Продукція > RFN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RFN10NS8DFHTL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ARRAY GP 800V 10A LPDS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFN10NS8DFHTL | ROHM Semiconductor | Rectifiers RECT 800V 10A SM SUPER FST | на замовлення 1361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10NS8DFHTL | Rohm Semiconductor | Diode Switching 800V 10A 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10NS8DFHTL | ROHM | Description: ROHM - RFN10NS8DFHTL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 2.1 V, 40 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263S Durchlassstoßstrom: 60A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 2.1V Sperrverzögerungszeit: 40ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFN10NS8DFHTL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ARRAY GP 800V 10A LPDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10NS8DFHTL | Rohm Semiconductor | Diode Switching 800V 10A 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10NS8DTL | Rohm Semiconductor | Diode Switching 800V 10A 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R | на замовлення 1804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10NS8DTL | ROHM | Description: ROHM - RFN10NS8DTL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 2.1 V, 40 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263S Durchlassstoßstrom: 60A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 2.1V Sperrverzögerungszeit: 40ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A SVHC: Lead (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 800V Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10NS8DTL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ARRAY GP 800V 10A LPDS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFN10NS8DTL | Rohm Semiconductor | Diode Switching 800V 10A 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R | на замовлення 586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10NS8DTL | ROHM Semiconductor | Rectifiers RECT 800V 10A SM SUPER FST | на замовлення 1626 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10NS8DTL | ROHM | Description: ROHM - RFN10NS8DTL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 2.1 V, 40 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263S Durchlassstoßstrom: 60A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 2.1V Sperrverzögerungszeit: 40ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A SVHC: Lead (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 800V Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10NS8DTL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ARRAY GP 800V 10A LPDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | на замовлення 965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10RSM2STFTL1 | ROHM | Description: ROHM - RFN10RSM2STFTL1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 10 A, Einfach, zweifache Anode, 960 mV, 44 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-277A Durchlassstoßstrom: 130A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 960mV Sperrverzögerungszeit: 44ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10RSM2STFTL1 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 200V 10A TO277A Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-277A Current - Average Rectified (Io): 10A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10RSM2STFTL1 | Rohm Semiconductor | Diode Switching Si 200V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-277GE Automotive AEC-Q101 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10RSM2STFTL1 | ROHM Semiconductor | Rectifiers 200V 10A 15ns, TO-277A, Ultra Fast Recovery Diode for Automotive | на замовлення 3966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10RSM2STFTL1 | ROHM | Description: ROHM - RFN10RSM2STFTL1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 10 A, Einfach, zweifache Anode, 960 mV, 44 ns tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 130A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 960mV Sperrverzögerungszeit: 44ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10RSM2STFTL1 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 200V 10A TO277A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-277A Current - Average Rectified (Io): 10A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFN10RSM2STFTL1 | Rohm Semiconductor | Diode Switching Si 200V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-277GE Automotive AEC-Q101 | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFN10RSM2STL1 | ROHM | Description: ROHM - RFN10RSM2STL1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 10 A, Einfach, zweifache Anode, 960 mV, 44 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-277A Durchlassstoßstrom: 130A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 960mV Sperrverzögerungszeit: 44ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 4040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10RSM2STL1 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 200V 10A TO277A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-277A Current - Average Rectified (Io): 10A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10RSM2STL1 | Rohm Semiconductor | Diode Switching Si 200V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-277GE | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFN10RSM2STL1 | ROHM | Description: ROHM - RFN10RSM2STL1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 10 A, Einfach, zweifache Anode, 960 mV, 44 ns tariffCode: 85411000 productTraceability: No Sperrverzögerungszeit: 44ns rohsCompliant: Y-EX Durchlassstoßstrom: 130A Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Durchlassspannung, max.: 960mV hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | на замовлення 4040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10RSM2STL1 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 200V 10A TO277A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-277A Current - Average Rectified (Io): 10A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10RSM2STL1 | Rohm Semiconductor | Diode Switching Si 200V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-277GE | на замовлення 788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10RSM2STL1 | ROHM Semiconductor | Rectifiers 200V 10A 15ns, TO-277A, Ultra Fast Recovery Diode | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10T2D | Rohm Semiconductor | Diode Switching 200V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FN Bulk | на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFN10T2D | ROHM Semiconductor | Rectifiers 200V Vrm 10A Io Recovery Diode | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10T2D | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ARRAY GP 200V 5A TO-220FN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A Supplier Device Package: TO-220FN Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10T2DNZC9 | ROHM Semiconductor | Rectifiers DIODE-RECTIFIER | на замовлення 1557 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10T2DNZC9 | Rohm Semiconductor | Diode Switching Si 200V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FN Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10T2DNZC9 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO-220FN Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-220FN Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | на замовлення 894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10T2DNZC9 | Rohm Semiconductor | Diode Switching Si 200V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FN Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFN10TB4S | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Switching 430V 10A 30ns 2-Pin(2+Tab) TO-220FN Bulk | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFN10TB4SNZC9 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 430V 10A TO220NFM Part Status: Active Operating Temperature - Junction: 150°C Supplier Device Package: TO-220NFM Current - Average Rectified (Io): 10A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Full