Продукція > NDS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NDS335 | на замовлення 300000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDS335AN | FAIRCHIL | на замовлення 18600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NDS335N Код товару: 135240
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NDS335N | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 10 V | на замовлення 71091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDS335N | ONS/FAI | MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS335N | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS335N | FAIRCHILD | на замовлення 141000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NDS335N(335) | на замовлення 30145 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDS335N-NL | FAIRCHILD | 11+ SOT-23 | на замовлення 116331 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS335N/335 | FAIR | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NDS335N/335N | FAIR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NDS335N\335 | FAIRCHIL | SOT-23 | на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS335N_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS336 | на замовлення 3208 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDS336P | FAIRCHILD | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NDS336P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS336P SOT23-336 | FAIRCHILD | на замовлення 2739 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NDS336P SOT23-336 | FAIRCHILD | на замовлення 2939 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NDS336P(336) | на замовлення 2700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDS336P(336*) | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDS336P-NL | FAIRCHILD | 11+ SOT-23 | на замовлення 69331 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS336P/336 | FAIRCHIL | 09+ | на замовлення 1248 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS336PSOT23-336 | FAIRCHLD | на замовлення 2939 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NDS337-NL | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDS337N | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDS337N-NL | FAIRCHILD | 11+ SOT-23 | на замовлення 69321 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS338DS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDS338N | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDS338P | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDS338P-NL | FAIRCHILD | 11+ SOT-23 | на замовлення 69331 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS339AN-NL | FAIRCHILD | 11+ SOT-23 | на замовлення 93331 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS340P | FAIRCHILD | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NDS351 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDS351AN | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDS351AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 179119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDS351AN | ONS/FAI | MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS351AN | onsemi / Fairchild | MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC | на замовлення 46255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS351AN | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 145 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS351AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 327023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDS351AN | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDS351AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 179119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDS351AN | onsemi | MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS351AN | Fairchild | N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 460mW NDS351AN 3-SSOT Fairchild TNDS351an кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2880 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDS351AN SOT23-351A | FAIRCHILD | на замовлення 2962 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NDS351AN SOT23-351A | FAIRCHILD | на замовлення 5962 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NDS351AN(351A) | на замовлення 255 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDS351AN-NL | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDS351AN-NL-ML | MOSLEADER | Description: N-Channel 30V 1.4A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 299800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDS351AN-SBNL001 | onsemi | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS351AN-SBNL001P | onsemi | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS351AN/351A | FAIRCHIL | 09+ | на замовлення 3668 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS351ANSOT23-3 | на замовлення 2962 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDS351AN_G | onsemi / Fairchild | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS351AN_NL | FSC | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NDS351AN_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V, SSOT-3, NCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS351AN_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS351AN_T | onsemi / Fairchild | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS351N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS351N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS351N | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDS351N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.135 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 1.1 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 500 Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.6 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS351N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 19242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDS351N | onsemi / Fairchild | MOSFET NChannel Logic Level Enhancement Mode FE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS351N Код товару: 171159
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NDS351N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS351N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDS351N | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDS351N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.135 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage Verlustleistung: 500 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS351N-NL | на замовлення 86400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDS351N-NL-ML | MOSLEADER | Description: N-Channel 30V 1.1A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDS351N/351 | FAIRCHILD | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NDS352A/352 | FAIRCHILD | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NDS352AN | на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDS352AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDS352AP | onsemi | MOSFETs P-Ch LL FET Enhancement Mode | на замовлення 47871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS352AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS352AP | Aptina Imaging | Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDS352AP | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDS352AP | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 6883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDS352AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS352AP | onsemi / Fairchild | MOSFETs P-Ch LL FET Enhancement Mode | на замовлення 65508 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS352AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDS352AP | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V | на замовлення 14705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDS352AP | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -900mA Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 3nC | на замовлення 3009 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDS352AP SOT23-352A | FAIRCHILD | на замовлення 2050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NDS352AP-NL | FAI | SOT-23 | на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS352AP-NL-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -30V -0.9A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 296800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDS352AP/352 | FAIRCHIL | 09+ | на замовлення 5988 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS352AP352 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDS352APSOT23-352 | FAIRCHLD | на замовлення 2055 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NDS352APSOT23-352A | на замовлення 2050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDS352P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS352P | onsemi / Fairchild | MOSFET SSOT-3 P-CH 20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS352P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS352P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | на замовлення 28035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDS352P-NL | FAIRCHILD | 11+ROHS SOT-23 | на замовлення 66921 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS355 | FAITCHILD | 04+ SOT-23 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDS355A | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDS355AN | ON-Semiconductor | N-MOSFET 1.7A 30V 0.5W 0.085Ω NDS355AN smd TNDS355an кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 1864 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDS355AN | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V | на замовлення 212245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDS355AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 234000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDS355AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDS355AN | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDS355AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDS355AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

