: enhancement Technology: SGT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT100N04D3 | Goford Semiconductor | Description: N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 20 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT100N04D3 | Goford Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 13A DFN3*3-8L Power Dissipation (Max): 23W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT100N04K | Goford Semiconductor | Description: N40V,50A,RD<10M@10V,VTH1.2V~2.2V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT100N04K | Goford Semiconductor | Description: N40V,50A,RD<10M@10V,VTH1.2V~2.2V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 20 V | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT100N12D5 | Goford Semiconductor | Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3. | на замовлення 9965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT100N12D5 | Goford Semiconductor | Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3. | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT100N12K | Goford Semiconductor | Description: N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2911 pF @ 60 V | на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT100N12K | Goford Semiconductor | Description: N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2911 pF @ 60 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT100N12K | GOFORD Semiconductor | GT100N12K | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT100N12M | GOFORD Semiconductor | N-CH,120V,70A,RD(max) Less Than 10mOhm at 10V, VTH2.5V to 3.5V, TO-263 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT100N12M | Goford Semiconductor | Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3. Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT100N12M | Goford Semiconductor | Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3. Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT100N12T | Goford Semiconductor | Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3. Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 60 V | на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT100N12T | GOFORD Semiconductor | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT100NA120UX | Vishay | SOT-227 Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT100P06K | Goford Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 60A 104W 8M(MAX Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT100P06K | Goford Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 60A 104W 8M(MAX Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 30 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT1016A | Marathon Motors | Description: MOTOR , 7.5HP 1750RPM 213T TEFC | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT102B1K | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - GT102B1K - NTC THERMISTOR, 3009K, 1KOHM, TH tariffCode: 90251900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT102B1K | Littelfuse Inc. | Description: THERMISTOR NTC 1KOHM 3009K BEAD Packaging: Bulk Package / Case: Bead, Glass Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 260°C B25/85: 3009K Resistance in Ohms @ 25°C: 1k Resistance Tolerance: ±10% Length - Lead Wire: 1.00" (25.40mm) | на замовлення 943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT102B1K | Littelfuse | Glass Coated Chip Thermistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT102B1K | LITTELFUSE | Category: THT measurement NTC thermistors Description: NTC thermistor; 1kΩ; THT; 3009K; -55÷260°C; ±10%; 25.4mm Type of sensor: NTC thermistor Resistance: 1kΩ Mounting: THT Material constant B: 3009K Operating temperature: -55...260°C Tolerance: ±10% Lead length: 25.4mm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT102B1K | Littelfuse | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors THERMISTOR, US SENSO R | на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT103-5.0-02P-14-00AH | GOLTEN | 2 poles, pitch 5.00mm, height 15.5mm, green colour, 300V, 10A, 12-24AWG, angled 45°, lift, slot screw, steel, zinc plated cage:brass,nickel plated, pin:brass,tin plated GT103-5.0-02P-14-00AH GOLTEN Terminal block Z TL207-2pgs-GT кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1136 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT103-5.0-02P-14-00AH | GOLTEN | 2 poles, pitch 5.00mm, height 15.5mm, green colour, 300V, 10A, 12-24AWG, angled 45°, lift, slot screw, steel, zinc plated cage:brass,nickel plated, pin:brass,tin plated GT103-5.0-02P-14-00AH GOLTEN Terminal block Z TL207-2pgs-GT кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 5600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT103-5.0-02P-14-00AH | GOLTEN | 2 poles, pitch 5.00mm, height 15.5mm, green colour, 300V, 10A, 12-24AWG, angled 45°, lift, slot screw, steel, zinc plated cage:brass,nickel plated, pin:brass,tin plated GT103-5.0-02P-14-00AH GOLTEN Terminal block Z TL207-2pgs-GT кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 4800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT103-5.0-03P-14-00AH | GOLTEN | 3 poles, pitch 5.00mm, height 15.9mm, green