Pack Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 430 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 430 V | на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10TB4SNZC9 | Rohm Semiconductor | Diode Switching Si 430V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220FN Tube | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFN10TB4SNZC9 | Rohm Semiconductor | Diode Switching Si 430V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220FN Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFN10TB4SNZC9 | ROHM Semiconductor | Rectifiers Super Fast Recovery Diode | на замовлення 1555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10TF6S | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 10A 50ns 2-Pin(2+Tab) TO-220NFM Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10TF6S | ROHM Semiconductor | Small Signal Switching Diodes Diode Switching 600V 10A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFN10TF6S | Rohm Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO220NFM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220NFM Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFN10TF6S | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 10A 50ns 2-Pin(2+Tab) TO-220NFM Tube | на замовлення 802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10TF6SC9 | Rohm Semiconductor | Diode Switching Si 600V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220NFM Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10TF6SC9 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO220NFM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220NFM Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10TF6SC9 | Rohm Semiconductor | Diode Switching Si 600V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220NFM Tube | на замовлення 868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10TF6SC9 | Rohm Semiconductor | Diode Switching Si 600V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220NFM Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10TF6SC9 | ROHM Semiconductor | Rectifiers DIODE-RECTIFIER | на замовлення 1420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10TF6SFHC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Switching Si 600V 10A 50ns Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220NFM Tube | на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10TF6SFHC9 | ROHM Semiconductor | Rectifiers 600V VR 10A IO ITO-220AC; TO-220NFM | на замовлення 3287 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10TF6SFHC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Switching Si 600V 10A 50ns Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220NFM Tube | на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10TF6SFHC9 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO220NFM Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Supplier Device Package: TO-220NFM Current - Average Rectified (Io): 10A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Full Pack Packaging: Tube Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN10TF6SFHC9 | ROHM | Description: ROHM - RFN10TF6SFHC9 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 1.55 V, 50 ns, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220NFM Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.55V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN110095 | LOVATO ELECTRIC | Category: Contactors - Accessories Description: Thermal relay; screw terminals; 70÷95A; Resetting: manual Type of contactors accessories: thermal relay Leads: screw terminals Range of overcurrent release settings: 70...95A Resetting method: manual | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFN16T2DNZC9 | ROHM Semiconductor | Rectifiers Super Fast Recovery Diode | на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1L6SDDTE25 | Rohm Semiconductor | Description: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFN1L6SDDTE25 | ROHM | Description: ROHM - RFN1L6SDDTE25 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.45 V, 35 ns, 15 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-106 Durchlassstoßstrom: 15A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.45V Sperrverzögerungszeit: 35ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA SVHC: Lead (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1L6SDDTE25 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 0.8A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.45V; Ifsm: 15A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 0.8A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Case: SMA Max. forward voltage: 1.45V Max. forward impulse current: 15A Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFN1L6SDDTE25 | ROHM Semiconductor | Rectifiers Fast Recovery Diode (AEC-Q101 Qualified) | на замовлення 9972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1L6SDDTE25 | ROHM | Description: ROHM - RFN1L6SDDTE25 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.45 V, 35 ns, 15 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-106 Durchlassstoßstrom: 15A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.45V Sperrverzögerungszeit: 35ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA SVHC: Lead (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1L6SDDTE25 | Rohm Semiconductor | Description: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFN1L6STE25 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Supplier Device Package: PMDS Current - Average Rectified (Io): 800mA Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFN1L6STE25 | ROHM Semiconductor | Small Signal Switching Diodes Diode Switching 600V 0.8A | на замовлення 1311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1L6STE25 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Supplier Device Package: PMDS Current - Average Rectified (Io): 800mA Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFN1L7SDDTE25 | ROHM | Description: ROHM - RFN1L7SDDTE25 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 700 V, 800 mA, Einfach, 1.5 V, 80 ns, 15 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-106 Durchlassstoßstrom: 15A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.5V Sperrverzögerungszeit: 80ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA SVHC: Lead (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 700V Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1L7SDDTE25 | Rohm Semiconductor | Description: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU | на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFN1L7SDDTE25 | ROHM | Description: ROHM - RFN1L7SDDTE25 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 700 V, 800 mA, Einfach, 1.5 V, 80 ns, 15 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-106 Durchlassstoßstrom: 15A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.5V Sperrverzögerungszeit: 80ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA SVHC: Lead (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 700V Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1L7SDDTE25 | Rohm Semiconductor | Description: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFN1L7SDDTE25 | ROHM Semiconductor | Rectifiers Fast Recovery Diode (AEC-Q101 Qualified) | на замовлення 2074 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1L7STE25 | ROHM Semiconductor | Small Signal Switching Diodes Diode Switching 700V 0.8A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFN1L7STE25 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS Packaging: Cut Tape (CT) Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Supplier Device Package: PMDS Current - Average Rectified (Io): 800mA Technology: Standard | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFN1L7STE25 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Supplier Device Package: PMDS Current - Average Rectified (Io): 800mA Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFN1LAM6S | ROHM Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFN1LAM6STFTR | Rohm Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Supplier Device Package: PMDTM Current - Average Rectified (Io): 