Продукція > NTL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTLJS4D9N03HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4D9N03HTAGonsemiMOSFETs T8 30V
на замовлення 3171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS5D0N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.38mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 35828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.84 грн
10+48.23 грн
100+32.06 грн
500+24.88 грн
1000+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS5D0N03CTAGON Semiconductor30 V Single N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS5D0N03CTAGONN
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS5D0N03CTAGonsemiMOSFETs T6 30V POWER CLIP 2
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS5D0N03CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS5D0N03CTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS5D0N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.38mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.20 грн
9000+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZonsemiArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.1A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 20921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
960+36.83 грн
1017+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.1A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
960+36.83 грн
1017+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.1A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 10 V
на замовлення 36114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.68 грн
10+62.72 грн
100+41.54 грн
500+30.45 грн
1000+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.1A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAGonsemiMOSFETs PT8 20V WDFN POWER CLIP
на замовлення 3634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.1A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLK3FIT
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLLD4901NFTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 810mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 6.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 605pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3x3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLLD4901NFTWGON SemiconductorMOSFET NFET WDFN8 30V 9A 20MOHM
на замовлення 3327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLLD4951NFTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN
Supplier Device Package: 8-WDFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 605pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 6.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 800mW, 810mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+98.87 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLLD4951NFTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 810mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 6.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 605pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3x3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLLD4951NFTWGON SemiconductorMOSFET NFET WDFN8 30V 9A 20MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLMS4504NR2ONSEMIDescription: ONSEMI - NTLMS4504NR2 - NTLMS4504NR2, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 19640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLMS4504NR2onsemiDescription: TRANS MOSFET N-CH 24V 28A 3PIN S
Packaging: Bulk
на замовлення 18570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 452 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLTD7900DR2
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLTD7900NR2Z
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLTD7900ZON07+ Micro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLTD7900ZR2ON Semicondu2002
на замовлення 310000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLTD7900ZR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLTD7900ZR2G - MOSFET, DUAL N-CH, 20V, 6A, MSOP
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 297816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1240+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 1240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLTD7900ZR2G
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLTD7900ZR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLTD7900ZR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLTS3107PR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLTS3107PR2G - NTLTS3107PR2G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLTS3107PR2GRochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 374 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3191PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
на замовлення 99480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 1665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3191PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3191PZTBGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 1665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3191PZTBGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A260PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
10+31.70 грн
100+22.05 грн
500+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A260PZTAGonsemiMOSFET POWER MOSFET 20V 2A 200 M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A260PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A260PZTBGonsemiEncoders 3.3Vin IP65 Encoder
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A260PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A50PZonsemi PFET UDFN6 20V 5.6A 50MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A50PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.19 грн
10+59.02 грн
100+39.16 грн
500+28.70 грн
1000+26.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A50PZTAGonsemiMOSFET PFET UDFN6 20V 5.6A 50MOH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A50PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A50PZTAGON Semiconductor
на замовлення 620 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A50PZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A50PZTBGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A50PZTBGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A50PZTBGON SemiconductorMOSFET Dual P-Channel Cool Power MOSFET -20V -5.6A 50m
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD4C26NTAGonsemiMOSFET NFET UDFN6 30V 8.7A
на замовлення 78725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD4C26NTBGON SemiconductorMOSFET NFET UDFN6 30V 8.7A 21MOH
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUF4189NZTAGON Semiconductor
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUF4189NZTAGRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUF4189NZTAGON SemiconductorMOSFET NFET WDFN6 30V 1.5A 200mOhm
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUF4189NZTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUF4189NZTBG - NTLUF4189NZTBG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 302750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUF4189NZTBGRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 454750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS020N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.84 грн
10+39.25 грн
100+25.56 грн
500+18.47 грн
1000+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS020N03CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; Idm: 24A; 1.52W; uDFN6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 1.52W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS020N03CTAGonsemiMOSFETs T6 30V NCH 1.6X1.6 UDFN
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS020N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS020N03CTAGON Semiconductor
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS029N06T6TAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 3.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 30 V
на замовлення 17970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.52 грн
10+44.15 грн
100+30.58 грн
500+23.98 грн
1000+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS029N06T6TAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 3.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.11 грн
6000+18.35 грн
9000+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS029N06T6TAGonsemiMOSFETs 60V 29 MOHM T6 1.6 X1.6 U
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS030N03CTAGonsemiMOSFETs T6 30V NCH 1.6X1.6 UDFN
на замовлення 4538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS030N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.35 грн
10+36.46 грн
100+23.67 грн
500+17.05 грн
1000+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS030N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3192PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 1268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3192PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3192PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 1268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3192PZTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS3192PZTBG - NTLUS3192PZTBG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZCTAGONN
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZCTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZCTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZCTCGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZCTCGonsemiMOSFETs PFET UDFN 20V 8.2A 18MOHM
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTAGON Semiconductor
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8.2A 6-Pin UDFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
10+43.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTAGON SemiconductorMOSFET T4S PCH 20/8V IN 2X2 UDFN
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTBGON SemiconductorMOSFET T4S PCH 20/8V IN 2X2 UDFN
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTBGONN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTCGON Semiconductor
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTCGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
на замовлення 8354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1037+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 1037 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTCGON SemiconductorMOSFET PFET UDFN 20V 8.2A 18MOHM
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTCGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A39PZCTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A39PZCTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 67334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 683 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A39PZCTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A39PZTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS3A39PZTAG - NTLUS3A39PZTAG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 160793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+33.08 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A39PZTAGON SemiconductorMOSFET T4S PCH 20/8V IN 1.6X1.6
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A39PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 15 V
на замовлення 160793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
643+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 643 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A39PZTAGON Semiconductor
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]