Продукція > XP2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
XP2501-(TX)
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2501-(TX).SOPANASOT25/SOT353
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2530AGYYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2530AGY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.3 A, 2.3 A, 0.072 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.136W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.072ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.136W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.08 грн
500+9.13 грн
1000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP2530AGYYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.136W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 2.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V, 150mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
15+20.98 грн
100+14.21 грн
500+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP2530AGYYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.136W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 2.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V, 150mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP2530AGYYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2530AGY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.3 A, 2.3 A, 0.072 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.136W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.072ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.136W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.92 грн
40+20.48 грн
100+10.08 грн
500+9.13 грн
1000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP2530AGYYAGEO XSemiMOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2531GYYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2531GY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 16 V, 16 V, 3.5 A, 2.5 A, 0.058 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 16V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 16V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XP2531 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.058ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.01 грн
100+47.96 грн
500+43.63 грн
1000+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP2531GYYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2531GY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 16 V, 16 V, 3.5 A, 2.5 A, 0.058 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 16V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 16V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XP2531 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.058ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.96 грн
500+43.63 грн
1000+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP2581
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP25M00000S408TGSDescription: CRYSTAL 25MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Frequency: 25 MHz
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Operating Mode: Fundamental
Frequency Tolerance: ±30ppm
Frequency Stability: ±30ppm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: MHz Crystal
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Load Capacitance: 8pF
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP2615GEYYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2615GEY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.043 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XP2615 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.86 грн
500+13.66 грн
1000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP261N70023R-GTOREXDescription: TOREX - XP261N70023R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP261N70023R-GTorex SemiconductorMOSFETs N-CHANNEL 60V 0.15A
на замовлення 7137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP261N70023R-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP261N70023R-GTOREXDescription: TOREX - XP261N70023R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP261N70023R-GTOREXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15A; Idm: 0.3A; 0.35W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP261N70025R-GTOREXDescription: TOREX - XP261N70025R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP261N70025R-GTOREXDescription: TOREX - XP261N70025R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP261N70027R-GTOREXDescription: TOREX - XP261N70027R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.11 грн
500+6.97 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP261N70027R-GTOREXDescription: TOREX - XP261N70027R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+15.36 грн
57+14.31 грн
100+12.11 грн
500+6.97 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP261N7002TR-GTOREXDescription: TOREX - XP261N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP261N7002TR-GTOREXDescription: TOREX - XP261N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+15.53 грн
55+14.88 грн
100+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP261N7002TR-GTorex SemiconductorMOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 60V / 0.15A / SOT-23
на замовлення 3143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP261N7002TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP262N70023R-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V
на замовлення 4316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
27+11.55 грн
100+7.20 грн
500+4.97 грн
1000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP262N70023R-GTOREXDescription: TOREX - XP262N70023R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP262N70023R-GTorex SemiconductorMOSFET N-CHANNEL 60V 0.3A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP262N70023R-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP262N70023R-GTOREXDescription: TOREX - XP262N70023R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+10.32 грн
118+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP262N7002TR-GTOREXDescription: TOREX - XP262N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+20.24 грн
67+12.27 грн
106+7.70 грн
500+5.27 грн
1000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP262N7002TR-GTorex SemiconductorMOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 60V / 0.3A / SOT-23
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP262N7002TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
30+10.27 грн
100+6.40 грн
500+4.41 грн
1000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP262N7002TR-GTOREXDescription: TOREX - XP262N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.00 грн
1000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP262N7002TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP263N1001TR-GTOREXDescription: TOREX - XP263N1001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 0.18 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.68 грн
37+22.19 грн
