Продукція > RN2

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RN2104/YDTOSHIBA09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104FS
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104FTTOSHIBASOT416-YD DTA144
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104FT/YDTOSHIBA
на замовлення 152000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104FTSOT416-YDDTA144EETOSHIBA
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104MFV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104MFV(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104MFV,L3XHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
на замовлення 6887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
27+11.40 грн
100+7.09 грн
500+4.89 грн
1000+4.32 грн
2000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104\YDTOSHIBASOT-323
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105TOSHIBA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105(TE85L)TOSHIBASOT423-YE
на замовлення 714000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105(TE85LF)TOS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LF(CTToshibaSilicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
24+12.68 грн
100+6.73 грн
500+4.15 грн
1000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=2.2KOHM,
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
16+20.00 грн
100+11.34 грн
500+7.04 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=2.2KOHM,
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105/YETOSHIBA09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105<TE85LTOSHIBASOT23
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105<TE85L,F>TOSHIBASOT23
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 2.2K x 47Kohms
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3FToshibaDigital Transistors Bias Resistor PNP -.1A -50V 2.2kohm
на замовлення 7359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
на замовлення 6627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
23+13.13 грн
100+7.15 грн
500+4.13 грн
1000+2.82 грн
2000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3XHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
на замовлення 15540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
19+16.30 грн
100+7.96 грн
500+6.22 грн
1000+4.33 грн
2000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105TE85L(YE)
на замовлення 327000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2106,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
на замовлення 12777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2106,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106,LXHF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
на замовлення 11892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7KOHM,
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
16+20.00 грн
100+11.34 грн
500+7.04 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7KOHM,
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106FTOSHIBASOT23
на замовлення 3675 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106MFV(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106MFV,L3F(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2106MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
23+13.13 грн
100+7.15 грн
500+4.13 грн
1000+2.82 грн
2000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106MFV,L3F(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2106MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106MFV,L3F(CTToshibaRN2106MFV,L3F(CT
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7K, Q1BER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106MFV,L3XHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
на замовлення 15867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7K, Q1BER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
15+20.91 грн
100+11.08 грн
500+6.84 грн
1000+4.65 грн
2000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107TOSHIBA09+
на замовлення 94018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107(F)SOT23/SOT323
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN PNP SSM -50V -100A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN PNP SSM -50V -100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN PNP SSM -50V -100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 100mW 3-Pin SSM T/R
на замовлення 3952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1576+8.98 грн
1629+8.68 грн
2500+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 1576 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
на замовлення 8975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
на замовлення 8975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LF(CTToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LF(CTToshibaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 100mW 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
26+11.70 грн
100+7.31 грн
500+5.06 грн
1000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107=DTA114YE
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107ACT(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Gen Purp Trans PNP CST3, 50V, 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107F
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107MFV
на замовлення 6994 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors 100mA -50volts 3Pin 10K x 47Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107MFV,L3FToshibaDigital Transistors Bias Resistor PNP -.1A -50V 10kohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107MFV,L3F(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2107MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 7158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 7080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
45+6.72 грн
100+4.14 грн
500+2.82 грн
1000+2.47 грн
2000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107MFV,L3F(CTToshibaSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
на замовлення 6130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2137+8.86 грн
5000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 2137 шт
В кошику  од. на суму  грн.