800mA Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-128 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1LAM6STFTR | ROHM | Description: ROHM - RFN1LAM6STFTR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.45 V, 35 ns, 15 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-128 Durchlassstoßstrom: 15A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.45V Sperrverzögerungszeit: 35ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA SVHC: Lead (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1LAM6STFTR | ROHM Semiconductor | Rectifiers 600V VR 0.8A IO SOD-128; PMDTM | на замовлення 19992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1LAM6STFTR | Rohm Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Supplier Device Package: PMDTM Current - Average Rectified (Io): 800mA Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-128 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 12875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1LAM6STFTR | ROHM | Description: ROHM - RFN1LAM6STFTR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.45 V, 35 ns, 15 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-128 Durchlassstoßstrom: 15A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.45V Sperrverzögerungszeit: 35ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA SVHC: Lead (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1LAM6STR | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 0.8A; 35ns; SOD128; Ufmax: 1.45V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 0.8A Semiconductor structure: single diode Case: SOD128 Max. forward voltage: 1.45V Max. forward impulse current: 15A Kind of package: reel; tape Reverse recovery time: 35ns | на замовлення 2166 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1LAM6STR | Rohm | DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFN1LAM6STR | ROHM Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 600V Vr 0.8A Io Fast Recovery Diode | на замовлення 24491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1LAM6STR | Rohm Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Supplier Device Package: PMDTM Current - Average Rectified (Io): 800mA Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-128 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1LAM6STR | ROHM | Description: ROHM - RFN1LAM6STR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.45 V, 35 ns, 15 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-128 Durchlassstoßstrom: 15A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.45V Sperrverzögerungszeit: 35ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA SVHC: Lead (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1LAM6STR | Rohm Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Supplier Device Package: PMDTM Current - Average Rectified (Io): 800mA Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-128 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 29682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1LAM6STR | ROHM | Description: ROHM - RFN1LAM6STR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.45 V, 35 ns, 15 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-128 Durchlassstoßstrom: 15A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.45V Sperrverzögerungszeit: 35ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA SVHC: Lead (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1LAM7STFTR | Rohm Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: PMDTM Current - Average Rectified (Io): 800mA Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-128 Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1LAM7STFTR | ROHM | Description: ROHM - RFN1LAM7STFTR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 700 V, 800 mA, Einfach, 1.5 V, 80 ns, 15 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-128 Durchlassstoßstrom: 15A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.5V Sperrverzögerungszeit: 80ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA SVHC: Lead (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 700V Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 5662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1LAM7STFTR | Rohm Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM Current - Average Rectified (Io): 800mA Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-128 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Supplier Device Package: PMDTM | на замовлення 17698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1LAM7STFTR | ROHM | Description: ROHM - RFN1LAM7STFTR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 700 V, 800 mA, Einfach, 1.5 V, 80 ns, 15 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-128 Durchlassstoßstrom: 15A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.5V Sperrverzögerungszeit: 80ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA SVHC: Lead (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 700V Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 5662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1LAM7STFTR | ROHM Semiconductor | Rectifiers Fast Recvry 700V Vr SOD-128 0.8A Io | на замовлення 13627 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1LAM7STR | Rohm Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Supplier Device Package: PMDTM Current - Average Rectified (Io): 800mA Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-128 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 9367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1LAM7STR | ROHM | Description: ROHM - RFN1LAM7STR - Kleinsignaldiode, Einfach, 700 V, 800 mA, 1.5 V, 80 ns, 15 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-128 Durchlassstoßstrom: 15A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.5V Sperrverzögerungszeit: 80ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA SVHC: Lead (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 700V Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1LAM7STR | ROHM Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 600V Vr 0.8A Io Fast Recovery Diode | на замовлення 46421 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1LAM7STR | Rohm Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: PMDTM Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 700 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1LAM7STR | ROHM | Description: ROHM - RFN1LAM7STR - Kleinsignaldiode, Einfach, 700 V, 800 mA, 1.5 V, 80 ns, 15 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-128 Durchlassstoßstrom: 15A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.5V Sperrverzögerungszeit: 80ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA SVHC: Lead (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 700V Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1VWM2STFTR | ROHM Semiconductor | Small Signal Switching Diodes DIODE-SS 200V 20A PMDE-2 | на замовлення 9251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1VWM2STFTR | ROHM | Description: ROHM - RFN1VWM2STFTR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 930 mV, 25 ns, 20 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: PMDE Durchlassstoßstrom: 20A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 930mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1VWM2STR | ROHM | Description: ROHM - RFN1VWM2STR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 930 mV, 25 ns, 20 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: PMDE Durchlassstoßstrom: 20A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 930mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 2420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN1VWM2STR | ROHM Semiconductor | Small Signal Switching Diodes DIODE-SS 200V 20A PMDE-2 | на замовлення 3848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RFN200150 | LOVATO ELECTRIC | Category: Contactors - Accessories Description: Thermal relay; screw terminals; 90÷150A Type of contactors accessories: thermal relay Leads: screw terminals Range of overcurrent release settings: 90...150A Resetting method: automatic; manual | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