colour, 300V, 10A, 12-24AWG, angled 45°, lift, slot screw, steel, zinc plated cage:brass,nickel plated, pin:brass,tin plated GT103-5.0-03P-14-00AH GOLTEN Terminal block Z TL207-3pgs-GT кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 5040 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT103-5.0-03P-14-00AH | GOLTEN | 3 poles, pitch 5.00mm, height 15.9mm, green colour, 300V, 10A, 12-24AWG, angled 45°, lift, slot screw, steel, zinc plated cage:brass,nickel plated, pin:brass,tin plated GT103-5.0-03P-14-00AH GOLTEN Terminal block Z TL207-3pgs-GT кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 3750 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT1037 | Marathon Motors | Description: 1800RPM, 50HP, 3PH, 230/460V, 32 Part Status: Active Type: AC Motor RPM: 1800 RPM Function: Standard Voltage - Rated: 230/460VAC Packaging: Bulk | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT103E1K | Littelfuse | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors THERMISTOR, US SENSO R | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT103E1K | Littelfuse Inc. | Description: THERMISTOR NTC 10KOHM 3435K BEAD Part Status: Active Length - Lead Wire: 1.00" (25.40mm) Resistance Tolerance: ±10% Resistance in Ohms @ 25°C: 10k B25/85: 3435K Operating Temperature: 260°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: Bead, Glass Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT103J1K | Littelfuse | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors THERMISTOR, US SENSO R | на замовлення 491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT103J1K | Littelfuse | NTC Thermistor 10K Ohm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT103J1K | Littelfuse Inc. | Description: THERMISTOR NTC 10KOHM 3977K BEAD Packaging: Bulk Package / Case: Bead, Glass Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 300°C B25/85: 3977K Resistance in Ohms @ 25°C: 10k Resistance Tolerance: ±10% Length - Lead Wire: 1.00" (25.40mm) | на замовлення 283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT104L1K | Littelfuse | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 100K OHM 10% GLASS B EAD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT104L1K | Littelfuse | Glass Coated Chip Thermistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT104L1K | Littelfuse Inc. | Description: THERM NTC 100KOHM 4040K BEAD Length - Lead Wire: 1.00" (25.40mm) Resistance Tolerance: ±10% Resistance in Ohms @ 25°C: 100k B25/85: 4040K Operating Temperature: 300°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: Bead, Glass Packaging: Bulk | на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT105A2N | Western Filament | GT105A2N | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT105N10F | Goford Semiconductor | Description: N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)< Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1587 pF @ 50 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-220F Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT105N10F | GOFORD Semiconductor | N-CH,100V,33A,RD(max) Less Than 10.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 15mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-220F | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT105N10F | Goford Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO-220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 20.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT105N10K | Goford Semiconductor | Description: MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) | на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT105N10K | GOFORD Semiconductor | N-CH,100V,60A,RD(max) Less Than 10.5mOhm at 10V, VTH2.5V to 4.0V, TO-252 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT105N10K | Goford Semiconductor | Description: MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252 Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT105N10K | Goford Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT105N10M | GOFORD Semiconductor | GT105N10M | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT105N10M | Goford Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 60A 83W TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1675 pF @ 50 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT105N10M | Goford Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 60A 83W TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1675 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT105N10T | Goford Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO-220 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT105N10T | Goford Semiconductor | Description: N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)< Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT105N10T | GOFORD Semiconductor | N-CH,100V,60A,RD(max) Less Than 10.5mOhm at 10V, VTH2.5V to 4.0V, TO-252 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT105U1K | Littelfuse | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC THERMISTOR 1M OH M 10% GLASS BEAD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT105U1K | Littelfuse Inc. | Description: THERMISTOR NTC 1MOHM 4350K BEAD Part Status: Active Length - Lead Wire: 1.00" (25.40mm) Resistance Tolerance: ±10% Resistance in Ohms @ 25°C: 1M B25/85: 4350K Operating Temperature: 300°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: Bead, Glass Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT106M050HDABA | Aillen | Description: CAP ALUM 10UF 20% 50V RADIAL TH Ripple Current @ High Frequency: 100 mA @ 100 kHz Impedance: 1.5 Ohms Voltage - Rated: 50 V Capacitance: 10 µF Height - Seated (Max): 0.433" (11.00mm) Lifetime @ Temp.: 5000 Hrs @ 85°C Lead Spacing: 0.079" (2.00mm) Applications: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Mounting Type: Through Hole Size / Dimension: 0.197" Dia (5.00mm) Package / Case: Radial, Can Tolerance: ±20% Packaging: Bulk | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT10A-2022PCF | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN PLUG CENTER TERMINAL CRIMP Packaging: Cut Tape (CT) For Use With/Related Products: GT10 Series Accessory Type: Contact | на замовлення 19469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT10A-2022PCF | Hirose Connector | Automotive Connectors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT10A-2022PCF | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN PLUG CENTER TERMINAL CRIMP Packaging: Tape & Reel (TR) For Use With/Related Products: GT10 Series Accessory Type: Contact | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT10A-2022SCF | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN SOCKET CENTER TERMINAL CRIM Packaging: Tape & Reel (TR) For Use With/Related Products: GT10 Series Accessory Type: Contact | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT10A-2022SCF | Hirose Connector | Automotive Connectors | на замовлення 12985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT10A-2022SCF | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN SOCKET CENTER TERMINAL CRIM Packaging: Cut Tape (CT) For Use With/Related Products: GT10 Series Accessory Type: Contact | на замовлення 15535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT10A-2428PCF | Hirose Connector | Automotive Connectors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT10B-(10PRE)/RE-MD | Hirose Electric Co Ltd | Description: TOOL EXTRACTION | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT10B-(10PRE)/RE-MD | Hirose Connector | Automotive Connectors TOOL EXTRACTION | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT10B-(10SET)/RE-MD | Hirose Connector | Automotive Connectors TOOL EXTRACTION | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT10B-(10SET)/RE-MD | Hirose Electric Co Ltd | Description: TOOL EXTRACTION | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT10B-(20PRE)/RE-MD | Hirose Electric Co Ltd | Description: TOOL EXTRACTION | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT10B-(20PRE)/RE-MD | Hirose Connector | Automotive Connectors TOOL EXTRACTION | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT10B-(20SET)/RE-MD | Hirose Electric Co Ltd | Description: TOOL EXTRACTION | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT10B-(20SET)/RE-MD | Hirose Connector | Automotive Connectors TOOL EXTRACTION | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT10B-(CON)/RE-MD | Hirose Electric Co Ltd | Description: TOOL EXTRACTION | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT10B-(CON)/RE-MD | Hirose Connector | Automotive Connectors TOOL EXTRACTION | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT10B-20/10DS-HU | Hirose Connector | Automotive Connectors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT10D-100-100-0.25-0 | t-Global Technology | Description: THERMAL PAD 100X100MM PINK Packaging: Bulk Color: Pink Material: Silicone Shape: Square Thickness: 0.0098" (0.250mm) Type: Thermal Pad Usage: Multi Outline: 100.00mm x 100.00mm Thermal Conductivity: 1.5W/m-K Backing, Carrier: Fiberglass Part Status: Active | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT10D-100-100-0.25-1A | t-Global Technology | Description: THERMAL PAD 100X100MM PINK Backing, Carrier: Fiberglass Adhesive: Adhesive - One Side Thermal Conductivity: 1.5W/m-K Outline: 100.00mm x 100.00mm Usage: Multi Type: Thermal Pad Thickness: 0.0098" (0.250mm) Shape: Square Material: Silicone Color: Pink Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT10D-100-100-0.25-2A | t-Global Technology | Description: THERMAL PAD 100X100MM PINK Packaging: Bulk Color: Pink Material: Silicone Shape: Square Thickness: 0.0098" (0.250mm) Type: Thermal Pad Usage: Multi Outline: 100.00mm x 100.00mm Thermal Conductivity: 1.5W/m-K Adhesive: Adhesive - Both Sides Backing, Carrier: Fiberglass Part Status: Active | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT10D-105-27-0.25-1A | t-Global Technology | Description: THERMAL PAD 105X27MM PINK Part Status: Active Backing, Carrier: Fiberglass Adhesive: Adhesive - One Side Thermal Conductivity: 1.5W/m-K Outline: 105.00mm x 27.00mm Usage: Multi Type: Thermal Pad Thickness: 0.0098" (0.250mm) Shape: Rectangular Material: