Продукція > STU

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступність_PRICE_WITHOUT_VAT
STU6022EICTVS Diode Single Uni-Dir 17.8V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6024EICTVS Diode Single Uni-Dir 19.4V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6024EICTVS Diode Single Uni-Dir 19.4V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6025NSAMHOPTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU6025NL
на замовлення 10401 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU6025NLS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU6030EICTVS Diode Single Uni-Dir 24.3V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6030EICTVS Diode Single Uni-Dir 24.3V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6036EICTVS Diode Single Uni-Dir 29.1V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6036EICTVS Diode Single Uni-Dir 29.1V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6043EICTVS Diode Single Uni-Dir 34.8V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6043EICTVS Diode Single Uni-Dir 34.8V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU60N3LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 48A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU60N3LH5STMicroelectronicsMOSFET N-Channel 30V Pwr Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU60N3LH5-SSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU60N3LH5-S-HSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU60N55F3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 55V-6.5Mohms 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU60N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU6510EICTVS Diode Single Uni-Dir 8.55V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6510EICTVS Diode Single Uni-Dir 8.55V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6511EICTVS Diode Single Uni-Dir 9.4V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6511EICTVS Diode Single Uni-Dir 9.4V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6512-P6KE12A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU6513EICTVS Diode Single Uni-Dir 11.1V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6513EICTVS Diode Single Uni-Dir 11.1V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6527EIC SemiconductorTVS Diode Single Uni-Dir 23.1V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6527EIC SemiconductorTVS Diode Single Uni-Dir 23.1V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6530EIC SemiconductorTVS Diode Single Uni-Dir 25.6V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6530EIC SemiconductorTVS Diode Single Uni-Dir 25.6V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6536EICTVS Diode Single Uni-Dir 30.8V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6536EICTVS Diode Single Uni-Dir 30.8V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6536EICTVS Diode Single Uni-Dir 30.8V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU656IEICTVS Diode Single Uni-Dir 5.8V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU656IEICTVS Diode Single Uni-Dir 5.8V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6575-P6KE75A
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU65B0-P6KE100A
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU65B2-P6KE120A
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU65B8-P6KE180A
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU65D2-P6KE220A
на замовлення 6012 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU65D5-P6KE250A
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU65E0-P6KE300A
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU65E5-P6KE350A
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU65G0-P6KE400A
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU65N3LLH5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30V 0.0061Ohm 65A pwr STripFET V
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU65N3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 30V 65A IPAK
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N60DM2STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.51 грн
10+81.77 грн
25+66.89 грн
100+55.50 грн
500+47.01 грн
1000+35.55 грн
3000+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 50 V
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.55 грн
75+68.80 грн
150+62.19 грн
525+49.53 грн
1050+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N62K3
Код товару: 117517
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
225+34.30 грн
Мінімальне замовлення: 225 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N62K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.54 грн
10+91.30 грн
100+71.80 грн
500+61.16 грн
1000+55.30 грн
3000+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N65K3STMicroelectronics
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N65K3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650 V 1.1 Ohm 5.4 A SuperMESH3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N65K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.62 грн
10+60.97 грн
100+42.80 грн
500+33.96 грн
1000+30.24 грн
3000+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N65M2-SSTMicroelectronicsMOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N65M2-SSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.52 грн
10+97.65 грн
100+78.70 грн
500+61.16 грн
1000+55.37 грн
3000+51.64 грн
6000+51.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.11 грн
75+104.36 грн
150+94.78 грн
525+76.15 грн
1050+70.61 грн
2025+66.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+190.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+190.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STU6N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.73 грн
10+105.51 грн
100+103.09 грн
500+92.74 грн
1000+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 950V 1Ohm 9A pwr MDmesh K5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6NF10STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STU6NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.22 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.76 грн
23+35.28 грн
100+31.17 грн
500+24.01 грн
1000+18.92 грн
5000+16.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6NF10STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 100V-0.22ohms 6A
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.73 грн
10+66.05 грн
100+37.90 грн
500+29.75 грн
1000+25.47 грн
3000+23.06 грн
6000+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU6NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 6A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
75+40.11 грн
150+34.97 грн
525+30.28 грн
1050+26.70 грн
2025+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU70N2LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 25V 48A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU75N3LLH6STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET N-CH 30V 75 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU75N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 75A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU75N3LLH6-HSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU75N3LLH6-SSTMicroelectronicsMOSFET Short IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU75N3LLH6-SSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 75A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU75N3LLH6-S-HSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU7LN80K5STMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU7LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.70 грн
75+90.83 грн
150+82.15 грн
525+65.52 грн
1050+60.51 грн
2025+56.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N105K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ 4 A MDmesh K5 Power MOSFETs in an IPAK package
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.93 грн
10+202.44 грн
100+144.28 грн
500+122.88 грн
1000+115.29 грн
3000+98.03 грн
6000+94.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N105K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1050V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.45 грн
75+102.29 грн
150+92.85 грн
525+74.54 грн
1050+69.09 грн
2025+64.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 6A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.78 Ohm typ 6 A MDmesh DM2 Power MOSFET in an IPAK package
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.50 грн
10+119.08 грн
100+80.77 грн
500+66.76 грн
1000+52.67 грн
3000+51.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.17 грн
10+64.15 грн
100+42.18 грн
500+36.04 грн
1000+32.58 грн
3000+31.76 грн
6000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STU7N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.98 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.41 грн
10+96.65 грн
100+75.55 грн
500+64.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a IPAK package
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.61 грн
10+95.27 грн
100+55.37 грн
500+50.53 грн
3000+40.87 грн
6000+39.83 грн
9000+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N65M6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V, 0.91 Ohm typ 5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N65M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.71 грн
10+89.71 грн
100+69.72 грн
500+59.16 грн
1000+50.95 грн
3000+46.67 грн
6000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU7NA80
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU7NB100ISTT0-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Наступна Сторінка >> ]