Продукція > STU

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STU6015EICTVS Diode Single Uni-Dir 12.1V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6015EICTVS Diode Single Uni-Dir 12.1V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6018EICTVS Diode Single Uni-Dir 14.5V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6018EICTVS Diode Single Uni-Dir 14.5V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6022EICTVS Diode Single Uni-Dir 17.8V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6022EICTVS Diode Single Uni-Dir 17.8V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6024EICTVS Diode Single Uni-Dir 19.4V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6024EICTVS Diode Single Uni-Dir 19.4V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6025NSAMHOPTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU6025NL
на замовлення 10401 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU6025NLS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU6030EICTVS Diode Single Uni-Dir 24.3V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6030EICTVS Diode Single Uni-Dir 24.3V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6036EICTVS Diode Single Uni-Dir 29.1V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6036EICTVS Diode Single Uni-Dir 29.1V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6043EICTVS Diode Single Uni-Dir 34.8V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6043EICTVS Diode Single Uni-Dir 34.8V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU60N3LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 48A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU60N3LH5STMicroelectronicsMOSFET N-Channel 30V Pwr Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU60N3LH5-SSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU60N3LH5-S-HSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU60N55F3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 55V-6.5Mohms 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU60N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU6510EICTVS Diode Single Uni-Dir 8.55V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6510EICTVS Diode Single Uni-Dir 8.55V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6511EICTVS Diode Single Uni-Dir 9.4V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6511EICTVS Diode Single Uni-Dir 9.4V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6512-P6KE12A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU6513EICTVS Diode Single Uni-Dir 11.1V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6513EICTVS Diode Single Uni-Dir 11.1V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6527EIC SemiconductorTVS Diode Single Uni-Dir 23.1V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6527EIC SemiconductorTVS Diode Single Uni-Dir 23.1V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6530EIC SemiconductorTVS Diode Single Uni-Dir 25.6V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6530EIC SemiconductorTVS Diode Single Uni-Dir 25.6V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6536EICTVS Diode Single Uni-Dir 30.8V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6536EICTVS Diode Single Uni-Dir 30.8V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6536EICTVS Diode Single Uni-Dir 30.8V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU656IEICTVS Diode Single Uni-Dir 5.8V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU656IEICTVS Diode Single Uni-Dir 5.8V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6575-P6KE75A
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU65B0-P6KE100A
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU65B2-P6KE120A
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU65B8-P6KE180A
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU65D2-P6KE220A
на замовлення 6012 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU65D5-P6KE250A
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU65E0-P6KE300A
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU65E5-P6KE350A
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU65G0-P6KE400A
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU65N3LLH5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30V 0.0061Ohm 65A pwr STripFET V
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU65N3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 30V 65A IPAK
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N60DM2STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
225+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 225 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 50 V
на замовлення 14962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.36 грн
10+127.79 грн
75+91.64 грн
150+77.72 грн
525+65.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+75.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N62K3
Код товару: 117517
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N62K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N65K3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650 V 1.1 Ohm 5.4 A SuperMESH3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N65K3STMicroelectronics
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N65K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N65M2-SSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N65M2-SSTMicroelectronicsMOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.23 грн
75+105.33 грн
150+95.65 грн
525+76.85 грн
1050+71.26 грн
2025+67.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+190.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STU6N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 950V 1Ohm 9A pwr MDmesh K5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+190.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6NF10STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STU6NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.22 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU6NF10STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 100V-0.22ohms 6A
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU6NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.84 грн
75+66.75 грн
150+60.03 грн
525+47.36 грн
1050+43.47 грн
2025+40.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU70N2LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 25V 48A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU75N3LLH6STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET N-CH 30V 75 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU75N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 75A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU75N3LLH6-HSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU75N3LLH6-SSTMicroelectronicsMOSFET Short IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU75N3LLH6-SSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 75A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU75N3LLH6-S-HSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU7LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.90 грн
10+117.14 грн
75+83.90 грн
150+71.12 грн
525+60.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU7LN80K5STMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N105K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1050V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.55 грн
10+153.75 грн
75+111.51 грн
150+94.98 грн
525+81.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N105K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFETs in an IPAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 6A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.78 Ohm typ 6 A MDmesh DM2 Power MOSFET in an IPAK package
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a IPAK package
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STU7N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.98 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N65M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N65M6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V, 0.91 Ohm typ 5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.