Silicone Color: Pink Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT10D-15.1-11.5-0.25-1A | t-Global Technology | Description: THERMAL PAD 15.1X11.5MM PINK Packaging: Bulk Color: Pink Material: Silicone Shape: Rectangular Thickness: 0.0098" (0.250mm) Type: Thermal Pad Usage: Multi Outline: 15.10mm x 11.50mm Thermal Conductivity: 1.5W/m-K Adhesive: Adhesive - One Side Backing, Carrier: Fiberglass Part Status: Active | на замовлення 1730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT10D-150-150-0.25-0 | t-Global Technology | Description: THERMAL PAD 150X150MM PINK Packaging: Bulk Color: Pink Material: Silicone Shape: Square Thickness: 0.0098" (0.250mm) Type: Thermal Pad Usage: Multi Outline: 150.00mm x 150.00mm Thermal Conductivity: 1.5W/m-K Backing, Carrier: Fiberglass Part Status: Active | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT10D-150-150-0.25-1A | t-Global Technology | Description: THERMAL PAD 150X150MM PINK Packaging: Bulk Color: Pink Material: Silicone Shape: Square Thickness: 0.0098" (0.250mm) Type: Thermal Pad Usage: Multi Outline: 150.00mm x 150.00mm Thermal Conductivity: 1.5W/m-K Adhesive: Adhesive - One Side Backing, Carrier: Fiberglass Part Status: Active | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT10D-150-150-0.25-2A | t-Global Technology | Description: THERMAL PAD 150X150MM PINK Packaging: Bulk Color: Pink Material: Silicone Shape: Square Thickness: 0.0098" (0.250mm) Type: Thermal Pad Usage: Multi Outline: 150.00mm x 150.00mm Thermal Conductivity: 1.5W/m-K Adhesive: Adhesive - Both Sides Backing, Carrier: Fiberglass Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT10D-30-25-0.25-0 | t-Global Technology | Description: THERMAL PAD 30X25MM PINK Packaging: Bulk Color: Pink Material: Silicone Shape: Rectangular Thickness: 0.0098" (0.250mm) Type: Thermal Pad Usage: Multi Outline: 30.00mm x 25.00mm Thermal Conductivity: 1.5W/m-K Backing, Carrier: Fiberglass | на замовлення 132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT10D-300-300-0.25-0 | t-Global Technology | Description: THERMAL PAD 300X300MM PINK Packaging: Bulk Color: Pink Material: Silicone Shape: Square Thickness: 0.0098" (0.250mm) Type: Thermal Pad Usage: Multi Outline: 300.00mm x 300.00mm Thermal Conductivity: 1.5W/m-K Backing, Carrier: Fiberglass | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT10D-300-300-0.25-1A | t-Global Technology | Description: THERMAL PAD 300X300MM PINK Packaging: Bulk Color: Pink Material: Silicone Shape: Square Thickness: 0.0098" (0.250mm) Type: Thermal Pad Usage: Multi Outline: 300.00mm x 300.00mm Thermal Conductivity: 1.5W/m-K Adhesive: Adhesive - One Side Backing, Carrier: Fiberglass | на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT10D-300-300-0.25-2A | t-Global Technology | Description: THERMAL PAD 300X300MM PINK Packaging: Bulk Color: Pink Material: Silicone Shape: Square Thickness: 0.0098" (0.250mm) Type: Thermal Pad Usage: Multi Outline: 300.00mm x 300.00mm Thermal Conductivity: 1.5W/m-K Adhesive: Adhesive - Both Sides Backing, Carrier: Fiberglass | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT10D-32-25-0.25-0 | t-Global Technology | Description: THERMAL PAD 32X25MM PINK Packaging: Bulk Color: Pink Material: Silicone Shape: Rectangular Thickness: 0.0098" (0.250mm) Type: Thermal Pad Usage: Multi Outline: 32.00mm x 25.00mm Thermal Conductivity: 1.5W/m-K Backing, Carrier: Fiberglass | на замовлення 377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT10D-33-24.4-0.25-0 | t-Global Technology | Description: THERMAL PAD 33X24.4MM PINK Packaging: Bulk Color: Pink Material: Silicone Shape: Rectangular Thickness: 0.0098" (0.250mm) Type: Thermal Pad Usage: Multi Outline: 33.00mm x 24.40mm Thermal Conductivity: 1.5W/m-K Backing, Carrier: Fiberglass | на замовлення 414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT10D-46-44.5-0.25-1A | t-Global Technology | Description: THERMAL PAD 46X44.5MM PINK Backing, Carrier: Fiberglass Adhesive: Adhesive - One Side Thermal Conductivity: 1.5W/m-K Outline: 46.00mm x 44.50mm Usage: Multi Type: Thermal Pad Thickness: 0.0098" (0.250mm) Shape: Rectangular Material: Silicone Color: Pink Packaging: Bulk | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT10D-60-30-0.25-0 | t-Global Technology | Description: THERMAL PAD 60X30MM PINK Packaging: Bulk Color: Pink Material: Silicone Shape: Rectangular Thickness: 0.0098" (0.250mm) Type: Thermal Pad Usage: Multi Outline: 60.00mm x 30.00mm Thermal Conductivity: 1.5W/m-K Backing, Carrier: Fiberglass | на замовлення 293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| GT10G131(TE12L) | TOS | 04+ SOP-8 | на замовлення 7150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GT10G131(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IGBT 400V 1W 8-SOIC Power - Max: 1 W Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Part Status: Obsolete Td (on/off) @ 25°C: 3.1µs/2µs Supplier Device Package: 8-SOP (5.5x6.0) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 4V, 200A Input Type: Standard Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

