Продукція > QS6

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
QS6D01300R9HGA
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J1ROHM07+ SOT-163
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J11
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J11FU7TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J11TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J11TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J11TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
529+26.75 грн
549+25.79 грн
1000+24.94 грн
2500+23.34 грн
Мінімальне замовлення: 529 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J11TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin TSMT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J11TRROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET PCH 12V 2A 6PIN
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J11TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
на замовлення 3684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.84 грн
10+39.48 грн
100+25.77 грн
500+18.63 грн
1000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J11TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J11TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J11TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+48.02 грн
419+33.82 грн
528+26.81 грн
1000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J1TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+56.10 грн
391+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J1TRROHM SemiconductorMOSFETs 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
на замовлення 5938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J1TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.20 грн
6000+14.38 грн
9000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J1TRROHM0551+ SOT-163
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J1TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+21.58 грн
680+20.80 грн
1000+20.12 грн
2500+18.83 грн
5000+16.96 грн
Мінімальне замовлення: 656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J1TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
на замовлення 11562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.84 грн
10+39.70 грн
100+25.89 грн
500+18.72 грн
1000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J1TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J3TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J3TRROHM05+
на замовлення 27010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J3TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J3TRROHM SemiconductorMOSFETs 2P-CH 20V 1.5A
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J3TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1ROHMSOT163
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1 TRROHMSOT26
на замовлення 5290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1FRATRROHMDescription: ROHM - QS6K1FRATR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.17 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Bauform - Transistor: SOT-457
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1FRATRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.53 грн
6000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1FRATRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1FRATRROHM SemiconductorMOSFETs 0.26Rds(on) 1.7Qg
на замовлення 3575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1FRATRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+38.19 грн
100+24.89 грн
500+17.97 грн
1000+16.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1FRATRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1TRROHMDescription: ROHM - QS6K1TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.364 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.364ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.27 грн
500+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1TRROHM05+
на замовлення 27010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.30 грн
6000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 5253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+53.12 грн
388+36.46 грн
500+29.39 грн
1000+25.38 грн
3000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1TRROHMDescription: ROHM - QS6K1TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.364 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.364ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.01 грн
50+49.34 грн
100+32.27 грн
500+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
на замовлення 8526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+42.04 грн
100+27.49 грн
500+19.93 грн
1000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
660+21.43 грн
685+20.66 грн
1000+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 660 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1TRROHM SemiconductorMOSFETs 2N-CH 30V 1A TSMT6
на замовлення 14442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21FRATRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 950mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+42.34 грн
100+27.73 грн
500+20.11 грн
1000+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21FRATRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 1A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21FRATRROHMDescription: ROHM - QS6K21FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 1 A, 0.42 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.32 грн
500+21.81 грн
1000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21FRATRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 950mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21FRATRROHM SemiconductorMOSFETs 0.415Rds(on) 1.5Qg
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21FRATRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 1A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21FRATRROHMDescription: ROHM - QS6K21FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 1 A, 0.42 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.92 грн
18+46.33 грн
100+30.32 грн
500+21.81 грн
1000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21TRROHMDescription: ROHM - QS6K21TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 45 V, 1 A, 1 A, 0.42 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.42ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.07 грн
19+43.16 грн
100+28.21 грн
500+20.38 грн
1000+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21TRROHM SemiconductorMOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 45V, 1A
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.84 грн
10+39.32 грн
100+25.64 грн
500+18.54 грн
1000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 1A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+54.04 грн
399+35.45 грн
518+27.35 грн
1000+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21TRROHMDescription: ROHM - QS6K21TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 45 V, 1 A, 1 A, 0.42 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.42ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.21 грн
500+20.38 грн
1000+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M3ROHMSOT163
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M3ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M3TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M3TRROHMDescription: ROHM - QS6M3TR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.34 грн
50+38.94 грн
100+29.34 грн
500+23.93 грн
1500+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M3TRROHM SemiconductorMOSFETs N+P 30 20V 1.5A TSMT6
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M3TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 27118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+38.04 грн
100+24.68 грн
500+17.76 грн
1000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M3TRROHMDescription: ROHM - QS6M3TR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.34 грн
500+23.93 грн
1500+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M3TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.28 грн
6000+13.52 грн
9000+12.92 грн
15000+11.49 грн
21000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M3TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4ROHMSOT163
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4 TRROHMSOT26
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.53 грн
6000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 8731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+53.85 грн
407+34.76 грн
534+26.50 грн
1000+22.87 грн
3000+18.11 грн
6000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
684+20.69 грн
710+19.94 грн
1000+19.29 грн
2500+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 684 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+38.19 грн
100+24.89 грн
500+17.97 грн
1000+16.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+95.18 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4TRROHM SemiconductorMOSFETs N+P 30 20V 1.5A TSMT6
на замовлення 11537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6U22
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6U22TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6U22TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6U22TRROHMDescription: ROHM - QS6U22TR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.43 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS6U22TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS6U22TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6U22TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS6U24ROHMSOT163
на замовлення 13650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6U24TRROHMDescription: ROHM - QS6U24TR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.8 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS6U24TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.24 грн
6000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6U24TRROHM SemiconductorMOSFETs P-CH 30V 1A TSMT6
на замовлення 4501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6U24TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
679+20.84 грн
705+20.08 грн
1000+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 679 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6U24TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 10 V
на замовлення 11231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+38.72 грн
100+25.26 грн
500+18.25 грн
1000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6U37
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6U40ROHM09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6Z5TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 1A 1250mW 6-Pin TSMT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6Z5TRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT SOT457 60V 1A NPN/PNP BISS
на замовлення 3546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6Z5TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 1A 1250mW 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
614+23.05 грн
637+22.22 грн
1000+21.50 грн
2500+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 614 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6Z5TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 50V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA / 400mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz, 400MHz
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
на замовлення 3070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+52.68 грн
100+34.83 грн
500+25.49 грн
1000+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6Z5TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 1A 1250mW 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 4879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+74.47 грн
291+48.73 грн
500+37.61 грн
1000+32.63 грн
3000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6Z5TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 1A 1250mW 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6Z5TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 50V 1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA / 400mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz, 400MHz
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3