100+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP263N1001TR-GTOREXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1A; Idm: 2A; 0.4W; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP263N1001TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 60V 1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 20 V
на замовлення 8721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
16+19.62 грн
100+12.44 грн
500+8.74 грн
1000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP263N1001TR-GTorex SemiconductorMOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 60V / 1A / SOT-23
на замовлення 4357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP263N1001TR-GTOREXDescription: TOREX - XP263N1001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 0.18 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP263N1001TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 60V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.28 грн
6000+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP264N0301TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP264N0301TR-GTorex SemiconductorMOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 60V / 0.3A / SOT-23
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP264N0301TR-GTOREXDescription: TOREX - XP264N0301TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+13.17 грн
63+12.92 грн
100+10.97 грн
500+7.44 грн
1000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP264N0301TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP264N0301TR-GTOREXDescription: TOREX - XP264N0301TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.97 грн
500+7.44 грн
1000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP27M00000S408TGSDescription: CRYSTAL 27MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Frequency: 27 MHz
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Operating Mode: Fundamental
Frequency Tolerance: ±30ppm
Frequency Stability: ±30ppm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: MHz Crystal
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Load Capacitance: 8pF
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP28M63636S408TGSDescription: CRYSTAL 28.63636MHZ 30ppm, 8pF 2
Frequency: 28.63636 MHz
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Operating Mode: Fundamental
Frequency Tolerance: ±30ppm
Frequency Stability: ±30ppm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: MHz Crystal
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Load Capacitance: 8pF
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP2943CP
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2E2Z11Saia-BurgessBasic / Snap Action Switches Door switch
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP2N075ENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2N075EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2N075E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+17.48 грн
77+10.57 грн
112+7.30 грн
500+5.59 грн
1000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP2N075ENYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 20V 3.5A SOT-23S
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2N075ENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2N075EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2N075E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.57 грн
112+7.30 грн
500+5.59 грн
1000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP2N1K2EN1YAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2N1K2E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.22 грн
116+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP2N1K2EN1YAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2N1K2E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+18.61 грн
73+11.22 грн
116+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P038NYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -20V -5A SOT-23
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P038NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P038 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.51 грн
500+7.55 грн
1000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P038NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P038 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.39 грн
45+18.13 грн
100+9.51 грн
500+7.55 грн
1000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P052NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2P052N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P052 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.11 грн
500+10.72 грн
1000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P052NYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -20V -4A SOT-23S
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P053NYAGEO XSemiMOSFET P-CH -20V -4. 2A SOT-23S
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P053NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P053 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.77 грн
35+23.90 грн
100+11.62 грн
500+10.19 грн
1000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P053NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P053 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.32 грн
500+9.06 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP2U-001OmronTesting Socket for Devices with USB Type C Connectors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP2U-001Omron Electronics Inc-EMC DivDescription: XP2U-001 IS A LONG-LIFE TEST SOC
Packaging: Box
For Use With/Related Products: USB - C
Accessory Type: Test Socket
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12871.02 грн
20+10034.33 грн
40+9556.08 грн
60+8807.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP2U-001Omron ElectronicsTest Sockets Test Socket USB Type C
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2U-001OMRON ELECTRONIC COMPONENTSDescription: OMRON ELECTRONIC COMPONENTS - XP2U-001 - USB-Prüfbuchse, USB 3.1, Typ C, 24 Kontakte, 0.25A / 1.25A, 20V DC/V AC, 5°C bis 40°C
tariffCode: 85366990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: +5°C bis +40°C
USB-Version: USB 3.1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Kontakte: 24Kontakt(e)
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Spannung USB-Prüfsteckverbinder: 20VDC/20VAC
usEccn: EAR99
Strom USB-Prüfsteckverbinder: 0.25A/1.25A
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13876.89 грн
5+13442.83 грн
10+13007.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP2U-001.OMRON ELECTRONIC COMPONENTSDescription: OMRON ELECTRONIC COMPONENTS - XP2U-001. - USB TYPE C MOUNTED DEVICE TEST SOCKET
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kontakte: 24Kontakt(e)
euEccn: NLR
USB-Version: USB 3.1
isCanonical: Y
RoHS Compliant: Yes
hazardous: false
Betriebstemperatur: +5°C to +40°C
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strom USB-Prüfsteckverbinder: 0.25A/1.25A
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Spannung USB-Prüfsteckverbinder: 20VDC/ 20VAC
Produktpalette: -
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15916.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP2Z11Saia-BurgessBasic / Snap Action Switches Door switch
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3