Продукція > IGL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IGLT65R045D2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 6nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 16Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGLT65R045D2ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGLT65R045D2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 37A 16-Pin HDSOP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGLT65R045D2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 650V 38A 16SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 10A Power Dissipation (Max): 124W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGLT65R045D2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 6nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| iglt65r055b2 | Infineon Technologies | HV GAN DISCRETES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGLT65R055B2AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLT65R055B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 5.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGLT65R055B2AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 16-Pin HDSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGLT65R055B2AUMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 650V 21.8A 16SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 9A Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 400 V | на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGLT65R055B2AUMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs CoolGaN Bi -directional switch, enhancement -mode | на замовлення 2071 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGLT65R055B2AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLT65R055B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 5.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: - rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 5.4nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: - | на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGLT65R055B2AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 16-Pin HDSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGLT65R055B2AUMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 650V 21.8A 16SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 9A Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 400 V | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGLT65R055D2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 31A 16-Pin HDSOP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGLT65R055D2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 650V 31A 16SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A Power Dissipation (Max): 102W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGLT65R055D2ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGLT65R055D2ATMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs HV GAN DISCRETES | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGLT65R055D2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 31A 16-Pin HDSOP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGLT65R055D2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 650V 31A 16SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A Power Dissipation (Max): 102W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGLT65R110B2AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLT65R110B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 0.14 ohm, 1.61 nC, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 1745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGLT65R110B2AUMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 650V 14A 16SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4.5A Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.36mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.52 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 149 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGLT65R110B2AUMA1 | Infineon Technologies | 650V Cool GaN / Power Transistor Device for high-efficiency Switching | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGLT65R110B2AUMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs HV GAN DISCRETES | на замовлення 1454 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGLT65R110B2AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLT65R110B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 0.14 ohm, 1.61 nC, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 1.61nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: CoolGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm | на замовлення 1745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGLT65R110B2AUMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 650V 14A 16SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4.5A Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.36mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.52 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 149 pF @ 400 V | на замовлення 1478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGLT65R110D2 | Infineon Technologies | HV GAN DISCRETES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGLT65R110D2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 15A 16-Pin HDSOP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGLT65R110D2ATMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs HV GAN DISCRETES | на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGLT65R110D2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLT65R110D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 2.4nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm | на замовлення 1073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGLT65R110D2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 650V 15A 16SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4A Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V | на замовлення 691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGLT65R110D2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 15A 16-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 1760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGLT65R110D2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 15A 16-Pin HDSOP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGLT65R110D2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLT65R110D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 2.4nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 16Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm | на замовлення 1073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGLT65R110D2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 650V 15A 16SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4A Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGLT65R110D2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 15A 16-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 1760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|